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公开(公告)号：CN111584382A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010345111.1
申请日：2020-04-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用金刚石NV色心原位表征异质界面状态的方法，本发明属于半导体材料及器件技术领域，它要解决现有在异质结两相相接界面处电荷状态分布、电子输运特性难以采用常规方法进行精确测量的问题。表征方法：一、对金刚石基底进行清洗；二、通过CVD法在金刚石基底表面生长NV色心层；三、使用显微镜聚焦到金刚石上生长的NV色心层，测得测试点处的第一次拉曼光谱；四、在生长NV色心层的金刚石表面生长待测的异质结；五、再次测得测试点处的拉曼光谱；将测试点处的第一次拉曼光谱与第二次拉曼光谱进行对比。本发明通过在界面连接处的金刚石亚表面层使用MPCVD法生长含有NV色心的薄层，能够准确的表征出异质界面状态的改变。
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公开(公告)号：CN108958997A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810503937.9
申请日：2018-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: G06F11/221 , G06F11/2273 , G06F11/261
Abstract: 本发明提供串行总线故障模拟系统及模拟方法，属于计算机可靠性能评价技术领域。本发明所述串行总线故障模拟系统，包括控制机和故障注入器；控制机根据用户要求生成故障命令，将故障命令发送给故障注入器，接收故障注入器反馈的注入结果和目标系统状态，并将其反馈给用户；故障注入器采用现场可编程逻辑器件FPGA，根据来自控制机的故障命令对故障注入所需的所有参数进行设置，在接收到来自于串行总线的数据后，向数据当中注入故障，并将修改后的数据发送给串行总线，将得到的注入结果和目标系统状态返回给控制机。本发明解决了现有总线故障注入用以验证计算机可靠性时，实时性低的问题。本发明可用于总线故障模拟。
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公开(公告)号：CN101572278B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200910072199.8
申请日：2009-06-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 光导型双色紫外红外探测器及其制备方法，它涉及一种双色紫外红外探测器结构及其制备方法。本发明解决了现有的同时探测红外和紫外信号的双色红外紫外探测器的结构复杂及探测成本高的问题。探测器结构是在蓝宝石衬底外延依次生长有AlN层、GaN层、GaN/Alx1Ga1-x1N多量子阱、GaAs过渡层、GaAs/Alx2Ga1-x2As多量子阱和GaAs盖层；方法：1.蓝宝石衬底置于分子束外延系统中进行氮化；2.在蓝宝石衬底上生长AlN层；3.在AlN层上生长GaN层；4.在GaN层生长GaN/Alx1Ga1-x1N多量子阱；5.在GaN/Alx1Ga1-x1N多量子阱上生长GaAs；6.在GaAs上生长GaAs/Alx2Ga1-x2As多量子阱；7.GaAs/Alx2Ga1-x2As多量子阱生长GaAs盖层即得双色紫外红外探测器结构。本发明光导型双色紫外红外探测器结构简单，探测成本低。
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公开(公告)号：CN101572278A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910072199.8
申请日：2009-06-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 光导型双色紫外红外探测器及其制备方法，它涉及一种双色紫外红外探测器结构及其制备方法。本发明解决了现有的同时探测红外和紫外信号的双色红外紫外探测器的结构复杂及探测成本高的问题。探测器结构是在蓝宝石衬底外延依次生长有AlN层、GaN层、GaN/Alx1Ga1－x1N多量子阱、GaAs过渡层、GaAs/Alx2Ga1－x2As多量子阱和GaAs盖层；方法：一、蓝宝石衬底置于分子束外延系统中进行氮化；二、在蓝宝石衬底上生长AlN层；三、在AlN层上生长GaN层；四、在GaN层生长GaN/Alx1Ga1－x1N多量子阱；五、在GaN/Alx1Ga1－x1N多量子阱上生长GaAs；六、在GaAs上生长GaAs/Alx2Ga1－x2As多量子阱；七、GaAs/Alx2Ga1－x2As多量子阱生长GaAs盖层即得双色紫外红外探测器结构。本发明光导型双色紫外红外探测器结构简单，探测成本低。
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公开(公告)号：CN119980462A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510121318.3
申请日：2025-01-26
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈工大郑州研究院 , 河南碳真芯材科技有限公司
Abstract: 一种硅空位色心含量可控的SiV色心纳米金刚石的制备方法，本发明为了解决现有方法制备的SiV色心纳米金刚石含有较多的晶格缺陷和金属杂质，并且SiV色心纳米金刚石的硅空位色心含量不可控以及形状不规则等问题，包括如下步骤：1、衬底与腔壁清洗；2、硅片掺杂；3、生长参数的调制；4、SiV色心纳米金刚石的生长与收集；5、SiV色心纳米金刚石的测试与表征。通过本发明方法制备得到的SiV色心纳米金刚石是CVD硅空位色心纳米金刚石，此种方法制备得到的SiV色心纳米金刚石无金属杂质和离子辐照造成的晶格缺陷，晶体的品质较高。本发明属于量子纳米材料制备技术领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119736710A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411952927.5
申请日：2024-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈工大郑州研究院 , 河南碳真芯材科技有限公司
Abstract: 基于MPCVD法制备蓝色金刚石的方法，本发明是要解决金刚石生长过程中掺硼致色生长带有灰色调，而电子辐照法需要根据钻石的生长批次进行调整的问题。制备蓝色金刚石的方法：S1、对HPHT金刚石籽晶片预处理，超声清洗硅片和锗片；S2、在预处理籽晶的周围放置清洗后的硅片和锗片，然后进行刻蚀处理；S3、通入甲烷和氢气进行微波等离子体化学气相沉积生长；S4、取出钻石毛坯；S5、切除钻石毛坯表面的多晶；S6、高温高压处理。本发明通过晶体在生长过程中掺入Si和Ge元素，在钻石毛坯中形成SiV和GeV色心，SiV和GeV色心在近红外区的吸收使钻石呈现为蓝色，避免掺入硼元素导致的灰色调，适用于蓝色金刚石批量生产。
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公开(公告)号：CN114032526B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202111328019.5
申请日：2021-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一体化无外接原料气体的高品质金刚石MPCVD生长设备及生长方法，它为了解决现有MPCVD生长设备需要以氢气、甲烷等作为原料气体，气体管路安装复杂的问题。本发明金刚石MPCVD生长设备中反应室内腔腔体套设在反应室外腔腔体内部，反应室内腔腔体的底部与竖直波导管相连通，水平波导管的一端与微波源相连，石墨碳源可控样品台设置在反应室内腔腔体内，石墨碳源可控样品台与竖直波导管同轴设置在石墨碳源可控样品台的上表面开有沟槽，沟槽内装填有石墨碳源，石墨碳源可控样品台的底部设置有升降装置。本发明碳源来自于固态碳源石墨粉末刻蚀，不需要气体碳源外接管路，提高了生长样品的纯度与生长过程的安全性。
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公开(公告)号：CN118448467A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410394378.8
申请日：2024-04-02
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈工大机器人(中山)无人装备与人工智能研究院
IPC: H01L29/812 , H01L29/47 , H01L21/338
Abstract: 本发明提供一种增强型金刚石基场效应晶体管，包括金刚石衬底、源极、漏极、栅极和低功函数金属耗尽层；金刚石衬底上形成有氢终端表面，氢终端表面为金刚石衬底氢化处理得到，氢终端表面接触空气形成导电沟道，源极和漏极设置于导电沟道的两端；低功函数金属耗尽层设置于导电沟道上，并位于源极和漏极之间；低功函数金属耗尽层的功函数小于4.9eV，厚度为5‑50nm，低功函数金属耗尽层与导电沟道形成肖特基接触；低功函数金属耗尽层材质为金、铝、钛、锆、铂、铪及钇中的至少一种；低功函数金属耗尽层上设置有栅电极，低功函数金属耗尽层通过介质层与栅电极导通。本发明的低功函数金属耗尽层与导电沟道形成肖特基接触，夹断沟道实现常关特性，阈值电压稳定。
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公开(公告)号：CN118349866A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410449202.8
申请日：2024-04-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor： 余翔湛 , 郭一澄 , 刘立坤 , 胡智超 , 史建焘 , 葛蒙蒙 , 苗钧重 , 郭明昊 , 高展鹏 , 王钲皓 , 张森 , 陈东鑫 , 程明明 , 张垚 , 张靖宇 , 李岱林 , 傅言晨 , 周杰
IPC: G06F18/23213 , H04L9/40 , H04L61/4511
Abstract: 本发明公开了一种移动应用SNI信息大规模细粒度分类算法，属于网络安全技术领域。解决了现有技术中传统的域名分类方法难以在大规模的SNI结果中剔除无效SNI信息并提取相关特征SNI的问题；本发明基于统计特征对SNI提取结果中确定为无效信息的二级域名进行删除，根据得到的初筛无效二级域名在APP出现的次数，基于预设的阈值条件对特征字符串去重，得到第一次去重结果并采用K‑Means聚类对其去重两次，得到第三次去重结果；遍历第三次去重结果中的重复的SNI数据，对不相似APP的二级域名的SNI去重，对所得结果数据清洗，得到最终特征SNI结果。本发明有效提取了APP的特征SNI，可以应用于加密流量特征识别。
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公开(公告)号：CN117827512A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311814864.2
申请日：2023-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor： 胡智超 , 余翔湛 , 刘立坤 , 史建焘 , 葛蒙蒙 , 苗钧重 , 郭明昊 , 陈东鑫 , 高展鹏 , 郭一澄 , 王钲皓 , 程明明 , 张森 , 李岱林 , 张垚 , 张靖宇 , 傅言晨 , 周杰 , 牟铎
IPC: G06F11/07
Abstract: 本发明公开了一种快速可溯源的多维异常事件根因分析算法，属于数据分析技术领域。解决了现有技术中传统的异常根因分析算法准确率低且兼容性差的问题；本发明通过异常检测筛选出与异常相关的事件，对与异常相关的事件进行初始化并整合为异常相关事件集合；对异常相关事件集合进行聚合约束，根据事件的聚合约束以及关联关系建立了完整的事件聚合图作为统一的事件描述框架；在完整的事件聚合图上搜索定位根因异常事件，通过异常传播与溯源、搜索根因候选节点和根因剪枝，得到最终的根因异常集合。本发明有效地提高了多维异常事件根因分析算法的准确率和兼容性，适用于基础指标和派生指标，可以应用于多维异常事件的快速可溯源根因分析。
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