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公开(公告)号：CN108470807A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810106850.8
申请日：2018-02-02
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L33/14
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光二极管的外延装置，该装置包括依次接触的N电极、N型半导体接触层、N型半导体导电层、发光层、P型半导体导电层、P型半导体接触层和P电极；所述N电极与N型半导体接触层之间的界面接触电阻，通过N型半导体接触层的掺杂浓度进行调节；或P电极与P型半导体接触层之间的界面接触电阻，通过P型半导体接触层的掺杂浓度进行调节。本发明在半导体的表面与金属电极接触的界面改善电流扩展，由于金属与半导体的接触非常敏感，界面的电导性易于调控，外延中仅需很薄的一层，就可以实现电流扩展的显著改善，且器件电压的升高幅度较小。
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公开(公告)号：CN107170866A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710284866.3
申请日：2017-04-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多光谱发光二极管结构，包含：衬底和半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层n型半导体层、一层p型半导体层和多光谱发光多量子阱层；特征是：所述多光谱发光多量子阱层由量子阱禁带宽度不同的两组或三组层叠排列的多量子阱发光单元组成，可以同时出射两种或三种波长的光，任意两种波长的光之间的波长差为λ，其中100nm≥λ≥10nm；所述多量子阱发光单元是由量子阱层和量子垒层组成的周期结构，周期数为k；所述多量子阱发光单元的发光波长由其量子阱禁带宽度决定，发光波长范围为380nm─700nm。本发明能在单芯片内直接出射多光谱，可使五基色白光封装所用芯片颗粒数大幅下降，对灯珠的电路设计、光学设计以及混光提供了很大的设计窗口。
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公开(公告)号：CN105870286A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610253193.0
申请日：2016-04-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/08
Abstract: 本发明公开了一种带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构及其制备方法，该结构包括衬底和依次层叠在所述衬底上的缓冲层、n型层、有源层和P型层，所述有源层包括多层结构和发光单元，发光单元包括发射3?10个发光波长的多量子阱发光区域，多层结构存在V坑，V坑产生于多层结构，贯穿多量子阱发光区域。用本发明的方法获得的带V坑多量子阱多波长的GaN基LED外延结构可以解决现有主流白光LED存在的荧光粉寿命偏短、色温偏高、显色指数偏低以及蓝光短波长部分危害等问题，实现无荧光粉的单芯片LED发白光。
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公开(公告)号：CN103594579B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201310543241.6
申请日：2013-11-06
Applicant: 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物发光二极管的外延结构，它包括衬底，依次形成于衬底上的缓冲层、n型层，多量子阱层和p型层，特征是：所述n型层由从下向上依次叠加的n型GaN层、n型层内应力释放层、n型层内势垒阻挡层和n型层内电子注入层组成。p层由p-AlxInyGa1-x-yN：Mg构成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。所述n型层内势垒阻挡层由AlxGa1-xN构成，且不掺杂，可避免发光二极管在正向导通和承受反向电压时在V形坑处形成漏电流，从而大大提高其可靠性。本发明将提高LED可靠性的方法融于材料生长过程中，不引入新的制造工序，不增加器件的制造成本且不影响器件制造的合格率。
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公开(公告)号：CN103594579A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310543241.6
申请日：2013-11-06
Applicant: 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种氮化物发光二极管的外延结构，它包括衬底，依次形成于衬底上的缓冲层、n型层，多量子阱层和p型层，特征是：所述n型层由从下向上依次叠加的n型GaN层、n型层内应力释放层、n型层内势垒阻挡层和n型层内电子注入层组成。p层由p-AlxInyGa1-x-yN：Mg构成，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。所述n型层内势垒阻挡层由AlxGa1-xN构成，且不掺杂，可避免发光二极管在正向导通和承受反向电压时在V形坑处形成漏电流，从而大大提高其可靠性。本发明将提高LED可靠性的方法融于材料生长过程中，不引入新的制造工序，不增加器件的制造成本且不影响器件制造的合格率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103560193A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310383588.9
申请日：2013-08-29
Applicant: 南昌黄绿照明有限公司 , 南昌大学
Abstract: 本发明公开了一种低成本的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法，其结构包括：基板层，生长衬底上的外延层被转移至所述基板层之上；基板层与外延层之间，由上至下依次有阻挡保护层、稀释保护层和黏结层；N电极位于外延层之上。它利用由多种金属或合金的叠层构成的稀释保护层和阻挡保护层，克服了低成本、低熔点金属作为黏结层材料存在的抗腐蚀能力差、扩散能力强等易破坏发光二极管结构及光电性能等问题，从而可代替贵金属作为热压黏合材料，一方面极大减低了垂直式发光二极管的制备成本，另一方面较低的热压温度及压力，减小热压自身的残余应力，使器件的光电性能和可靠性得到提高。本发明主要用于半导体发光器件上。
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公开(公告)号：CN109360880B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201811234462.4
申请日：2018-10-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料，自下而上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、第一腐蚀阻挡层、第二腐蚀阻挡层、第一N型粗化层、第二N型粗化层、N型限制层、N侧空间层、多量子阱发光区、P侧空间层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层。本发明还公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料的制备方法。通过本发明可直接在第一N型粗化层上制备N电极，消除了欧姆接触层的光吸收问题，还可提高N电极的粘附性，简化N面出光AlGaInP LED薄膜芯片制备工艺，有效提高芯片指标并降低成本。
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公开(公告)号：CN106783821B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201611214568.9
申请日：2016-12-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/48
Abstract: 本发明公开了一种无荧光粉的全光谱LED封装结构及其封装方法。该LED封装结构不使用荧光粉，通过多基色LED芯片直接合成白光。LED芯片包含AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构黄光LED芯片、高光效垂直结构绿光LED芯片、高光效垂直结构青光LED芯片和高光效垂直结构蓝光LED芯片，AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构红光LED芯片和高光效垂直结构橙光LED芯片。该全光谱LED封装方法，采用多基色LED芯片直接合成白光，全光谱出光具有更理想的光色品质，避免了荧光粉的使用，简化封装工艺，同时提高封装模块的可靠性，同时解决传统封装方法出光蓝光过多、青光缺失和红光不足的缺陷。
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公开(公告)号：CN109873062B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201910083328.7
申请日：2019-01-29
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种带有复合反射镜的AlGaInP红色发光二极管器件结构，是常规AlGaInP红色发光二极管的反射镜层改成复合反射镜层，复合反射镜层分成反射区、电极和粘附区，反射区由介质层和反射金属组成，介质层的介质材料的折射率在1.0‑2.5之间，电极为金属，材料和接触的半导体材料有关，对p型GaP，电极的金属材料为Au或AuZn合金或二者的叠层，或者，电极的金属材料为Ag或NiAg叠层或TiAg叠层；对n型GaAs，电极的金属材料为Ni、Au和Ge三种金属的叠层或者两种或两种以上的合金；粘附区的粘附材料为Cr、Ti、Ni、Mg、Fe以及TiW中的一种。本发明具有能提高反射镜的反射率、器件的出光效率和电光转换效率、同时保证反射镜结构具有很好的粘附性和可靠性的优点。
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公开(公告)号：CN110246831A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910433150.4
申请日：2019-05-23
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L23/60 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种具有抗静电层的III族氮化物半导体外延结构，依次包括：III族氮化物半导体外延结构前端部分、AlxGa(1-x)N抗静电层和III族氮化物半导体外延结构后续部分，III族氮化物半导体外延结构前端部分内的穿透位错线位置处形成由平面和倒六角锥状坑组成的倒六角锥结构，AlxGa(1-x)N抗静电层形成于所述倒六角锥结构之上。AlxGa(1-x)N抗静电层在倒六角锥状坑侧壁的厚度显著大于其在平面上的厚度，且在倒六角锥状坑锥底位置填充了AlxGa(1-x)N并形成一个平台，使得穿透位错线在倒六角锥状坑底部附近形成远高于倒六角锥结构平面位置的电阻，从而大幅提升III族氮化物半导体外延结构的抗静电性能，使之接近无穿透位错的III族氮化物应有的高抗静电能力。
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