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公开(公告)号:CN118966118A
公开(公告)日:2024-11-15
申请号:CN202411017907.9
申请日:2024-07-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/367 , H03K17/28
Abstract: 本申请提供了一种硫系阈值转变器件的仿真电路,属于电子仿真技术领域,仿真电路包括:阈值切换模块、阈值比较模块、延时模块和阻变模块;阈值切换模块用于在数据选择端输入的阈值比较模块的输出电压驱动下,选择两输入端中的一个输入端的输入电压传输至阈值比较模块的反相输入端;阈值比较模块用于比较同相输入端与反相输入端的电压,输出不同的输出电压;延时模块用于通过对阈值比较模块的输出电压在时域波形上进行延时,输出阻变控制电压;阻变模块用于受到阻变控制电压调控,模拟硫系阈值转变器件的阈值转变过程。本申请能够很好契合实际器件的直流和脉冲特性,具有电路结构简单,仿真精度高以及高效可靠的特点。
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公开(公告)号:CN118798285A
公开(公告)日:2024-10-18
申请号:CN202410998744.0
申请日:2024-07-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请提供了一种基于易失性阈值转变器件的人工神经元电路,属于人工神经形态领域;其中,膜电位产生电路用于在不同输入电流以及不同外部复位电压下,产生不同膜电位;慢变量产生电路用于产生慢变量;膜电位复位电路包括易失性阈值转变器件和外部复位电压激励源;外部复位电压激励源用于提供不同的外部复位电压,使膜电位和慢变量改变,模拟生物神经元放电行为;易失性阈值转变器件用于实现膜电位复位功能。与传统基于CMOS电路的神经元相比,本申请提供的神经元电路所需晶体管数量大幅减少、硬件和功耗开销降低,具有结构简单、灵活性强和功能丰富的特点,有利于在硬件脉冲神经网络中大规模集成。
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公开(公告)号:CN119947275A
公开(公告)日:2025-05-06
申请号:CN202510209204.4
申请日:2025-02-25
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10F30/222 , H10F77/12 , H10F71/00 , H10F39/12
Abstract: 本申请属于半导体光电器件与微纳米电子领域,具体公开了一种双维度记忆结器件及其制备、性能获取和应用方法。其中,双维度记忆结器件包括第一接触电极、掺杂n型Si层、AgOx电荷俘获层和第二接触电极;AgOx电荷俘获层与掺杂n型Si层组合形成异质结阻变区;异质结阻变区用于基于AgOx电荷俘获层中的陷阱电离和去电离转变,在电压驱动下,在光伏响应度和电导两个维度上,实现记忆强度连续可调与相互耦合,并具有非易失性。本申请可以在光伏、电导两个不同维度上记忆信息,仅通过一种器件构建的两种维度阵列可搭建紧凑高效的机器视觉系统。
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