公开(公告)号：CN119767679A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411867049.7

申请日：2024-12-18

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘璐 ,  江春阳 ,  朱元慧 ,  梁秋雯 ,  程晓敏 ,  徐静平

IPC: H10B43/30 ,  H10D64/68 ,  H10D64/27 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提出了一种TiN掺杂Si3N4存储层的电荷俘获型存储器的制备方法。所述制备方法包括以下步骤：S1，清洗衬底，随后在衬底表面沉积隧穿层；S2，在隧穿层表面沉积m层Si3N4薄膜和p层TiN薄膜，将这一过程重复x次，最后再沉积n层Si3N4薄膜得到TiN掺杂Si3N4的存储层；其中25≤m≤50，25≤n≤50，p＝1，5≤x≤11；S3，在存储层表面沉积阻挡层，随后在阻挡层表面蒸镀Al电极。本发明通过对存储层Si3N4薄膜掺杂TiN，提供了更多的电荷陷阱，提高了存储层电荷陷阱密度，与未掺杂的对照组相比，存储窗口更大，器件疲劳特性更好，保持性能优异，极大提高电荷俘获型存储器的可靠性。

公开(公告)号：CN119767678A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411866864.1

申请日：2024-12-18

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘璐 ,  江春阳 ,  朱元慧 ,  梁秋雯 ,  程晓敏 ,  徐静平

IPC: H10B43/30 ,  H10D64/68 ,  H10D64/27 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，提出了一种基于铪铝氧化物复合介质为阻挡层的电荷俘获型闪存存储器及其制备方法。所述存储器包括：Si衬底、隧穿层Al2O3薄膜、存储层Si3N4薄膜、阻挡层和Al电极层；所述隧穿层、存储层、阻挡层依次沉积在Si衬底表面，在所述阻挡层的表面蒸镀Al电极层；所述阻挡层为周期性交叠沉积生长HfO2和Al2O3形成铪铝氧化物复合介质薄膜。本发明通过周期性交叠沉积HfO2和Al2O3以形成不同Hf/Al元素比的HfO2‑Al2O3原子叠层结构，这种生长方式有利于Hf‑O与Al‑O之间元素扩撒和缺陷的填充，通过控制Hf/Al元素比例，可以提高阻挡层介电常数，在相同操作电压下，作用在隧穿层的电压更高，更多电荷被注入/擦出存储层，一定程度上提高了器件的存储窗口大小，且保持、疲劳特性与Al2O3作为阻挡层的器件相比没有变差。