一种检测甲烷的PMMA-二氧化锡基薄膜气敏传感器

    公开(公告)号:CN104634830A

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201510038531.4

    申请日:2015-01-26

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种以甲烷为被测气体的PMMA-SnO2基薄膜气敏传感器,采用绝缘基底/PMMA-SnO2薄膜/电极结构,其中PMMA作为粘合剂,与带有SnO2量子点的有机溶剂混合形成旋涂液,通过旋涂形成PMMA-SnO2薄膜;薄膜结构采用的气敏材料是SnO2纳米颗粒,SnO2纳米颗粒的直径约为20±5nm。薄膜导电性良好,制备工艺简单,成本低;对附着的衬底要求不高,只需要旋涂到绝缘衬底上即可。值得一提的是,该薄膜传感器在较低的该温度下(50℃),依然对甲烷保持着较高的响应灵敏度。

    一种外延定向生长、转移和集成平面半导体纳米线的方法

    公开(公告)号:CN105239156A

    公开(公告)日:2016-01-13

    申请号:CN201510586924.9

    申请日:2015-09-15

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 外延定向生长、转移和集成平面半导体纳米线的方法,步骤如下:1)对晶体衬底处理,去掉表面氧化层;2)蒸镀In、Sn诱导金属膜,生长出金属膜图案,膜厚度在几个纳米到几十个纳米;3)在PECVD系统中利用等离子体处理技术,在温度200℃-500℃、功率2W-50W时进行处理,使金属膜收缩成为直径在几十纳米到几微米之间的准纳米金属催化颗粒;4)继续在PECVD系统中覆盖生长一层几纳米至几百纳米的非晶硅层作为前驱体介质层;5)非晶硅层在真空中或非氧化性气氛中退火,利用IP-SLS生长模式在非晶硅层生长获得外延硅或锗纳米线。为基于平面半导体纳米线的场效应晶体管、传感器和光电器件提供了关键技术。

    一种制备高质量柔性单晶硅纳米线的方法

    公开(公告)号:CN105177706A

    公开(公告)日:2015-12-23

    申请号:CN201510502869.0

    申请日:2015-08-17

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 一种制备高质量柔性平面zigzag单晶硅纳米线的方法,1)、在平整的衬底上,利用光刻或其他图案选择定位技术,在选位区域蒸镀Sn或In等诱导金属膜,作为纳米线生长的初始位置;2)在PECVD系统中利用等离子体处理技术,在温度200℃-500℃、功率2W-50W时用氢气的等离子处理样品,使金属膜成为直径在几十纳米到几微米之间的准纳米催化颗粒;3)、在PECVD系统中覆盖一层适当厚度的非晶硅层作为前驱体介质层;4)、在真空中或者氢气、氮气等非氧化性气氛中退火,激活的催化颗粒自发吸收周围的非晶硅,析出晶态硅,同时纳米线的生长方向发生周期性的变化,从而生长出zigzag形晶态纳米线。

    一种制备珠串形单晶硅纳米线的方法

    公开(公告)号:CN105529242B

    公开(公告)日:2018-02-06

    申请号:CN201510504801.6

    申请日:2015-08-17

    Applicant: 南京大学

    Abstract: 本发明公开了一种制备平面珠串形单晶硅纳米线的方法,1)在平整的衬底上,在定位区域蒸镀In、Sn或Bi诱导金属膜,即为纳米线生长的初始位置;2)将上述衬底放入PECVD系统腔内,在温度200℃‑500℃,氢气等离子体处理样品5‑30分钟后,金属膜会形成大量几十纳米到几微米之间不同尺寸的准纳米催化金属颗粒;3)在PECVD系统中,覆盖一层适当厚度(几纳米至几百纳米)的非晶硅层作为前驱体介质层;4)在真空中或者氢气、氮气等非氧化性气氛中退火,催化金属颗粒会被激活,自发吸收非晶硅,析出单晶硅,同时直径发生周期性变化,生长出珠串形纳米线。

    一种制备珠串形单晶硅纳米线的方法

    公开(公告)号:CN105529242A

    公开(公告)日:2016-04-27

    申请号:CN201510504801.6

    申请日:2015-08-17

    Applicant: 南京大学

    CPC classification number: H01L21/02 B82Y30/00 B82Y40/00

    Abstract: 本发明公开了一种制备平面珠串形单晶硅纳米线的方法,1)在平整的衬底上,在定位区域蒸镀In、Sn或Bi诱导金属膜,即为纳米线生长的初始位置;2)将上述衬底放入PECVD系统腔内,在温度200℃-500℃,氢气等离子体处理样品5-30分钟后,金属膜会形成大量几十纳米到几微米之间不同尺寸的准纳米催化金属颗粒;3)在PECVD系统中,覆盖一层适当厚度(几纳米至几百纳米)的非晶硅层作为前驱体介质层;4)在真空中或者氢气、氮气等非氧化性气氛中退火,催化金属颗粒会被激活,自发吸收非晶硅,析出单晶硅,同时直径发生周期性变化,生长出珠串形纳米线。

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