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公开(公告)号：CN101571886A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910072263.2
申请日：2009-06-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50 , H01L31/101
Abstract: 量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法，它涉及一种量子阱红外探测器材料结构的设计方法。针对采用常规量子阱红外探测器材料的分子束外延方法，材料生长速率慢、成本高、不宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化问题。方法是：建立物理模型、求解特征能级和波函数、求解总电子密度、利用泊松方程求解新的静电势能、静电势能判断、输出结果、预制微扰自洽迭代。量子阱探测器的结构设计包含了势阱厚度、势垒厚度、势垒高度(铝的含量)、掺杂浓度及总周期数等参数，本发明能结合特定探测器性能要求，综合考虑各种因素确定所需生长的具体的量子阱红外探测器材料，并具有材料生长速率快、成本低、适宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101572278B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200910072199.8
申请日：2009-06-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 光导型双色紫外红外探测器及其制备方法，它涉及一种双色紫外红外探测器结构及其制备方法。本发明解决了现有的同时探测红外和紫外信号的双色红外紫外探测器的结构复杂及探测成本高的问题。探测器结构是在蓝宝石衬底外延依次生长有AlN层、GaN层、GaN/Alx1Ga1-x1N多量子阱、GaAs过渡层、GaAs/Alx2Ga1-x2As多量子阱和GaAs盖层；方法：1.蓝宝石衬底置于分子束外延系统中进行氮化；2.在蓝宝石衬底上生长AlN层；3.在AlN层上生长GaN层；4.在GaN层生长GaN/Alx1Ga1-x1N多量子阱；5.在GaN/Alx1Ga1-x1N多量子阱上生长GaAs；6.在GaAs上生长GaAs/Alx2Ga1-x2As多量子阱；7.GaAs/Alx2Ga1-x2As多量子阱生长GaAs盖层即得双色紫外红外探测器结构。本发明光导型双色紫外红外探测器结构简单，探测成本低。
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公开(公告)号：CN101572278A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910072199.8
申请日：2009-06-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 光导型双色紫外红外探测器及其制备方法，它涉及一种双色紫外红外探测器结构及其制备方法。本发明解决了现有的同时探测红外和紫外信号的双色红外紫外探测器的结构复杂及探测成本高的问题。探测器结构是在蓝宝石衬底外延依次生长有AlN层、GaN层、GaN/Alx1Ga1－x1N多量子阱、GaAs过渡层、GaAs/Alx2Ga1－x2As多量子阱和GaAs盖层；方法：一、蓝宝石衬底置于分子束外延系统中进行氮化；二、在蓝宝石衬底上生长AlN层；三、在AlN层上生长GaN层；四、在GaN层生长GaN/Alx1Ga1－x1N多量子阱；五、在GaN/Alx1Ga1－x1N多量子阱上生长GaAs；六、在GaAs上生长GaAs/Alx2Ga1－x2As多量子阱；七、GaAs/Alx2Ga1－x2As多量子阱生长GaAs盖层即得双色紫外红外探测器结构。本发明光导型双色紫外红外探测器结构简单，探测成本低。
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公开(公告)号：CN108415015B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201810209413.9
申请日：2018-03-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01S13/90
Abstract: 一种稀疏孔径下舰船目标三维InISAR成像方法，本发明涉及回波丢失情况下舰船目标的三维InISAR成像方法。本发明的目的是为了解决当雷达接收回波不完整，导致对舰船目标上各散射进行三维几何重建的精度低的问题。过程为：一、假设雷达A，B，C接收到目标的稀疏孔径回波；二、估计平动分量的最优值，并对回波进行补偿；三、得到平动补偿后的一维距离像；四、估计相位误差和波程差，并利用估计值对一维距离像进行补偿；五、通过方位向压缩得到雷达A、B、C的ISAR图像；五、对雷达A，B，C的ISAR图像分别沿两基线进行干涉处理，结合测距信息实现稀疏孔径下舰船目标的三维InISAR重建图。本发明用于雷达技术领域。
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公开(公告)号：CN108415015A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810209413.9
申请日：2018-03-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01S13/90
Abstract: 一种稀疏孔径下舰船目标三维InISAR成像方法，本发明涉及回波丢失情况下舰船目标的三维InISAR成像方法。本发明的目的是为了解决当雷达接收回波不完整，导致对舰船目标上各散射进行三维几何重建的精度低的问题。过程为：一、假设雷达A，B，C接收到目标的稀疏孔径回波；二、估计平动分量的最优值，并对回波进行补偿；三、得到平动补偿后的一维距离像；四、估计相位误差和波程差，并利用估计值对一维距离像进行补偿；五、通过方位向压缩得到雷达A、B、C的ISAR图像；五、对雷达A，B，C的ISAR图像分别沿两基线进行干涉处理，结合测距信息实现稀疏孔径下舰船目标的三维InISAR重建图。本发明用于雷达技术领域。
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公开(公告)号：CN101571886B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910072263.2
申请日：2009-06-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F17/50 , H01L31/101
Abstract: 量子阱红外探测器材料结构的模拟设计方法，它涉及一种量子阱红外探测器材料结构的设计方法。针对采用常规量子阱红外探测器材料的分子束外延方法，材料生长速率慢、成本高、不宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化问题。方法是：建立物理模型、求解特征能级和波函数、求解总电子密度、利用泊松方程求解新的静电势能、静电势能判断、输出结果、预制微扰自洽迭代。量子阱探测器的结构设计包含了势阱厚度、势垒厚度、势垒高度(铝的含量)、掺杂浓度及总周期数等参数，本发明能结合特定探测器性能要求，综合考虑各种因素确定所需生长的具体的量子阱红外探测器材料，并具有材料生长速率快、成本低、适宜对外延生长工艺做大量调整和实时优化的优点。
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