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公开(公告)号：CN105506426A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610056992.9
申请日：2016-01-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种多纳米相复合增强镁合金及其制备方法，属于镁合金技术领域。由多种纳米相复合强化增强的变形镁合金，其成分为Mg-Gd-Zn合金，其中Gd含量10～25wt.％，Zn含量1～5wt.％，余量为Mg，其中Gd的质量百分含量与Zn的质量百分含量差值不低于8。本发明通过分级挤压及多级热处理工艺获得一种力学性能优异的变形镁合金材料，其屈服强度可达250～400MPa，延伸率可达10～25％。该合金主要的强化原因为纳米针状相及纳米片层状相等两种纳米相共同强化，这两种相交错分布，可显著提高该合金的综合力学性能。
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公开(公告)号：CN104031047B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201410231185.7
申请日：2014-05-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: C07D473/18 , A61K31/655 , A61P35/00 , A61P35/02
Abstract: 本发明涉及一种新型的具有抗癌活性的氯乙基亚硝基脲及其合成方法，所述氯乙基亚硝基脲为具有通式(Ⅰ)结构的化合物，其中：n是2-6的整数。本发明提供的氯乙基亚硝基脲，可以治疗脑神经胶质瘤、结肠癌和白血病，且比现有亚硝基脲类抗癌药物具有更低的耐药性和更好的化疗效果，其制备方法操作简单，反应收率高、毒性小、成本低、适合工业化生产，具有广阔的发展前景，有很好的应用价值。
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公开(公告)号：CN105079323A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510587879.9
申请日：2015-09-15
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 几种中药提取物在HIV潜伏再激活治疗中的应用，属于医药领域。包括以下步骤：中药植物材料粉碎的步骤；将中药植物粉料用提取剂过夜浸泡；提取剂为乙醇或乙醚和水的混合物；乙醇或乙醚和水所占体积比例为60％-100％乙醇或乙醚和40％-0％水；药物低速渗漉提取；将提取物浓缩，除去提取溶剂；中药植物材料为鸢尾科的射干、瑞香科的黄芫花、了哥王、芫花、铁海棠和大戟科的山乌桕、泽漆中的一种或几种；具有在制备抗HIV潜伏治疗药物上的应用的用途。
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公开(公告)号：CN101625950B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910090708.X
申请日：2009-08-03
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 含钇的压制型钡钨阴极及其制备方法，属稀土难熔金属阴极材料领域。现有的阴极材料无法满足大功率磁控管的使用要求。阴极中含有稀土氧化物Y2OA3，Y2O3占阴极总重量的10-20％wt，BaO、CaO和Al2O3三者的含量占阴极材料总重量的5-15％wt，其中Ba∶Ca∶Al摩尔比为4∶1∶1，其余为钨。具体制备方法：以偏钨酸铵、硝酸钇、三元硝酸盐为原料，柠檬酸为络合剂，采用溶胶-凝胶法制备复合凝胶，通过氢气气氛下两步还原：第一步还原温度为500-550℃，保温2-4h；第二步为750-950℃，保温1-2h。还原后的粉末在压制压力1-4t/cm2下压制，烧结温度为1400-1650℃，保温1-5min的条件下进行烧结加工成阴极。测试其次级发射系数明显高于钡钨阴极的次级发射系数，且热发射电流密度可以达到14.54A/cm2。
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公开(公告)号：CN101075515B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200710118067.5
申请日：2007-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高电流密度异型束电子源，属电真空领域，特别涉及某些毫米波、亚毫米波段微波真空电子器件所需电子源的制造方法。目前常用的获得异型束的方法是利用磁聚焦将圆形束转化为不同形状的电子束，为此须用强永久磁场，这就增加了器件的体积和重量。本发明涉及的高电流密度异形束直接由阴极发射，无需或只需简单压缩便可获得所需形状和电流密度，大大简化聚焦系统、减小压缩比。该电子源主要由高电流密度含钪扩散阴极及覆盖于其上的异型束成形结构构成，这两部分组合后与钼套筒装配，并配以适当的热子构成高电流密度异型束电子源。电子源的面积可以在几十平方微米到几平方厘米之间，能够提供电流密度在50A/cm2以上特定形状的电子束。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101764006B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010033827.4
申请日：2010-01-08
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01J9/02
Abstract: 一种浸渍型钪钨扩散式阴极材料的制备方法属于难熔金属阴极材料技术领域。本发明步骤：1)将偏钨酸铵、硝酸钪分别溶于水形成溶液；然后，将硝酸钪溶液加入偏钨酸铵溶液中混合，混合溶液的浓度为20-40g/L；采用喷雾干燥制备阴极材料前驱粉末，进料速度400ml/h、鼓风速率0.4m3/min-0.6m3/min；进口温度150℃，出口温度稳定在95℃；2)将喷雾干燥法制备的前驱粉末，在500-550℃，大气气氛下分解2小时获得复合氧化物粉末。3)氢气气氛下进行还原；还原分两步进行，首先在500-600℃保温1-2小时，再将温度升至800-950℃保温1-2小时，获得前驱掺杂钨粉。这种方法简化了前驱粉末制备工艺和避免制备过程中引入杂质元素，可重复性强，工艺简单，便于规模生产，制备出的阴极材料在850℃具有优异的发射性能。
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公开(公告)号：CN101787480A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010033830.6
申请日：2010-01-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种Y2O3-La2O3体系复合压制钡钨阴极及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域，其特征在于：阴极中含有氧化钇、氧化镧、三元硝酸盐和钨。其中Y2O3∶La2O质量比为3∶1，占阴极材料总量的5-20％wt，三元硝酸盐占阴极材料总重量的5-15％wt，其余为钨。制备方法：以偏钨酸铵、硝酸钇、硝酸镧、三元硝酸盐为原料，柠檬酸为络合剂，采用溶胶-凝胶法制备复合凝胶，通过氢气气氛下两步还原：第一步还原温度为450-550℃，保温2-4h；第二步为750-950℃，保温1-2h。还原后的粉末在压制压力1-3t/cm2下压制，烧结温度为1450-1650℃，保温1-5min的条件下进行烧结加工成阴极。本发明的阴极材料发射性能均匀，提高了抗离子轰击能力，次级发射系数明显高于钡钨阴极，且热发射电流密度在1100℃b时可达到17.52A/cm2。
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公开(公告)号：CN100433225C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200610089745.5
申请日：2006-07-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。含钪扩散阴极是一种具有低温大发射特性的热阴极材料，但是氧化钪价格昂贵，导致阴极成本过高，因此没有获得实际应用。本发明一种含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极，含有稀土氧化物Y2O3和Sc2O3的复合组分或者稀土氧化物Eu2O3和Sc2O3的复合组分，其中所述稀土氧化物的复合组分占最终得到的掺杂钨粉总质量的3-10%。本发明制备的一种含钪的复合稀土掺杂钨基扩散阴极的电流密度电流密度高达近40A/cm2，远高于同温度下钡钨阴极的电流密度，达到了器件对阴极电流密度的要求，并大大降低了原料成本，具有显著的经济效益。
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公开(公告)号：CN101075515A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200710118067.5
申请日：2007-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种高电流密度异型束电子源，属电真空领域，特别涉及某些毫米波、亚毫米波段微波真空电子器件所需电子源的制造方法。目前常用的获得异型束的方法是利用磁聚焦将圆形束转化为不同形状的电子束，为此须用强永久磁场，这就增加了器件的体积和重量。本发明涉及的高电流密度异形束直接由阴极发射，无需或只需简单压缩便可获得所需形状和电流密度，大大简化聚焦系统、减小压缩比。该电子源主要由高电流密度含钪扩散阴极及覆盖于其上的异型束成形结构构成，这两部分组合后与钼套筒装配，并配以适当的热子构成高电流密度异型束电子源。电子源的面积可以在几十平方微米到几平方厘米之间，能够提供电流密度在50A/cm2以上特定形状的电子束。
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公开(公告)号：CN105506426B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201610056992.9
申请日：2016-01-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种多纳米相复合增强镁合金及其制备方法，属于镁合金技术领域。由多种纳米相复合强化增强的变形镁合金，其成分为Mg‑Gd‑Zn合金，其中Gd含量10～25wt.％，Zn含量1～5wt.％，余量为Mg，其中Gd的质量百分含量与Zn的质量百分含量差值不低于8。本发明通过分级挤压及多级热处理工艺获得一种力学性能优异的变形镁合金材料，其屈服强度可达250～400MPa，延伸率可达10～25％。该合金主要的强化原因为纳米针状相及纳米片层状相等两种纳米相共同强化，这两种相交错分布，可显著提高该合金的综合力学性能。
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