-
公开(公告)号：CN109234807B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201810614845.8
申请日：2018-06-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种可拉伸晶体半导体纳米线及其制备方法，所述可拉伸晶体半导体纳米线具有细长的主体，所述纳米线直径在20‑200纳米之间，所述纳米线为为晶态无机半导体结构。所述可拉伸晶体半导体纳米线为弯曲结构，在轴向方向具有多个可拉伸单元，所述多个可拉伸单元依次连接，从而形成可拉伸晶体半导体纳米线。本发明采用IP‑SLS等方法在PECVD中生长沟道台阶引导的纳米线，并利用现代微加工技术进行制作成弹簧结构晶体纳米线阵列。由于此类纳米线与引导沟道截面可以有效调节，可以进一步进行剥离和转移到其他柔性衬底之上。本发明制备弹簧结构晶体纳米线的方法在柔性电子领域、传感器的应用方面有着广阔的前景。
-
公开(公告)号：CN111540806A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010392107.0
申请日：2020-05-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/12 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L33/06 , H01L33/26 , H01L33/28 , H01L33/30 , A61B5/00 , A61B5/024 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开一种全面屏集成脉搏传感器，包括设置于电子产品上的显示面板，还包括位于所述显示面板上方或下方的传感器层，所述传感器层包括硅锗纳米线径向结、量子点层以及透明底电极；所述显示面板设置有正常显示区域和脉搏传感器阵列区；所述硅锗纳米线径向结呈阵列分布于所述量子点层上方的所述透明底电极上，所述透明底电极与电子产品的锁相放大器连接。
-
公开(公告)号：CN111439722A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010254025.X
申请日：2020-04-02
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种微测辐射热计，包括水平分布的平面半导体晶态纳米线阵列以及从下至上依次叠层于所述平面半导体晶态纳米线阵列上方的非晶硅层和氮化硅层，所述平面半导体晶态纳米线的两端设有金属电极。本发明改变了目前常见的微测辐射热计器件的结构，采用悬空的晶态纳米线作为支撑，悬空非晶硅(敏感层)氮化硅(光敏感层)，由于悬空晶态纳米线表面对热传导的限制，使得探测岛区能够很好地获得热绝缘，同时由于纳米线具有较低的电阻率，也可作为导电通道，极大的提高器件热性能到电性能的转变。
-
公开(公告)号：CN110767537A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911071316.9
申请日：2019-11-05
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种制备三维超可拉伸晶态纳米线的方法，1)利用PECVD或者PVD在衬底上淀积一层绝缘介质层作为牺牲层，2)利用光刻、电子束直写定义周期台阶边缘图案，利用干法或湿法交替刻蚀工艺刻蚀介质层形成垂直台阶侧壁；3)用腐蚀性液体处理台阶表面，形成波浪形台阶；4)再次光刻电子束直写或者掩膜板技术定义垂直于台阶的图案以及刻蚀技术进行制备垂直于台阶的二次引导沟道；5)通过光刻、蒸发或者溅射工艺，局部淀积一层带状的催化金属层；6)催化金属层转变为分离的金属纳米颗粒；7)将温度降低到催化金属颗粒熔点以下，将整个结构表面淀积覆盖非晶半导体前驱体薄膜层；淀积出晶态的纳米线；纳米线将沿波浪台阶的引导沟道生长。
-
公开(公告)号：CN109904308A
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201910191517.6
申请日：2019-03-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过纳米线环结构实现电操控磁读写存储功能的方法，首先，在衬底上利用光刻和刻蚀技术定义所需要的纳米线引导生长沟道的图案；通过金属液滴引导的生长模式，顺延引导台阶边缘生长纳米线形成纳米环结构；然后，在样品表面蒸镀或者涂布一层磁性薄膜材料，仅保留纳米环附近的磁性薄膜材料；在纳米线两端利用制备电极；最后，通过在纳米线中通过适当电流，可在纳米环中产生感应磁场，使得磁性薄膜中的磁畴发生定向翻转，从而实现对磁性介质的电操控“写入”操作，反之亦可实现相应的擦除；本发明由于消除了对移动读写磁头的需求，此电操控磁读写单元可以在垂直方向上实现多层堆叠，从而实现高密度的3D存储应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109850843A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910193940.X
申请日：2019-03-14
Applicant: 南京大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种悬空纳米线机械手批量制备方法，包括：基于IPSLS生长模式制备得到生长于光刻定义的坡面台阶边缘的纳米线阵列，而后在生长有硅纳米线的衬底上旋涂一层氧树脂胶体，并进行光刻图案的操作，再用湿法刻蚀除去衬底表面的非晶硅介质层，使得粘住纳米线阵列的环氧树脂胶体薄膜悬浮于溶液表面，与乙醇充分置换后利用干燥技术，即可制备得到自组装的悬空纳米线机械手阵列。本发明利用转移技术和临界点干燥技术将纳米线阵列转移至已光刻的可自支撑衬底，消除溶液表面张力的影响，保持纳米线机械手的原貌，最后得到可操作的悬空纳米线机械手阵列，可广泛应用于纳米机器人、生物医学的细胞检测和生物传感器等多种领域。
-
公开(公告)号：CN108217591A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810006832.2
申请日：2018-01-04
Applicant: 南京大学
CPC classification number: B82B3/0014 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了利用异质交替叠层台阶引导生长三维坡面纳米线阵列的方法，1)采用晶硅、玻璃、聚合物或者介质层薄膜覆盖的金属薄膜作为衬底，在衬底上淀积异质交替的介质薄膜层；2)利用光刻、电子束直写或掩模板技术实现平面图案，利用电感耦合等离子体刻蚀或者反应离子体刻蚀RIE刻蚀整个淀积层形成刻蚀面；3)对所形成的刻蚀面进行刻蚀处理，形成凹凸交替的陡直侧壁台阶或多级倾斜坡面台阶结构；4)在坡面台阶，利用光刻、蒸发或者溅射金属淀积工艺，制备催化金属层；5)将温度降低到金属催化颗粒熔点以下，整个结构表面淀积覆盖与所需生长纳米线相应非晶半导体前驱体薄膜层；再将温度提高到适当温度以上，使得纳米金属颗粒重新融化，在前端开始吸收非晶层，而在后端淀积出晶态的纳米线。
-
公开(公告)号：CN104634830A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510038531.4
申请日：2015-01-26
Applicant: 南京大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种以甲烷为被测气体的PMMA-SnO2基薄膜气敏传感器，采用绝缘基底/PMMA-SnO2薄膜/电极结构，其中PMMA作为粘合剂，与带有SnO2量子点的有机溶剂混合形成旋涂液，通过旋涂形成PMMA-SnO2薄膜；薄膜结构采用的气敏材料是SnO2纳米颗粒，SnO2纳米颗粒的直径约为20±5nm。薄膜导电性良好，制备工艺简单，成本低；对附着的衬底要求不高，只需要旋涂到绝缘衬底上即可。值得一提的是，该薄膜传感器在较低的该温度下(50℃)，依然对甲烷保持着较高的响应灵敏度。
-
公开(公告)号：CN103943724A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410155446.1
申请日：2014-04-17
Applicant: 南京大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种柔性高效晶体硅太阳电池及其制造方法，先在晶体硅衬底上制作至适宜的正面结构，制作保护层将正面结构保护好，用化学刻蚀方法从背面将衬底减薄至呈现柔性，去除保护层，再制作背面结构及完善正面结构；衬底为晶体硅；完整的正面结构为陷光化/发射区/钝化减反层/正面电极；保护层在化学刻蚀体系中具有优良的耐腐蚀性，稳定性，完整性；化学刻蚀方法从背面将衬底减薄至一定厚度，表现出优良的柔性；背面结构为背面场/钝化层/背面电极。本发明实现了用晶体硅作为柔性电池的吸收基区，具有优良的光电性能，是获得高效柔性电池的基础。
-
公开(公告)号：CN119833705A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510099744.1
申请日：2025-01-22
Applicant: 南京大学
IPC: H01M10/052 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H01M10/058 , H01M4/13 , H01M4/139
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米线间隙结构的微纳电池，包括衬底，所述衬底表面原位生长有正、负电极，所述正、负电极的相对端部及间隙间设有液态或固态电解质，所述正、负电极的外端部分别沉积有金属集流体。本发明通过原位生长技术定位纳米线电极，实现纳米到微米尺度的精确电极间距控制，显著减小了电池尺寸，适合微纳电子器件功能与大规模高密度微电池集成应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
100
records
(took 0.042 seconds)
