一种氧化硅自整流忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118338771B

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202410756160.2

    申请日:2024-06-13

    Abstract: 本申请公开了一种氧化硅自整流忆阻器及其制备方法,该忆阻器依次包括衬底、下电极、功能层及上电极,上电极与功能层之间形成的势垒差小于下电极与功能层之间形成的势垒差;功能层包括氧化硅缺氧层,氧化硅缺氧层的氧空位为俘获和释放电荷的陷阱;忆阻器利用氧空位陷阱的电荷俘获和释放机制实现电阻的变化,当在上电极和下电极之间施加负向电压时,电荷从上电极进入氧化硅缺氧层,逐渐被氧空位陷阱俘获,忆阻器的阻值逐渐降低;当在上电极和下电极之间施加正向电压时,电荷从氧化硅缺氧层中移出,逐渐被氧空位陷阱释放,忆阻器的阻值逐渐升高。本申请可有效解决传统离子迁移型忆阻器阵列中漏径电流以及需要大电压Forming问题。

    一种氧化硅自整流忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118338771A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410756160.2

    申请日:2024-06-13

    Abstract: 本申请公开了一种氧化硅自整流忆阻器及其制备方法,该忆阻器依次包括衬底、下电极、功能层及上电极,上电极与功能层之间形成的势垒差小于下电极与功能层之间形成的势垒差;功能层包括氧化硅缺氧层,氧化硅缺氧层的氧空位为俘获和释放电荷的陷阱;忆阻器利用氧空位陷阱的电荷俘获和释放机制实现电阻的变化,当在上电极和下电极之间施加负向电压时,电荷从上电极进入氧化硅缺氧层,逐渐被氧空位陷阱俘获,忆阻器的阻值逐渐降低;当在上电极和下电极之间施加正向电压时,电荷从氧化硅缺氧层中移出,逐渐被氧空位陷阱释放,忆阻器的阻值逐渐升高。本申请可有效解决传统离子迁移型忆阻器阵列中漏径电流以及需要大电压Forming问题。

    一种氮化硅电荷俘获型忆阻器及其制备方法

    公开(公告)号:CN118613146A

    公开(公告)日:2024-09-06

    申请号:CN202410756219.8

    申请日:2024-06-13

    Abstract: 本申请公开了一种氮化硅电荷俘获型忆阻器及其制备方法,其中,该忆阻器中的功能层设置为三层,上下两层为SiO2,中间层为SiNX;忆阻器通过低温退火工艺处理,使得功能层中的SiNX形成硅悬挂键,硅悬挂键为俘获和释放电荷的陷阱;忆阻器利用电荷在SiNX陷阱中的俘获和释放机制实现电阻的变化。本申请提供的忆阻器没有导电丝随机性生长带来的一致性问题,且不需要大电压Forming过程,具有较高的一致性和应用前景;并且该忆阻器可实现可靠的多值存储和脉冲突触特性;另外,采用氮化硅作为核心阻变材料,具有成本低、易获取、与CMOS工艺更加兼容的优点。

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