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公开(公告)号：CN102064276A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010528582.2
申请日：2010-11-01
Applicant: 华中科技大学 , 山东华芯半导体有限公司
Abstract: 本发明属于公开了一种非对称相变存储器单元及器件，包括由下至上依次叠置的下电极层、第一绝缘层、相变层、第二绝缘层和上电极层；第一绝缘层开有小孔，小孔宽度为10nm～4um；相变层通过第一绝缘层上的小孔与下电极层相接触，第二绝缘层也开有小孔，小孔宽度为10nm～5um，上电极通过第二绝缘层上的小孔与相变层接触。其核心结构特征在于第一绝缘层上小孔的中轴线、第二绝缘层上小孔的中轴线以及下电极层的中轴线任意两条互不重合。本发明提供的非对称相变存储器单元及器件能够使存储器具有较好的热学性能，进而能在保持器件原有性能的同时降低功耗。
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公开(公告)号：CN120013842A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510209206.3
申请日：2025-02-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于半导体光电器件与智能视觉领域，具体公开了一种非线性卷积视觉获取方法及系统；系统包括若干由非线性单元构成的非线性卷积核；非线性单元为将输入信号以一种非线性函数的形式转化为输出信号的处理单元；一个非线性单元作为一个卷积核像素单元；非线性函数为包括系数项和指数项的指数函数，或包括系数项和底数项的对数函数；非线性单元中的系数项的选取用于实现对图像的高通或低通滤波；底数项或指数项的选取用于实现对图像的对比度调节。本申请可以在一个非线性卷积核的计算过程中既实现基于非线性项的对比度提升以完成暗部图像的增强，又实现基于系数项的低通滤波和高通滤波功能完成高斯去噪和边缘提取等功能。
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公开(公告)号：CN119767679A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411867049.7
申请日：2024-12-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提出了一种TiN掺杂Si3N4存储层的电荷俘获型存储器的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：S1，清洗衬底，随后在衬底表面沉积隧穿层；S2，在隧穿层表面沉积m层Si3N4薄膜和p层TiN薄膜，将这一过程重复x次，最后再沉积n层Si3N4薄膜得到TiN掺杂Si3N4的存储层；其中25≤m≤50，25≤n≤50，p＝1，5≤x≤11；S3，在存储层表面沉积阻挡层，随后在阻挡层表面蒸镀Al电极。本发明通过对存储层Si3N4薄膜掺杂TiN，提供了更多的电荷陷阱，提高了存储层电荷陷阱密度，与未掺杂的对照组相比，存储窗口更大，器件疲劳特性更好，保持性能优异，极大提高电荷俘获型存储器的可靠性。
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公开(公告)号：CN119012904A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411117456.6
申请日：2024-08-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10N70/20 , H10N70/00 , G01N27/416
Abstract: 本申请提供了一种气体感算一体突触器件及其制备方法，属于纳米电子器件技术领域，器件包括：第一功能层、阻挡层、第二功能层、第一金属电极和第二金属电极；第一功能层为重掺杂硅；第二功能层采用CuOx材料，使其存在间隙氧和铜空位形成的缺陷能级；阻挡层增加第二功能层与测试气体的接触面积；第一金属电极和第二金属电极之间施加直流电压扫描，模拟忆阻器阻变行为；第二功能层与测试气体发生反应，实现对测试气体的感知功能；第一金属电极和第二金属电极之间施加恒定电压信号，在气体脉冲环境下，电流响应状态呈现突触响应；本申请能够实现气体信息的原位传感与处理，提高信息处理效率，且气体感算一体器件气体信息推算方法更简单。
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公开(公告)号：CN118966118A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411017907.9
申请日：2024-07-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/367 , H03K17/28
Abstract: 本申请提供了一种硫系阈值转变器件的仿真电路，属于电子仿真技术领域，仿真电路包括：阈值切换模块、阈值比较模块、延时模块和阻变模块；阈值切换模块用于在数据选择端输入的阈值比较模块的输出电压驱动下，选择两输入端中的一个输入端的输入电压传输至阈值比较模块的反相输入端；阈值比较模块用于比较同相输入端与反相输入端的电压，输出不同的输出电压；延时模块用于通过对阈值比较模块的输出电压在时域波形上进行延时，输出阻变控制电压；阻变模块用于受到阻变控制电压调控，模拟硫系阈值转变器件的阈值转变过程。本申请能够很好契合实际器件的直流和脉冲特性，具有电路结构简单，仿真精度高以及高效可靠的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118613146A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410756219.8
申请日：2024-06-13
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种氮化硅电荷俘获型忆阻器及其制备方法，其中，该忆阻器中的功能层设置为三层，上下两层为SiO2，中间层为SiNX；忆阻器通过低温退火工艺处理，使得功能层中的SiNX形成硅悬挂键，硅悬挂键为俘获和释放电荷的陷阱；忆阻器利用电荷在SiNX陷阱中的俘获和释放机制实现电阻的变化。本申请提供的忆阻器没有导电丝随机性生长带来的一致性问题，且不需要大电压Forming过程，具有较高的一致性和应用前景；并且该忆阻器可实现可靠的多值存储和脉冲突触特性；另外，采用氮化硅作为核心阻变材料，具有成本低、易获取、与CMOS工艺更加兼容的优点。
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公开(公告)号：CN114912253B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202210423142.3
申请日：2022-04-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种相变储存材料中掺杂材料与基体材料的选配方法，属于相变存储技术领域，其依次基于以下原则进行选配：基于基体材料低熔点原则，基于掺杂材料择优成键原则，基于掺杂材料间隙掺杂原则，基于自发析出原则选配掺杂元素，基于界面热稳定原则，综合以上原则，选配掺杂元素，采用电热仿真方式预测界面对焦耳热量的影响，热量越高且越集中则认为材料体系越优，采用第一性原理仿真，预测析出相界面对原子迁移的影响，从而预测器件的循环耐久性能。本发明通过理论计算与预测确定材料类型及掺杂效果，可以大幅度减少实验上材料和器件制备工艺、微观分析及器件测试的工作量，节省自析出掺杂相变材料及器件的研发成本，提高研发效率。
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公开(公告)号：CN117156962A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311294770.7
申请日：2023-10-07
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种人工非尖峰中间神经元器件及其制备方法，属于纳米电子器件技术领域，器件包括第一金属层、第一功能层、第二功能层和第二金属层；第一功能层采用重掺杂硅；第二功能层采用CuOx材料；第一金属层与第一功能层形成欧姆接触，第二金属层与第二功能层形成欧姆接触；通过在第一、二金属层上施加不同的电压信号，改变器件电阻状态，模拟非尖峰神经元对信息的过滤作用、对输入信号频率整合、输入信号幅值整合和放大，对模拟信号的传递过程模拟以及对输入信号的自适应响应模拟。本发明的人工非尖峰中间神经元器件能增强人工硬件神经网络中的硬件丰富度，有利于人工神经网络处理更复杂的任务。
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公开(公告)号：CN113628654B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202110786681.9
申请日：2021-07-12
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00 , G02F3/00 , H03K19/173
Abstract: 本发明公开了一种Y分支型相变全光布尔逻辑器件及其全二元逻辑实现方法，包括一个Y分支结构的波导和覆盖于波导上方的相变功能单元；逻辑实现方法上采用功率较大的光脉冲对相变功能单元进行写入操作，使之升温并产生晶化或非晶化的相变，从而出现两种状态下光学性质上的差异；采用功率较小的光脉冲对相变功能单元的状态进行读取，同时不改变相变材料的状态。通过对输入逻辑信号分别进行定义，以及定义三个操作步骤，可以实现操作方式可重构逻辑，通过分步操作，在该简单结构中实现全16种二元布尔逻辑计算。本发明通过操作方式可重构的解决方法，实现16种二元布尔逻辑计算功能，大大提高了逻辑计算的工作效率。
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