公开(公告)号：CN100440542C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200410044704.5

申请日：2004-05-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村田智洋 ,  广濑裕 ,  池田义人 ,  田中毅 ,  井上薰 ,  上田大助 ,  上本康裕

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338 ,  H01L33/00 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41766

Abstract: 一种半导体装置，由III-V族氮化物半导体构成并具有通孔结构，包括：在导电性基板(11)上形成的由高阻抗AlxGa1-xN构成的缓冲层(12)；在该缓冲层(12)上形成的具有沟道层的由非掺杂GaN和N型AlyGa1-yN构成的元件形成层(14)；在元件形成(14)上选择形成的源电极(16)、漏电极(17)和栅电极(15)。源电极(16)通过填充于在缓冲层(12)和元件形成层(14)上设置的贯通孔(12a)而与导电性基板(11)电连接。这样，通过在防止基板和半导体层之间产生漏泄电流的同时使通孔的形成变得容易而获得高频特性、高输出特性和大功率特性。

公开(公告)号：CN101009324A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610165929.5

申请日：2006-12-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 上野弘明 ,  柳原学 ,  上田哲三 ,  上本康裕 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/432 ,  H01L29/452 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体装置，此氮化物半导体装置中，在保证常非导通型的同时，且能够提高工作电流。氮化物半导体装置，包括：在由蓝宝石构成的衬底(101)上顺次形成的，分别由氮化物半导体构成的缓冲层(102)、基层(103)、第一半导体层(104)、第二半导体层(105)和控制层(106)以及接触层(107)。还有，在第二半导体层(105)上的控制层(106)两侧的区域，形成了分别由钛及铝构成的源极电极(108)及漏极电极(109)，另外在接触层(107)上形成了由镍构成的栅极电极(110)。

公开(公告)号：CN1585129A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410064104.5

申请日：2004-08-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石田秀俊 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/00 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/42316 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  Y10S257/918

Abstract: 提供一种开关用半导体器件，具有在由碳化硅或者蓝宝石构成的单晶基片(101)上形成的由InxGa1－xN(其中，0≤x≤1)构成的第一化合物层(102)、在第一化合物层(102)上形成的由InyAlzGa1－y－zN（其中，0≤y≤1、0

公开(公告)号：CN1155061C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN98102876.4

申请日：1998-07-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 石田秀俊 ,  野间淳史 ,  上田大助

IPC: H01L21/306

CPC classification number: C09K13/08

Abstract: 一种用于腐蚀钛材料和氧化硅中至少一种的腐蚀剂包括HCl、NH4F和H2O的混合液体。当该腐蚀剂具有小于1的NH4F/HCl克分子比时，只有钛材料被腐蚀。当该腐蚀剂具有大于1的NH4F/HCl克分子比时，只有氧化硅被腐蚀。当该腐蚀剂具有为1的NH4F/HCl克分子比时，钛材料和氧化硅被以相同的速率腐蚀。

公开(公告)号：CN1481054A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN03152677.2

申请日：2003-08-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小野泽和利 ,  上田哲三 ,  上田大助

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/02252 ,  G11B7/1275 ,  G11B7/22 ,  G11B2007/0006 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/95085 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10349 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/4031 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明着眼于FSA法，是以在混合集成半导体激光元件阵列中，可通过自我调整来控制各半导体激光晶片的发光点间隔为目的的。半导体激光装置(100)，包括具有如由硅形成的，在其主面上相互保持一定间隔形成了第1凹槽部分(10a)及第2凹槽部分(10b)的衬底(10)。第1凹槽部分(10a)上，嵌入发射红外光的功能部件化了的第1半导体激光元件(11)，第2凹槽部分(10b)上，嵌入发射红色光的功能部件化了的第2半导体激光元件(12)。

公开(公告)号：CN1253363A

公开(公告)日：2000-05-17

申请号：CN99122373.X

申请日：1999-11-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 岩崎行绪 ,  古川秀利 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01C17/242

CPC classification number: H01C17/23 ,  H01L27/0802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种调整用电阻和半导体装置具有相互并联连接的多个电阻。通过光的照射可分别切断多个电阻,通过切断多个电阻中的一部分电阻,可调整该调整用电阻的电阻值。