公开(公告)号：CN110835701A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201911060627.5

申请日：2019-11-01

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 吕国强 ,  肖庭 ,  常彦峰 ,  马文会 ,  杨雄东 ,  雷云 ,  陈正杰 ,  魏奎先 ,  于洁 ,  刘占伟

IPC: C22C21/02 ,  C22C1/02

Abstract: 本发明公开一种利用硅废料制备铝硅合金的方法，检测硅废料的组成成分，将废料研磨破碎处理，得到块状或片状硅废料；按铝硅摩尔比为0.85-0.65:0.15-0.35的比例，在废料中添加铝粒，混合均匀后添加至石墨坩埚容器中，置于电磁感应炉底座中，在高纯氩气的保护氛围下，对混合料进行加热并保温，冷却后取出石墨坩埚，敲碎石墨坩埚后得到铸造铝硅合金样品；相比于目前研究回收硅废料中的硅的方法，本发明利用硅废料制取铸造铝硅合金的流程简单快捷，节能环保，对废料中硅的资源再利用率高，同时镍、铁等金属杂质含量低于2.2%，满足工业用铝硅合金杂质含量要求。

公开(公告)号：CN106119951A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610705887.3

申请日：2016-08-23

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 雷云 ,  马文会 ,  谢克强 ,  吕国强 ,  伍继君 ,  魏奎先 ,  秦博 ,  李绍元 ,  刘占伟 ,  于洁 ,  戴永年

IPC: C30B9/12 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B9/12 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及几种低温高速生长SiC单晶的助溶剂，属于晶体生长技术领域。本发明涉及的几种助溶剂为稀土金属镨（Pr）、铈（Ce）、镧（La）、镝（Dy）和铽（Tb），SiC单晶的生长方法为顶部籽晶溶液生长法。首先，将上述任意一种助溶剂与高纯硅（≥99.9999%）一起加热熔融，然后，将装有SiC籽晶的籽晶杆伸入到熔体液面下0.5~5cm处，旋转籽晶杆或者熔融容器进行SiC单晶的生长；晶体生长结束后将籽晶杆从熔体中移出；最后，用HNO3+HF的混酸去除SiC单晶表面的残留物得到高纯SiC单晶。

公开(公告)号：CN106119951B

公开(公告)日：2019-04-12

申请号：CN201610705887.3

申请日：2016-08-23

Applicant: 昆明理工大学

Inventor： 雷云 ,  马文会 ,  谢克强 ,  吕国强 ,  伍继君 ,  魏奎先 ,  秦博 ,  李绍元 ,  刘占伟 ,  于洁 ,  戴永年

IPC: C30B9/12 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及几种低温高速生长SiC单晶的助溶剂，属于晶体生长技术领域。本发明涉及的几种助溶剂为稀土金属镨（Pr）、铈（Ce）、镧（La）、镝（Dy）和铽（Tb），SiC单晶的生长方法为顶部籽晶溶液生长法。首先，将上述任意一种助溶剂与高纯硅（≥99.9999%）一起加热熔融，然后，将装有SiC籽晶的籽晶杆伸入到熔体液面下0.5~5cm处，旋转籽晶杆或者熔融容器进行SiC单晶的生长；晶体生长结束后将籽晶杆从熔体中移出；最后，用HNO3+HF的混酸去除SiC单晶表面的残留物得到高纯SiC单晶。