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公开(公告)号：CN1034193C
公开(公告)日：1997-03-05
申请号：CN95102848.0
申请日：1995-03-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 复合管及其制造方法属于复合管制造领域，其外层为金属外管，内层为呈圆柱面状分布的由表、里两层陶瓷材料构成的陶瓷层，内、外层之间还有一层以铁为主带有少量铬、镍等元素的过渡层。在制造时，先把粉末状的Fe2O3、Al、Zr、ZrO2、Al2O3和Y2O3按摩尔比配好放在金属管内，二头再用内孔装有易燃材料的石墨堵头堵住，在使金属管沿轴心旋转条件下烧去易燃材料并点燃其内部粉末即可得所述的复合管，它在隔热、隔音、韧性和结合强度上均优于现有的致密的Al2O3陶瓷衬管。
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公开(公告)号：CN106328468B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201610700338.7
申请日：2016-08-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 磁控管用La2O3掺杂Mo阴极材料的制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。钼基体中掺杂稀土活性物质La2O3，稀土活性物质添加总量为2.0‑5.0wt％，其余为钼。采用液液掺杂的溶胶凝胶法制备La2O3掺杂MoO3粉末，氧化物粉末经过还原、压型、烧结工艺制备出La2O3掺杂Mo棒。钼棒经旋煅、拉拔、退火、洗丝、绕制、定型、裁断工艺得到未碳化磁控管用La2O3掺杂Mo阴极。对阴极进行高温瞬时碳化工艺处理，得到高碳化度的磁控管用La2O3掺杂Mo丝状阴极材料。对阴极进行高温激活排气及老化处理工艺，得到具有良好发射性能及良好发射稳定性的新型环保无放射性的磁控管用丝状阴极材料。
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公开(公告)号：CN103715032A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310745112.5
申请日：2013-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种覆钪酸盐-钨膜的浸渍型钡钨阴极及其制备方法，属于阴极材料技术领域。覆钪酸盐-钨膜的主要成分为Ba3Sc409和金属W，其中Ba3Sc409占膜总质量的5%-20%。在钨海绵体中浸渍发射材料后，利用Ba3Sc4O9和金属W靶材，在阴极表面用脉冲激光沉积的方法制备Ba3Sc4O9-金属W膜。用本发明的阴极含钪酸盐-钨膜制备的阴极，可使阴极的发射电流密度明显升高，提高了阴极的热发射能力。
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公开(公告)号：CN103252206A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310188536.6
申请日：2013-05-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种花状氧化钨水合物吸附剂，属于无机材料的制造技术领域。该吸附剂以.045‐0.10M钨酸钠、钨酸钾的至少一种为钨源，盐酸、硝酸、硫酸中的至少一种提供质子（酸当量浓度为0.058‐0.23M），在50‐95℃下进行离子交换，反应1‐12h得到沉淀，过滤、洗涤后得到。该方法所需设备简单、工艺流程短、制备效率高，所选钨源价格低廉，制造成本低，所制备的分级花状WO3.H2O比表面积大，对有机染料和重金属离子的吸附能力强，饱和吸附量大，具有良好的工业应用前景。
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公开(公告)号：CN101880165B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010152369.6
申请日：2010-04-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/40 , H01B13/00
Abstract: 本发明公开了一种短时间固相烧结技术制备铁基超导体的方法，步骤包括：在高纯Ar保护气氛下，将Ln和As粉按摩尔比1∶(1～1.1)混合，封装在高真空石英管内进行热处理，最后炉冷至室温，得到LnAs粉末；在高纯氩气保护的手套箱内，粉末LnAs和Fe粉、Fe2O3粉、FeF3粉按摩尔比3∶(1+x)∶(1-x)∶(1.1～1.5)x进行配比、研磨、压制成片，然后在高真空下进行退火处理，炉冷至室温，最终制备出LnO1-xFxFeAs超导体，其中Ln＝La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu，0＜x＜0.6。本发明方法提高铁基超导体性能的同时，提高铁基超导体的制备效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102394208A
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN201110341108.3
申请日：2011-11-02
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 浸渍型氧化钇-钨基钇、钪酸盐阴极材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。阴极基体中稀土氧化物为3-10％wt，其余为钨；对其浸渍的阴极发射活性盐中Sc2O3重量含量为2-6％，Y2O3重量含量为3-5％，其余为铝酸钡钙，铝酸钡钙中元素Ba∶Ca∶Al摩尔比为4∶1∶1。制备方法为：将钨粉和稀土氧化物Y2O3机械混合、压制、烧结得到基体；以硝酸钇、硝酸钪、硝酸钡、硝酸钙、硝酸铝和碳酸铵为原料，焙烧制备出浸渍用活性盐；在氢气气氛下对阴极基体进行浸渍以获得阴极材料。测试其二次电子发射系数明显高于钡钨阴极的二次电子发射系数，且热发射电流密度可以达到20.99A/cm2。
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公开(公告)号：CN101624286B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910088527.3
申请日：2009-07-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L39/24 , C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 一种La掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的La掺杂CeO2过渡层薄膜由Ce1-xLaxO2复合氧化物固溶体组成，其中，0.1≤x≤0.3；过渡层薄膜的厚度为30～250nm。本发明通过以有机铈盐为前驱盐，以乙酰丙酮镧为镧源，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上，再经过热处理工艺制得La掺杂CeO2过渡层薄膜。本发明具有制备成本低廉、Ce1-xLaxO2过渡层薄膜晶格常数精确可调，且能够实现多种过渡层功能的一体化，减少现有的复杂过渡层结构等优点。
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公开(公告)号：CN101597162B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200910088528.8
申请日：2009-07-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/622
Abstract: 一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的Gd掺杂CeO2过渡层薄膜由Ce1-xGdxO2复合氧化物固溶体组成，其中，0.1≤x≤0.5；过渡层薄膜的厚度为30～250nm。本发明通过以醋酸铈为前驱盐，以醋酸钆为钆源，采用化学溶液方法制备前驱液后，经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上，再经过热处理工艺制得Gd掺杂CeO2过渡层薄膜。本发明具有制备工艺简单，成本低，所得薄膜厚度大而且没有裂纹，同时薄膜可以外延基底的织构，表面平整致密，起到隔离超导层与基底材料之间相互反应的作用等优点。
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公开(公告)号：CN101625950B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910090708.X
申请日：2009-08-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 含钇的压制型钡钨阴极及其制备方法，属稀土难熔金属阴极材料领域。现有的阴极材料无法满足大功率磁控管的使用要求。阴极中含有稀土氧化物Y2OA3，Y2O3占阴极总重量的10-20％wt，BaO、CaO和Al2O3三者的含量占阴极材料总重量的5-15％wt，其中Ba∶Ca∶Al摩尔比为4∶1∶1，其余为钨。具体制备方法：以偏钨酸铵、硝酸钇、三元硝酸盐为原料，柠檬酸为络合剂，采用溶胶-凝胶法制备复合凝胶，通过氢气气氛下两步还原：第一步还原温度为500-550℃，保温2-4h；第二步为750-950℃，保温1-2h。还原后的粉末在压制压力1-4t/cm2下压制，烧结温度为1400-1650℃，保温1-5min的条件下进行烧结加工成阴极。测试其次级发射系数明显高于钡钨阴极的次级发射系数，且热发射电流密度可以达到14.54A/cm2。
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公开(公告)号：CN101075515B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200710118067.5
申请日：2007-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高电流密度异型束电子源，属电真空领域，特别涉及某些毫米波、亚毫米波段微波真空电子器件所需电子源的制造方法。目前常用的获得异型束的方法是利用磁聚焦将圆形束转化为不同形状的电子束，为此须用强永久磁场，这就增加了器件的体积和重量。本发明涉及的高电流密度异形束直接由阴极发射，无需或只需简单压缩便可获得所需形状和电流密度，大大简化聚焦系统、减小压缩比。该电子源主要由高电流密度含钪扩散阴极及覆盖于其上的异型束成形结构构成，这两部分组合后与钼套筒装配，并配以适当的热子构成高电流密度异型束电子源。电子源的面积可以在几十平方微米到几平方厘米之间，能够提供电流密度在50A/cm2以上特定形状的电子束。
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