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公开(公告)号：CN118398051A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410368334.8
申请日：2024-03-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于神经形态计算技术领域，具体公开了一种优化相变存储器阵列中相变存储器电导漂移的补偿电路，该补偿电路包括多个电流转电压电路，电流转电压电路包括放大器和第一相变存储器，各放大器的反向输入端与相变存储器阵列中相对应的行线相连，各放大器的正向输入端接地，各放大器的输出端均通过相对应的第一相变存储器与其反向输入端相连；其中，相变存储器阵列中的相变存储器的电导值被写入后，将第一相变存储器初始化，通过写验证操作，使第一相变存储器调整为一固定阻值。本申请能有效补偿相变存储器的电导漂移，从而达到提高相变存储器神经网络长时处理能力的目的。
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公开(公告)号：CN120013842A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202510209206.3
申请日：2025-02-25
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于半导体光电器件与智能视觉领域，具体公开了一种非线性卷积视觉获取方法及系统；系统包括若干由非线性单元构成的非线性卷积核；非线性单元为将输入信号以一种非线性函数的形式转化为输出信号的处理单元；一个非线性单元作为一个卷积核像素单元；非线性函数为包括系数项和指数项的指数函数，或包括系数项和底数项的对数函数；非线性单元中的系数项的选取用于实现对图像的高通或低通滤波；底数项或指数项的选取用于实现对图像的对比度调节。本申请可以在一个非线性卷积核的计算过程中既实现基于非线性项的对比度提升以完成暗部图像的增强，又实现基于系数项的低通滤波和高通滤波功能完成高斯去噪和边缘提取等功能。
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公开(公告)号：CN118116436A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410368332.9
申请日：2024-03-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种提高相变存储器阵列突触权重精度的结构及其写入方法，该结构用一个高位相变存储器和一个低位相变存储器组成的相变存储器组和一个参考行固定相变存储器表示神经网络的一个突触权重，高位相变存储器有n个电导态，低位相变存储器有n个电导态，将低位相变存储器行线上的输出电流用电流镜缩小n倍，然后与高位相变存储器的电流相加，因此，该结构实现的突触有n2个电导态，可大大提高神经突触的精度；同时，本申请基于上述提高相变存储器阵列突触权重精度的结构，还提出了两步写验证操作的写入方法，采用该结构和写入方法可使相变存储器的电导与目标电导之间的误差降低为传统写验证方法的1/n。
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