一种电容式薄膜真空计的薄膜焊接方法

    公开(公告)号:CN114571125B

    公开(公告)日:2022-09-02

    申请号:CN202210492279.4

    申请日:2022-05-07

    Abstract: 本发明涉及测量仪器技术领域,具体公开了一种电容式薄膜真空计的薄膜焊接方法,该方法包括以下步骤:按照预设温度加热中心膜片,预设温度根据中心膜片的张紧力要求及材质特性进行设定;组合电容式薄膜真空计的下腔体、中心膜片和上腔体并进行保温,以使下腔体和上腔体夹持处于预设温度的中心膜片的边缘;焊接固定下腔体、中心膜片及上腔体以形成组合体;静置冷却组合体;该方法利用中心膜片的热胀冷缩的特性对加热后的中心膜片进行焊接,使得静置冷却后的组合体中的中心膜片具有满足张紧力要求的张紧力,免去了张紧设备的张紧处理,使得中心膜片满足电容式薄膜真空计的加工质量要求,有效提高产品合格率。

    电容薄膜规、压力测量方法、系统、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN114544065B

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202210422504.7

    申请日:2022-04-21

    Abstract: 本申请涉及电容薄膜规技术领域,具体提供了电容薄膜规、压力测量方法、系统、电子设备及存储介质,应用在压力测量系统中,压力测量系统包括膜片、陶瓷基体、固定电极和多个第一测量电极,固定电极用于根据其与膜片的距离生成第一测量电容信息,第一测量电极圆周阵列在固定电极外侧,多个第一测量电极分别用于根据其与膜片的距离生成对应的第二测量电容信息,压力测量方法包括以下步骤:获取第一测量电容信息和第二测量电容信息;根据不同位置的第一测量电极生成的第二测量电容信息检测膜片形变是否均匀,并根据第一测量电容信息和若干个第二测量电容信息计算压力值;该方法能够实现自适应校正测量被测气体的压力值。

    一种电容式薄膜真空计的薄膜焊接方法

    公开(公告)号:CN114571125A

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202210492279.4

    申请日:2022-05-07

    Abstract: 本发明涉及测量仪器技术领域,具体公开了一种电容式薄膜真空计的薄膜焊接方法,该方法包括以下步骤:按照预设温度加热中心膜片,预设温度根据中心膜片的张紧力要求及材质特性进行设定;组合电容式薄膜真空计的下腔体、中心膜片和上腔体并进行保温,以使下腔体和上腔体夹持处于预设温度的中心膜片的边缘;焊接固定下腔体、中心膜片及上腔体以形成组合体;静置冷却组合体;该方法利用中心膜片的热胀冷缩的特性对加热后的中心膜片进行焊接,使得静置冷却后的组合体中的中心膜片具有满足张紧力要求的张紧力,免去了张紧设备的张紧处理,使得中心膜片满足电容式薄膜真空计的加工质量要求,有效提高产品合格率。

    一种金属氧化物薄膜的制备方法及金属氧化物薄膜

    公开(公告)号:CN114561617A

    公开(公告)日:2022-05-31

    申请号:CN202210204583.4

    申请日:2022-03-03

    Abstract: 本申请涉及溅射镀膜领域,公开了一种金属氧化物薄膜的制备方法及金属氧化物薄膜,所述金属氧化物薄膜的制备方法采用反应磁控溅射制备金属氧化物薄膜,其中,包括以下步骤:采用微波远程等离子体源对氧气进行活化处理,微波功率为1000‑2000W;向磁控溅射腔体内导入经过活化处理的氧气,以金属为靶材,在基底上沉积所述金属氧化物薄膜。本申请提供的金属氧化物薄膜的制备方法,基于反应磁控溅射工艺,并利用微波远程等离子体源对氧气预先进行活化处理,可以提高金属氧化物薄膜的结晶度和性能。

    一种碳化硅外延设备原位监测系统及监测方法

    公开(公告)号:CN111948177A

    公开(公告)日:2020-11-17

    申请号:CN202010753383.5

    申请日:2020-07-30

    Inventor: 肖永能

    Abstract: 本发明公开一种碳化硅外延设备原位监测系统及监测方法,所述碳化硅外延设备原位监测系统包括:光路结构、光学探测模块、转速探测模块、信号处理模块。所述碳化硅外延设备原位监测系统,可以在1000-1500rpm的高转速下,在SiC外延生长的原位实现对晶圆表面薄膜生长状态的实时监测并向SiC外延设备提供反馈信号进行实时的外延生长控制。

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