公开(公告)号：CN104615953A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201510070478.6

申请日：2015-02-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 解玉凤 ,  周劲 ,  林殷茵

IPC: G06F21/76

CPC classification number: G06F21/76

Abstract: 本发明属于可编程逻辑器技术领域，具体为一种配置数据流安全性高的可编程逻辑器。该可编程逻辑器包括基于SRAM配置层的可编程逻辑阵列、非挥发片上存储器、安全机制控制电路、配置控制电路，接口模块，还可以包括其它模块；非挥发片上存储器可以包括多个分区，存储不同类别的数据，例如配置数据流存储、密钥存储、认证标签存储等；所述的非挥发片上存储器还包括写保护电路，写保护电路可以针对非挥发片上存储器的不同分区提供不同的写保护控制策略；所述的非挥发片上存储器特别包含电阻式随机存储器等可以跟逻辑工艺兼容的非挥发存储器。本发明可编程逻辑器可以提供配置数据流在存储和传递过程防止窃取、防止恶意加载等安全特征。

公开(公告)号：CN102169723A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201010113797.8

申请日：2010-02-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 林殷茵 ,  金钢 ,  张佶 ,  解玉凤

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/26

Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种抗功耗分析攻击的电阻随机存储器、读电路及其读操作方法。本发明提供的电阻随机存储器包括第一存储电阻、用于选通所述第一存储电阻的第一选通管、第二存储电阻、以及用于选通所述第二存储电阻的第二选通管，第一存储电阻处于高阻态且第二存储电阻处于低阻态时，所述电阻随机存储器存储第一数据状态；第一存储电阻处于低阻态且第二存储电阻处于高阻态时，所述电阻随机存储器存储第二数据状态；所述存储电阻为二元或者二元以上的多元金属氧化物，所述第一存储电阻和第二存储电阻分别连接于第一位线、第二位线。该电阻随机存储器可以用于高安全性的抗功耗分析攻击领域的数据存储。