一种Y1-xYbxBCO高温超导薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN101901646B

    公开(公告)日:2012-07-04

    申请号:CN201010228549.8

    申请日:2010-07-09

    CPC classification number: Y02E40/641

    Abstract: 本发明公开了一种Y1-xYbxBCO高温超导薄膜及其制备方法,0<X≤1,属于高温超导材料制备技术领域。Y1-xYbxBCO高温超导薄膜的厚度约为200nm,制备方法为:先制备Y1-xYbxBCO的前驱液,将前驱溶液涂到单晶基底上,然后在低于400℃的湿氧气中预烧得到前驱非晶膜,之后将前驱非晶膜于800-850℃下烧结1-4小时,其中前3/4的时间段内通入湿Ar/O2混合气,后1/4时间段内,通入干Ar/O2混合气;本发明方法设备简单,成本低,无需真空,沉积速度快,最重要的是薄膜成分容易控制,并可以随意改变掺杂物及其配比,更适合开发实用化的高温超导长带。

    一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN101597162A

    公开(公告)日:2009-12-09

    申请号:CN200910088528.8

    申请日:2009-07-03

    Abstract: 一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的Gd掺杂CeO2过渡层薄膜由Ce1-xGdxO2复合氧化物固溶体组成,其中,0.1≤x≤0.5;过渡层薄膜的厚度为30~250nm。本发明通过以醋酸铈为前驱盐,以醋酸钆为钆源,采用化学溶液方法制备前驱液后,经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上,再经过热处理工艺制得Gd掺杂CeO2过渡层薄膜。本发明具有制备工艺简单,成本低,所得薄膜厚度大而且没有裂纹,同时薄膜可以外延基底的织构,表面平整致密,起到隔离超导层与基底材料之间相互反应的作用等优点。

    一种纳米颗粒掺杂的REBCO薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN101916619B

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN201010228560.4

    申请日:2010-07-09

    CPC classification number: Y02E40/641

    Abstract: 本发明公开了一种纳米颗粒掺杂的REBCO薄膜及其制备方法,属于高温超导材料制备技术领域。薄膜由REBCO薄膜和分散于REBCO薄膜中的纳米颗粒组成;制备方法:首先制备1.0-2.0mol/L的REBCO前驱溶液,将Sn、Zr、Ta或Nb的无机盐加入到上述前驱液中后涂覆到单晶基底上,在低于400℃的湿氧气中预烧,然后将得到的前驱非晶膜于800-850℃下烧结1-4小时,前3/4的时间内通入湿Ar/O2混合气,后1/4时间内通入干Ar/O2混合气,温度降到500℃时换成纯氧气,保温2-4小时随炉冷却。本发明掺杂的REBCO薄膜在高温高场下具有更高的超导性能,更有应用前景。

    一种Y1-xYbxBCO高温超导薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN101901646A

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN201010228549.8

    申请日:2010-07-09

    CPC classification number: Y02E40/641

    Abstract: 本发明公开了一种Y1-xYbxBCO高温超导薄膜及其制备方法,0<X≤1,属于高温超导材料制备技术领域。Y1-xYbxBCO高温超导薄膜的厚度约为200nm,制备方法为:先制备Y1-xYbxBCO的前驱液,将前驱溶液涂到单晶基底上,然后在低于400℃的湿氧气中预烧得到前驱非晶膜,之后将前驱非晶膜于800-850℃下烧结1-4小时,其中前3/4的时间段内通入湿Ar/O2混合气,后1/4时间段内,通入干Ar/O2混合气;本发明方法设备简单,成本低,无需真空,沉积速度快,最重要的是薄膜成分容易控制,并可以随意改变掺杂物及其配比,更适合开发实用化的高温超导长带。

    一种Ta掺杂的CeO2过渡层薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN102173801A

    公开(公告)日:2011-09-07

    申请号:CN201110022469.1

    申请日:2011-01-20

    Abstract: 本发明公开了一种Ta掺杂的CeO2过渡层薄膜及其制备方法,属于高温涂层超导材料技术领域。本发明所提供的TaxCe1-xO2薄膜,过渡层薄膜厚度为30~240nm左右。首先将Ta盐和Ce盐按照阳离子摩尔比x∶1-x,其中0.1≤x≤0.25,溶解到甲醇和正丙酸中得到前驱溶液,然后将前驱溶液用旋涂的方法沉积到Ni-5W基板上,在通有保护气氛的条件下,经过高温烧结工艺获得TaxCe1-xO2薄膜。本发明具有制备工艺简单,成本低,制备出的薄膜具有厚度大,织构好,裂纹少的优点,能够在外延织构的同时起到隔离超导层与基底材料相互反应的作用。

    一种二元材料(Zr,Ce)O2纳米点、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN102180703B

    公开(公告)日:2012-11-21

    申请号:CN201110052460.5

    申请日:2011-03-04

    Abstract: 本发明公开了一种二元材料(Zr,Ce)O2纳米点、制备方法及应用,属于高温超导材料技术领域。制备方法:将乙酰丙酮锆和乙酰丙酮铈按锆与铈摩尔比为1-x∶x溶解到正丙酸中,得到前驱液;将前驱液涂敷到单晶基板上,得到前驱膜;在保护气体下,将前驱膜于950~1200℃烧结10~500分钟,得到不连续的、高度在5~60nm、直径在20~150nm、颗粒密度在10~100个/μm的Ce掺杂的ZrO2纳米点。在上述涂有纳米点的过渡层基板上用低氟MOD工艺制备YBCO膜,来提高外加磁场下YBCO薄膜的超导性能。本发明引入的纳米点的形态,数目及分布可简单、有效控制。

    一种Ta掺杂的CeO2过渡层薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN102173801B

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN201110022469.1

    申请日:2011-01-20

    Abstract: 本发明公开了一种Ta掺杂的CeO2过渡层薄膜及其制备方法,属于高温涂层超导材料技术领域。本发明所提供的TaxCe1-xO2薄膜,过渡层薄膜厚度为30~240nm左右。首先将Ta盐和Ce盐按照阳离子摩尔比x∶1-x,其中0.1≤x≤0.25,溶解到甲醇和正丙酸中得到前驱溶液,然后将前驱溶液用旋涂的方法沉积到Ni-5W基板上,在通有保护气氛的条件下,经过高温烧结工艺获得TaxCe1-xO2薄膜。本发明具有制备工艺简单,成本低,制备出的薄膜具有厚度大,织构好,裂纹少的优点,能够在外延织构的同时起到隔离超导层与基底材料相互反应的作用。

    一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN101597162B

    公开(公告)日:2011-11-16

    申请号:CN200910088528.8

    申请日:2009-07-03

    Abstract: 一种Gd掺杂CeO2过渡层薄膜及其制备方法属于高温超导材料制备技术领域。本发明所提供的Gd掺杂CeO2过渡层薄膜由Ce1-xGdxO2复合氧化物固溶体组成,其中,0.1≤x≤0.5;过渡层薄膜的厚度为30~250nm。本发明通过以醋酸铈为前驱盐,以醋酸钆为钆源,采用化学溶液方法制备前驱液后,经过旋涂或者浸涂的方法将前驱液涂敷到金属基带上,再经过热处理工艺制得Gd掺杂CeO2过渡层薄膜。本发明具有制备工艺简单,成本低,所得薄膜厚度大而且没有裂纹,同时薄膜可以外延基底的织构,表面平整致密,起到隔离超导层与基底材料之间相互反应的作用等优点。

    一种纳米颗粒掺杂的REBCO薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN101916619A

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:CN201010228560.4

    申请日:2010-07-09

    CPC classification number: Y02E40/641

    Abstract: 本发明公开了一种纳米颗粒掺杂的REBCO薄膜及其制备方法,属于高温超导材料制备技术领域。薄膜由REBCO薄膜和分散于REBCO薄膜中的纳米颗粒组成;制备方法:首先制备1.0-2.0mol/L的REBCO前驱溶液,将Sn、Zr、Ta或Nb的无机盐加入到上述前驱液中后涂覆到单晶基底上,在低于400℃的湿氧气中预烧,然后将得到的前驱非晶膜于800-850℃下烧结1-4小时,前3/4的时间内通入湿Ar/O2混合气,后1/4时间内通入干Ar/O2混合气,温度降到500℃时换成纯氧气,保温2-4小时随炉冷却。本发明掺杂的REBCO薄膜在高温高场下具有更高的超导性能,更有应用前景。

    一种单一材料ZrO2纳米点、制备方法及应用

    公开(公告)号:CN102173452B

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN201110052214.X

    申请日:2011-03-04

    Abstract: 本发明公开了一种单一材料ZrO2纳米点、制备方法及应用,属于高温超导材料制备技术领域。将乙酰丙酮锆溶解到正丙酸中,得到前驱液;2)涂敷前驱液:将步骤1)制备的前驱液采用旋涂的方式涂敷到单晶基板上,得到前驱膜;3)高温烧结:在通保护气体的条件下,将前驱膜于1000~1300℃烧结100~1000分钟,得到不连续的,高度在5~50nm,直径在30~200nm,颗粒密度在10~80个/μm的ZrO2纳米点。在上述基板上用低氟MOD工艺制备YBCO膜,使得YBCO在这些岛状颗粒附近形核时由于晶格上的匹配差从而产生一些缺陷,以此作为钉扎中心来提高外加磁场下YBCO薄膜的超导性能。

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