公开(公告)号：CN107887458A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201710939709.1

申请日：2017-10-11

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 李绍元 ,  马文会 ,  邹宇新 ,  魏奎先 ,  杨春曦 ,  雷云 ,  谢克强 ,  伍继君 ,  于洁 ,  秦博 ,  吕国强 ,  杨斌 ,  戴永年

IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/18 ,  H01L21/306 ,  B82Y30/00

CPC classification number: H01L31/02363 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/30608 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开了一种铜催化刻蚀硅制备形貌可控绒面的方法，首先将金刚石线切割后的硅片进行清洗预处理，然后将处理后的硅片放入含有金属铜盐、氧化剂和刻蚀剂的刻蚀液中，进行铜催化化学刻蚀反应，通过控制刻蚀液的成分以及各成分浓度，从而在硅片表面制备出不同形貌的绒面，然后再依次用硝酸溶液、氢氟酸溶液和去离子水清洗刻蚀后的硅片，即完成形貌不同的绒面的制备，本发明主要针对金刚石线切割硅片表面覆盖有非晶硅层和大量平行的线痕而导致常规酸法刻蚀难以实现表面有效制绒的问题，本发明优势在于能够实现低成本对金刚石线切割硅片表面进行制备形貌可控的绒面。

公开(公告)号：CN106582717A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611167823.9

申请日：2016-12-16

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 李绍元 ,  冯琪 ,  马文会 ,  邹宇新 ,  何霄 ,  于洁 ,  万小涵 ,  吕国强 ,  雷云 ,  谢克强 ,  伍继君 ,  魏奎先 ,  杨斌 ,  戴永年

IPC: B01J27/04 ,  C02F1/28 ,  C02F1/30 ,  C02F101/30

CPC classification number: Y02W10/37 ,  B01J27/04 ,  B01J35/004 ,  C02F1/281 ,  C02F1/30 ,  C02F2101/308

Abstract: 本发明公开一种GO‑CdS‑ZnO‑多孔硅复合光催化剂的制备方法，包括：①采用金属纳米颗粒辅助刻蚀法制备多孔硅；②制备氧化石墨烯分散液；③将多孔硅加入ZnO前驱体溶液搅拌、超声分散，并与含PVP为分散剂、乌洛托品为络合剂的硝酸锌溶液反应，获得ZnO‑多孔硅材料；④以硫酸镉为镉源、硫脲为硫源，加入氧化石墨烯分散液和ZnO‑多孔硅，在高压釜中反应，反应完成后冲洗、干燥即可获得GO‑CdS‑ZnO‑多孔硅复合光催化剂。

公开(公告)号：CN107863416B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201710939689.8

申请日：2017-10-11

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 李绍元 ,  马文会 ,  邹宇新 ,  魏奎先 ,  杨春曦 ,  雷云 ,  谢克强 ,  伍继君 ,  于洁 ,  秦博 ,  吕国强 ,  杨斌 ,  戴永年

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种柔性石墨烯硅太阳能电池的制备方法，首先制备柔性硅片，然后将柔性硅片进行封闭处理，再在柔性硅片表面引入倒金字塔结构，采用化学钝化或/和场钝化的方法对硅片表面进行钝化，然后采用旋涂法实现石墨烯量子点对硅片表面的修饰，再引入导电层和转移片层石墨烯，最后接入电极，完成柔性石墨烯硅太阳能电池的制备，本发明制备了超薄柔性硅，使得硅可弯曲且减少了硅量的使用，采用低成本的化学刻蚀和金属铜催化化学刻蚀技术在超薄硅基底表面引入了大规模倒金字塔阵列，增加了硅基底光谱吸收率且降低硅的表面积，将石墨烯与量子点层引入至石墨烯超薄硅界面处，起到减反涂层和电子阻挡层的作用，使电池更高效，应用前景广阔。

公开(公告)号：CN107863416A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201710939689.8

申请日：2017-10-11

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 李绍元 ,  马文会 ,  邹宇新 ,  魏奎先 ,  杨春曦 ,  雷云 ,  谢克强 ,  伍继君 ,  于洁 ,  秦博 ,  吕国强 ,  杨斌 ,  戴永年

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明公开了一种柔性石墨烯硅太阳能电池的制备方法，首先制备柔性硅片，然后将柔性硅片进行封闭处理，再在柔性硅片表面引入倒金字塔结构，采用化学钝化或/和场钝化的方法对硅片表面进行钝化，然后采用旋涂法实现石墨烯量子点对硅片表面的修饰，再引入导电层和转移片层石墨烯，最后接入电极，完成柔性石墨烯硅太阳能电池的制备，本发明制备了超薄柔性硅，使得硅可弯曲且减少了硅量的使用，采用低成本的化学刻蚀和金属铜催化化学刻蚀技术在超薄硅基底表面引入了大规模倒金字塔阵列，增加了硅基底光谱吸收率且降低硅的表面积，将石墨烯与量子点层引入至石墨烯超薄硅界面处，起到减反涂层和电子阻挡层的作用，使电池更高效，应用前景广阔。

公开(公告)号：CN106582717B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201611167823.9

申请日：2016-12-16

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 李绍元 ,  冯琪 ,  马文会 ,  邹宇新 ,  何霄 ,  于洁 ,  万小涵 ,  吕国强 ,  雷云 ,  谢克强 ,  伍继君 ,  魏奎先 ,  杨斌 ,  戴永年

IPC: B01J27/04 ,  C02F1/28 ,  C02F1/30 ,  C02F101/30

Abstract: 本发明公开一种GO‑CdS‑ZnO‑多孔硅复合光催化剂的制备方法，包括：①采用金属纳米颗粒辅助刻蚀法制备多孔硅；②制备氧化石墨烯分散液；③将多孔硅加入ZnO前驱体溶液搅拌、超声分散，并与含PVP为分散剂、乌洛托品为络合剂的硝酸锌溶液反应，获得ZnO‑多孔硅材料；④以硫酸镉为镉源、硫脲为硫源，加入氧化石墨烯分散液和ZnO‑多孔硅，在高压釜中反应，反应完成后冲洗、干燥即可获得GO‑CdS‑ZnO‑多孔硅复合光催化剂。