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公开(公告)号：CN113277517A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110564227.9
申请日：2021-05-24
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/037 , C25C3/18 , C04B7/24 , C01D3/02 , C01B32/40
Abstract: 本发明涉及一种分离铝电解废阴极碳块中电解质并同步生产金属硅的方法，属于有色冶金技术领域。本发明将铝电解废阴极碳块破碎成废阴极碳颗粒，将硅石依次进行水洗、筛分、干燥和研磨得到硅石颗粒，废阴极碳颗粒和硅石颗粒混合均匀得到混合物A；混合物A在温度1450‑1600℃、真空条件下反应1～5h，固液气三相分离得到气相电解质、液态金属硅和固态渣。本发明利用废阴极碳颗粒在温度1450‑1600℃、真空条件下碳热还原二氧化硅得到金属硅，同时分离出气态电解质，降低了单纯真空分离废阴极中电解质的成本，并提高了电解质的回收率，同时实现了废阴极中碳的高值化利用。
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公开(公告)号：CN109950332B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201910230749.8
申请日：2019-03-26
Applicant: 昆明理工大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种PERC柔性石墨烯/硅太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池领域。本发明通过柔性纳米织化硅片的一步法制备技术得到同时具有纳米结构和超薄柔性特性的硅片，采用化学钝化或/和场钝化的方法对硅片表面进行钝化，然后采用滴涂法、旋涂法、湿法转移法或磁控溅射法实现量子点或二维材料对硅片表面的修饰，再引入导电层和转移片层石墨烯，最后接入电极，完成柔性石墨烯/硅太阳能电池的制备。本发明金属纳米颗粒辅助化学刻蚀法在硅基表面实现大规模纳米结构可控制备以实现硅基底增加光谱吸收的同时也达到减薄硅基得到柔性硅；本发明PERC柔性石墨烯/硅太阳能电池结构为厚度1～100μm的超薄柔性电池。
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公开(公告)号：CN112279284A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202010983857.5
申请日：2020-09-18
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开一种高硫铝土矿和拜耳法赤泥综合利用的方法，属于冶金技术和环保领域，将高硫铝土矿、拜耳法赤泥混合，混合物加入添加剂均匀混合后再进行密封处理焙烧，自然冷却，研磨破碎；将物料加入稀碱溶液搅拌溶出，过滤后得到溶出液和溶出渣；热水反复洗涤溶出渣，干燥研磨后进行磁选，回收铁精矿；溶出液和溶出渣的洗涤液采用常规方法回收氧化铝后液体返回作为稀碱使用；本发明可以同时处理难处理高硫铝土矿和固废拜耳法赤泥，解决目前赤泥大量堆存、土地污染等问题，使赤泥得到减量化、无害化及资源化利用，提高了高硫铝土矿高效回收利用率，实现有害材料的高附加值利用率。
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公开(公告)号：CN106119951B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201610705887.3
申请日：2016-08-23
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及几种低温高速生长SiC单晶的助溶剂，属于晶体生长技术领域。本发明涉及的几种助溶剂为稀土金属镨（Pr）、铈（Ce）、镧（La）、镝（Dy）和铽（Tb），SiC单晶的生长方法为顶部籽晶溶液生长法。首先，将上述任意一种助溶剂与高纯硅（≥99.9999%）一起加热熔融，然后，将装有SiC籽晶的籽晶杆伸入到熔体液面下0.5~5cm处，旋转籽晶杆或者熔融容器进行SiC单晶的生长；晶体生长结束后将籽晶杆从熔体中移出；最后，用HNO3+HF的混酸去除SiC单晶表面的残留物得到高纯SiC单晶。
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公开(公告)号：CN106115717B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610706125.5
申请日：2016-08-23
Applicant: 昆明理工大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 本发明涉及一种去除冶金级硅中杂质的方法，属于硅提纯技术领域。首先将少量的添加剂（锆、铪、含锆合金或含铪合金）和工业硅同时进行熔炼，待物料完全熔化后冷却至室温，并研磨成小于186μm的硅粉，先后用王水、HF＋HCl混酸进行酸洗得到高纯硅。本发明不仅能有效去除硅提纯领域中最难去除的硼杂质，对其他杂质的去除也有明显的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109457114A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811323583.6
申请日：2018-11-08
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明公开了一种利用含钛渣制备钛、硅和钛硅合金的方法，属于二次金属资源再利用技术领域。本发明将含钛渣、硅物料和添加剂混合均匀得到熔炼物料并进行熔炼；熔炼物料在温度1673 K以上的条件下完全熔化后并恒温熔炼15min以上进行渣金分离得到Ti-Si合金；将Ti-Si合金进行分离和提纯，可以同时得到高纯硅、高纯钛和Ti5Si3、Ti5Si4、TiSi、TiSi2、共晶Ti-Si合金等高纯Ti-Si合金，实现了复杂含钛渣资源的清洁再利用。
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公开(公告)号：CN107134504B
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201710211206.2
申请日：2017-04-01
Applicant: 昆明理工大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/07 , H01L31/0352
Abstract: 本发明公开了一种纳米硅基石墨烯太阳能电池的制备方法，包括硅片预处理、硅纳米线阵列引入、硅纳米线的表面钝化处理、对硅纳米线表面进行量子点修饰、石墨烯或碳纳米管的填充、窗口周围导电层引入、片层石墨烯转移、电极接入等八个步骤。本发明采用石墨烯量子点修饰的纳米硅为基底，目的在于大大增强太阳光利用范围，同时在硅纳米线之间填充高导电的掺杂石墨烯碎片或碳纳米管，有利于提高光生电子‑空穴对的有效分离，实现新型高效纳米硅基石墨烯太阳能电池的制备。
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公开(公告)号：CN107887458A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710939709.1
申请日：2017-10-11
Applicant: 昆明理工大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L21/306 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L31/02363 , B82Y30/00 , H01L21/30608 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种铜催化刻蚀硅制备形貌可控绒面的方法，首先将金刚石线切割后的硅片进行清洗预处理，然后将处理后的硅片放入含有金属铜盐、氧化剂和刻蚀剂的刻蚀液中，进行铜催化化学刻蚀反应，通过控制刻蚀液的成分以及各成分浓度，从而在硅片表面制备出不同形貌的绒面，然后再依次用硝酸溶液、氢氟酸溶液和去离子水清洗刻蚀后的硅片，即完成形貌不同的绒面的制备，本发明主要针对金刚石线切割硅片表面覆盖有非晶硅层和大量平行的线痕而导致常规酸法刻蚀难以实现表面有效制绒的问题，本发明优势在于能够实现低成本对金刚石线切割硅片表面进行制备形貌可控的绒面。
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公开(公告)号：CN106990022A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710195417.1
申请日：2017-03-29
Applicant: 昆明理工大学
IPC: G01N13/00
CPC classification number: G01N13/00 , G01N2013/003
Abstract: 本发明涉及一种测量硼在硅酸钙渣系中扩散系数的装置及方法，属于冶金熔渣技术领域。装置包括小直径石墨坩埚、毛细管和大直径石墨坩埚熔池，小直径石墨坩埚为实心状石墨，石墨内部设置直径为2～6mm孔洞形成毛细管，毛细管内部放置硅酸钙渣系，石墨坩埚熔池中设有B2O3、SiO2和CaO块状混合物形成B2O3扩散源，块状混合物预熔后按照毛细管开口朝下的位置将小直径石墨坩埚置于大直径石墨坩埚熔池中。扩散后的样品经淬火处理，利用ICP‑AES检测毛细管口处浓度C0和距离毛细管口不同距离处的B含量C(x，t)，根据公式：求出扩散系数D。本发明可简单有效的测算出硼在硅酸钙熔渣中扩散系数这个重要的动力学参数，对于造渣精炼去除冶金级硅中杂质硼过程具有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN103539147B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310519316.7
申请日：2013-10-29
Applicant: 昆明理工大学
Abstract: 本发明涉及一种二氧化硅分子筛的制备方法，属于多孔材料制备技术领域。对微硅粉热处理后进行颗粒分级，再进行酸浸处理，过滤后清洗干净；将酸浸处理后的微硅粉与NaOH、结构导向剂和H2O按照SiO2：NaOH：结构导向剂：H2O摩尔比1:0.2～0.4:0.1～0.3:150～200混合，在90～120℃条件下，反应12～48小时，然后经过洗涤、过滤、干燥，得到有机-无机复合中间产物；将有机-无机复合中间产物与水按照质量比1:30～50混合后搅拌并进行水热处理，然后将得到的固体物质洗涤、过滤和干燥后焙烧，脱除结构导向剂，即得到球形介孔二氧化硅分子筛。该方法大大简化了球形介孔二氧化硅分子筛的合成过程和条件，降低了合成成本，制备的介孔材料具有优良的重金属吸附性能。
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