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公开(公告)号：CN110422818B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201910680395.7
申请日：2019-07-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，并具体公开了一种基于超亲水层的复合微纳结构传感器的制备方法及产品。所述方法包括：采用溶液法在传感基底的上表面生长制备超亲水微纳米结构并以此作为超亲水层；将配置好的敏感材料分散液采用定量滴涂的方式滴涂到制备于传感基底上表面的所述超亲水层上，从而敏感材料分散液对所述超亲水层在咖啡环区域以内的超亲水微纳米结构形成均匀包覆；将包覆有敏感材料的超亲水纳米层进行浸泡和烘干。所述产品为采用该制备方法制备得到的传感器。本发明所制备的传感器具有敏感材料层包覆均匀、结构稳定、灵敏度高以及机械结构性能强的特点，因而尤其适用于石英晶体微天平的应用场合。
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公开(公告)号：CN111933650A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010715669.4
申请日：2020-07-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种硫化钼薄膜成像阵列器件及其制备方法，属于微纳制造与光电子器件领域，其中制备方法包括：将石墨烯薄膜转移至衬底表面，采用等离子体将石墨烯薄膜刻蚀成矩形阵列，得到石墨烯电极阵列；在石墨烯薄膜表面依次沉积横向金属电极、介电薄膜阵列和纵向金属电极，得到初始样品；将连续型硫化钼薄膜转移至初始样品表面后进行封装，得到硫化钼薄膜成像阵列器件。本发明制备方法能够显著降低器件制备过程中对原子级厚度硫化钼薄膜的损伤，大幅提升成像器件的阵列密度、器件成品率以及工作稳定性。
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公开(公告)号：CN111916524A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN202010716183.2
申请日：2020-07-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0216 , H01L31/0296 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种仿视网膜成像的硫化钼光探测器及其制备方法，属于微纳制造与光电子器件领域，其中制备方法包括：在刚性衬底表面沉积牺牲层，在牺牲层表面涂敷柔性基底；在柔性基底表面沉积绝缘层，将石墨烯薄膜转移至绝缘层表面，对石墨烯薄膜进行刻蚀，得到石墨烯阵列电极；将硫化钼薄膜转移至石墨烯阵列电极表面，将硫化钼薄膜刻蚀为多个规则图形，构成柔性器件阵列；将柔性器件阵列从刚性衬底剥离后与球形衬底表面拼接，得到球形的硫化钼光探测器。本发明制备得到的仿视网膜成像的硫化钼光探测器，可以同时满足柔性、球面共形、空间变分辨率成像的要求。
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公开(公告)号：CN107526879B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201710659044.9
申请日：2017-08-04
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/23
Abstract: 本发明属于有限元模拟领域，并公开了一种基于ANSYS参数化设计语言的三维模型梯度有限元求解方法，该方法主要包括如下步骤：模型前处理，求解器设置并求解；提取目标变量和节点自然坐标；求解形函数导数矩阵；求解雅各比列矩阵；求解雅各比列矩阵逆矩阵；计算插值点变量梯度；单元梯度值积分求单元解。本发明方法避免了同类问题导出数据、二次求解、费时费力的缺点，实现了后处理过程中梯度值的快速求解，能够大幅降低计算时间。
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公开(公告)号：CN110927168A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911170527.8
申请日：2019-11-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于焊接与缺陷检测领域，并具体公开了一种基于红外图像的焊接与焊点缺陷检测系统及方法，包括控制箱、移动组件、夹持装置、焊接组件和红外图像检测组件，移动组件包括龙门架、两个X轴滑槽、Z1轴移动平台、Z2轴移动平台和Y轴移动平台，龙门架立柱固定在控制箱上，两个X轴滑槽分别固定在龙门架横梁两侧，Z1轴移动平台和Z2轴移动平台分别活动安装在两个X轴滑槽上，Y轴移动平台安装在控制箱上；夹持装置固定在Y轴移动平台上，焊接组件安装在Z1轴移动平台上，红外图像检测组件安装在Z2轴移动平台上。本发明实现自动焊接与焊点质量检测评估一体化，能同时识别焊点表面缺陷和内部缺陷，提高焊接与检测的效率和准确性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110416333A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910625116.7
申请日：2019-07-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于微纳制造相关技术领域，其公开了一种紫外光电探测器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：(1)采用光刻套刻工艺和蒸发镀膜工艺在带有氮化硅绝缘层的硅基底上制备电极层；(2)在电极层上制备紫外探测薄膜，所述紫外探测薄膜是Mn掺杂CsPbBr3xCl3(1-x)紫外探测薄膜，其是通过在所述电极层上依次蒸镀PbCl2层、CsBr层、CsCl层和MnCl2层而形成的；其中，x为0.05～0.1；(3)采用滴涂方式在所述紫外探测薄膜上制备封装保护层，以将所述紫外探测薄膜进行封装，由此得到所述紫外光电探测器。本发明的成本更低且更易得，制备工艺更简单，光吸收系数更高，载流子传输更快速，适用性较强。
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公开(公告)号：CN110148649A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910280764.3
申请日：2019-04-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/09 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于光电子器件领域，并具体公开了一种金属纳米方体增强硫化钼光探测器件及其制备方法。该方法包括在基底上制备金属层，然后在金属层上制备绝缘层；制备连续硫化钼薄膜，并将连续硫化钼薄膜转移至绝缘层的表面；制备金属纳米方体，并在金属纳米方体的表面制备SiO2层；将含有SiO2层的金属纳米方体涂覆在连续硫化钼薄膜的表面，最后进行封装得到金属纳米方体增强硫化钼光探测器件。本发明将金属纳米方体制备于连续硫化钼薄膜的表面，使金属纳米方体与金属层相互配合，能够增强局域电磁场的强度并显著提高硫化钼薄膜的光吸收率，同时通过控制金属纳米方体的尺寸、制备材料和分布密度等参数，能够提高局域电磁场强度和光吸收率。
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公开(公告)号：CN107731939B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201710867913.7
申请日：2017-09-22
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0224 , G02F1/1343 , G03F7/00 , G06F3/041 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于微钠制造相关技术领域，其公开了基于光衍射的柔性透明碳电极制备方法，该方法包括以下步骤：(1)提供基底，并在所述基底上旋涂一层负性的光刻胶；(2)将掩膜设置在所述光刻胶上，并进行曝光处理，所述掩膜上设置有网格图形，所述网格图形呈矩形，其四个角部分别连接有大尺寸图形；(3)采用显影液对曝光后得到的样品进行显影后，再进行清洗以得到光刻胶悬浮网格；(4)将步骤(3)得到的样品在保护气体氛围下进行热解，并进行剥离以得到独立的整片碳网格结构，即柔性透明碳电极。本发明通过一次曝光即可获得光刻胶悬浮网格，工艺简单，参数容易控制，成品率较高。
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公开(公告)号：CN109378384A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811133721.4
申请日：2018-09-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微纳制造与光电子器件相关技术领域，其公开了一种硫化钼钙钛矿复合柔性光探测阵列器件及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：(1)采用化学气相沉积工艺制备连续硫化钼薄膜；(2)将连续硫化钼薄膜刻蚀成多个硫化钼薄膜块以形成硫化钼薄膜方形阵列，并在每个硫化钼薄膜块上制备金属对准标记；(3)将所述硫化钼薄膜方形阵列及所述金属对准标记同步转移至柔性基底表面上；(4)在所述硫化钼薄膜的表面制备金属电极，并在所述硫化钼薄膜方形阵列的外侧形成疏水层；(5)将钙钛矿溶液涂覆在所述硫化钼薄膜的表面以形成钙钛矿薄膜阵列，并进行封装，直至制备完成。本发明提高了质量，灵活性及稳定性较好，响应速度快。
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公开(公告)号：CN107464881A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201610387877.X
申请日：2016-06-02
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02E60/366 , Y02E70/10 , Y02P70/521 , H01L51/4226 , C25B1/003 , C25B1/04
Abstract: 本发明属于太阳能利用相关领域，其公开了一种面向光解水制氢的集成器件及其制作方法，所述集成器件包括光阳极、钙钛矿太阳能电池及光阴极，其特征在于：所述光阳极与所述钙钛矿太阳能电池的透明导电基底绝缘贴合，并与所述钙钛矿太阳能电池的对电极电性连接；所述光阳极吸收紫外光及一部分可见光，另一部分可见光穿过所述光阳极激发所述钙钛矿太阳能电池产生偏压；所述对电极形成在所述钙钛矿太阳能电池的钙钛矿层或空穴传输层上，并与所述光阴极绝缘贴合，所述光阴极与所述钙钛矿太阳能电池的透明导电基底电性连接。本发明的集成器件的光阳极及太阳能电池利用太阳光光谱中的不同部分，提高了光转化效率，且无需外界辅助即可独立实现光解水制氢。
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