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公开(公告)号：CN102709306B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201210195545.3
申请日：2012-06-13
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种基于忆阻器和晶体管的存储器，包括串联的高迁移率晶体管和忆阻器，所述高迁移率晶体管是以锗或者III-V族材料作为衬底和沟道材料的MOS晶体管。本发明还提供了一种利用该存储器实现多阻态的方法。本发明通过高迁移率MOS晶体管和忆阻器串联方式，解决了常规MOS晶体管的驱动电流与多阻态存储器开态电流不匹配的问题，同时，利用高迁移率MOS晶体管的大驱动电流能力优势可以获得不同的器件阻态，从而增加数据存储密度，获得较快的存储器件工作速度。
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公开(公告)号：CN103022350B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201210587167.3
申请日：2012-12-28
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种忆阻器件，包括衬底层，所述衬底层之上有多层隔离层，每两层隔离层之间包括一层忆阻单元，忆阻单元包括两层可动离子阻挡层和中间的平面电极层；还包括从最上层的隔离层刻蚀至最下层隔离层的顶电极刻蚀槽；所述顶电极刻蚀槽及最上层隔离层的表面覆盖有电解质层；所述顶电极刻蚀槽内设置有顶电极；还包括分别从最上层隔离层表面覆盖的电解质层刻蚀至各忆阻单元的平面电极层而形成的多个底电极。本发明并提供了制备该忆阻器件的制备方法。本发明提出的垂直结构的忆阻器件，简化了三维忆阻器件的工艺，同时采用可动金属离子阻挡层技术，有效解决可动离子污染问题。
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公开(公告)号：CN102522071B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201110457485.3
申请日：2011-12-30
Applicant: 北京大学
IPC: G09G3/36
Abstract: 本发明是一种LCD像素选择信号产生电路、LCD控制器及其方法，该像素选择信号产生电路包括：多级电平产生电路，包括阻变器件，通过改变阻变器件的阻态，得到选通波形所需要的多级电平值；阻变器件阻态复位控制电路，根据产生的电平的级数周期产生阻变器件的复位信号，使阻变器件回复为高阻态。本发明提出了利用阻变器件实现产生像素选择信号的电路、LCD控制器及其控制方法，阻变器件不但具有原来的通过阻值状态存储数据的能力，还可以实现LCD中像素选择的功能，从而简化了电路结构，为LCD的设计和制造提供了基础。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103257848A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310206696.9
申请日：2013-05-29
Applicant: 北京大学
IPC: G06F9/30
Abstract: 本发明提供一种基于阻变存储器的编码方法及编码器，包括以下步骤：S1、将n种建立电压加到阻变存储器上，以对所述阻变存储器进行set操作，使得所述阻变存储器置于n种低阻态，其中，n≥2；S2、将m种复位电压加到所述阻变存储器上，以对所述阻变存储器进行reset操作，使得所述n种低阻态分别形成m种高阻态，并将所述n×m种高阻态输出，其中，m≥2；本发明代替了传统的CMOS，实现了复杂编码的功能，本发明还提供一种基于阻变存储器的编码器。
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公开(公告)号：CN102969328A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210521448.9
申请日：2012-12-06
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器交叉阵列结构及其制备方法。该结构包括：衬底，衬底上的衬底隔离层，衬底隔离层上方间隔排列的由金属层和隔离层重复叠加组成的条形结构，垂直于衬底隔离层和条形结构的间隔排列的金属柱，所述金属柱与衬底隔离层和条形结构之间存在阻变层。采用本发明的方法及其结构显著提高了集成密度；避免二极管在尺寸缩小后出现的提供电路能力不足的问题；实现多层的交叉阵列结构，显著降低了制造成本，非常适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN102931993A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210460723.0
申请日：2012-11-15
Applicant: 北京大学
IPC: H03M1/12
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路及其制造技术领域，公开了一种模数转换装置及模数转换方法。该模数转换装置包括：数据采样保持单元，用于进行数据采样，得到模拟电压信号，并对模拟电压信号进行存储；量化单元，用于数据采样保持单元输出的模拟电压信号进行量化；编码单元，用于对量化单元输出的数据进行编码，得到数字信号；所述数据采样保持单元包括阻变存储器。本发明利用阻变存储器实现模数转换过程中的数据存储（或称为保持），实验表明，数据保持时间可以长达10年，因此能够保证数据的可靠性，从而也保证了模数转换装置的工作可靠性。另外，本发明的装置结构简单、成本低。
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公开(公告)号：CN102738390A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110090961.2
申请日：2011-04-12
Applicant: 北京大学
IPC: H01L45/00 , H01L27/24 , H01L21/822 , H01L21/265
Abstract: 一种阻变存储器单元及其制造方法，该阻变存储器单元包括具有顶电极、底电极以及形成在所述顶电极和底电极之间的阻变层的阻变存储器，具有源极、漏极和栅极的MOS管。所述阻变存储器的底电极由硅基材料形成，并且所述MOS管的源极连接到所述底电极。本发明的阻变存储器单元能够利用传统的CMOS工艺及设备进行制造，因而能够简化工艺步骤，降低制造成本，便于大规模生产。
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公开(公告)号：CN102611424A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110435786.6
申请日：2011-12-22
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种利用阻变器件实现积分运算方法，涉及半导体集成电路及其制造技术领域，所述方法包括：S1：对待输入信号进行时间采样；S2：对阻变器件进行复位操作；S3：将时间采样后的待输入信号输入所述阻变器件的阳电极；S4：在所述阻变器件的阳电极上输入预设电压；S5：读取所述阻变器件上的电流值；S6：计算获得所述阻变器件的当前电阻值；S7：计算所述阻变器件的初始电阻值与当前电阻值之间的差值，并根据所述差值与所述待输入信号的电压积分值之间的对应关系，以获得所述待输入信号的电压积分值。本发明利用阻变器件的特性，来实现积分器，具有结构简单、高速、低操作电压和电流、工艺兼容、以及成本低廉的特点。
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