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公开(公告)号：CN108054106A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201810026754.2
申请日：2018-01-11
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种制备高散热的陶瓷封装基板的方法，包括以下步骤：在清洗后的陶瓷基板上激光标刻形成金属化线路图案，获得厚度为0.5~30μm的混合物层，该混合物层由氧化物与单质金属构成；在金属化线路图案区域进行化学镀铜，形成厚度为0.1～50μm的粘结层；在粘结层上镀厚度为5～500μm的导电层；然后将陶瓷基板放入烧结炉进行烧结；最后对陶瓷基板进行表面处理，得到附着有光亮的金属导线的陶瓷封装基板。本发明在陶瓷基板上直接制备导电线路，有效简化工艺流程，提高产品良率与可靠性，是一种低成本制备半导体器件封装基板的途径。
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公开(公告)号：CN105113004B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201510550420.1
申请日：2015-09-01
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种三族氮化物晶体生长装置，包括反应釜，该反应釜内设有晶种模板，所述反应釜与滚动驱动装置连接，该滚动驱动装置带动反应釜转动，滚动驱动装置带动反应釜水平方向滚动，或者与水平方向成倾斜角度方向滚动。本发明有效克服了传统反应装置生长氮化物晶体过程中，N源不足的缺点，可有效避免氮化物晶体存在N空位、晶体质量差、生长速率低等问题。
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公开(公告)号：CN104131351B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201410363568.X
申请日：2014-07-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种制备氮化物单晶体材料的工业化装置及方法，其核心包括一套提供氮气源的装置。本发明通过一种加压装置调节N2终端口处气液界面两边的压强差，来控制N2进入Ga‑Na溶液的流量及时间。采用该设计可以克服传统装置N2源供给不足的局限，具有N2源总量可调、N2源输入位置可选、N2源供给时间可控等优点，充分满足目标GaN晶体生长所需的N2源，为增加目标GaN晶体生长速率、多片式GaN晶体同时生长提供了有利条件，大大降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN103834999B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201410090016.6
申请日：2014-03-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过预制裂纹制备氮化镓单晶衬底的方法。本发明采用把预制裂纹、MOCVD、HVPE和应力控制自分离等技术融合在一起，对异质衬底的边缘进行处理，然后优化MOCVD生长工艺，与具体的预制裂纹法相配合，在GaN/异质衬底的界面的边缘处引入缝隙作为预制裂纹；通过应力控制技术实现平面内应力从边缘到中心的梯度变化；在一定梯度应力作用下，GaN与异质衬底完全自分离，从而获得大尺寸完整的GaN单晶衬底。本发明获得自支撑GaN单晶衬底，表面光滑无裂纹，晶体质量高。本发明实现了原位的GaN与异质衬底的自分离，不需要另外的复杂的激光剥离或沉积金属牺牲层等设备技术，工艺简单，易于控制，极大地提高了本发明的实用性。
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公开(公告)号：CN105256372A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201510838898.4
申请日：2015-11-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种GaN单晶设备，包括反应釜，该反应釜外部设有加热器，反应釜上部装接有带阀门的气管，反应釜内设有坩埚，反应釜内放置有晶种模板，其特征在于，所述装置还包括感应线圈机构，该感应线圈机构包括设在反应釜内的内部线圈和设在反应釜外的外部线圈，该外部线圈与电源连接，反应釜内设有支撑杆，内部线圈活动套装在该支撑杆上，内部线圈的一端与晶种模板连接，外部线圈接通电源后带动内部线圈作受迫运动，使该内部线圈在支撑杆上移动。本发明通过感应线圈机构来控制晶种模版的实时生长位置，保证晶种模版一直处在最佳的生长溶液环境，由此促进GaN单晶生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104894644A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510365581.3
申请日：2015-06-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化物晶体的生长装置及方法，包括反应釜和设在该反应釜内的坩埚，反应釜外围设有加热器，所述坩埚内设有隔板，该隔板将该坩埚内部空间分隔成相互独立的生长区和预生长区，生长区底部放置有籽晶，隔板下部设有导通孔，该导通孔使生长区和预生长区相互连通，隔板与坩埚底面的夹角为大于0度且小于或等于90度。通过对反应釜的倾斜操作，使得生长区和预生长区的溶液互相流动交换，使得籽晶区域的生长溶液的含N浓度较高，使氮化物晶体在源源不断的高N浓度生长溶液下高质量高速率生长。
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公开(公告)号：CN102828239B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201210306671.1
申请日：2012-08-24
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种通过缺陷应力去除技术自分离氮化镓单晶材料制备自支撑衬底的方法，降低衬底内部缺陷及残余应力，提高衬底的断裂强度和表面特性。本发明利用缺陷应力去除技术对衬底的内部缺陷及残余应力进行去除，提高衬底的断裂强度和表面特性，在MOCVD中，生长GaN单晶薄膜，于HVPE中进行高质量的GaN单晶厚膜的快速生长，利用GaN和衬底之间的热膨胀系数差，从而获得自分离自支撑GaN衬底。本发明适合于产业化的大批量生产GaN单晶自支撑衬底，可以获得能够满足光电子和微电子器件要求的、高光学和电学性能的、可用于同质外延的GaN单晶自支撑衬底。
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公开(公告)号：CN104131351A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201410363568.X
申请日：2014-07-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种制备氮化物单晶体材料的工业化装置及方法，其核心包括一套提供氮气源的装置。本发明通过一种加压装置调节N2终端口处气液界面两边的压强差，来控制N2进入Ga-Na溶液的流量及时间。采用该设计可以克服传统装置N2源供给不足的局限，具有N2源总量可调、N2源输入位置可选、N2源供给时间可控等优点，充分满足目标GaN晶体生长所需的N2源，为增加目标GaN晶体生长速率、多片式GaN晶体同时生长提供了有利条件，大大降低了制备成本。
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公开(公告)号：CN103603049A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310649657.6
申请日：2013-12-06
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: C30B29/38
Abstract: 本发明公开一种能批量生产氮化物单晶体材料的液相外延的多片式氮化物单晶体材料生长装置及方法，其通过设计包括一种搅拌装置的反应釜，该搅拌装置以一定速度旋转而不断吸取溶液，然后在惯性力作用下，溶液加速到一定程度之后水平远离它的旋转中心，形成流动循环，提高溶液的N溶解速度与溶解均匀性，有利于多片晶体生长的一致性及生长速度的提高。同时，通过设计一个用于调节N溶解浓度的预生长室，调控晶体生长的N浓度条件，然后，通过生长室溶液与预生长溶液的循环，使生长室内溶液的N浓度保持一致，从而为高质量多片式氮化物晶体生长提供源源不断的过饱和溶液，充分利用了原材料，提高晶体质量又降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN119061461A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411314662.6
申请日：2024-09-19
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种自动调节氮化镓晶体生长的坩埚装置、生长设备以及生长方法，其中，本发明中的坩埚装置包括第一坩埚、活塞以及驱动件；第一坩埚为中空结构，活塞滑动设置于中空结构内且活塞的外周边缘与第一坩埚的内侧壁密封配合，活塞与中空结构构成用于容置高温熔体的容置腔，驱动件与活塞连接并驱动活塞在中空结构内上下滑动以调节容置腔的容量；第一坩埚的内侧壁与第一坩埚的外侧壁之间还设置有溢流槽，溢流槽的顶部槽口与容置腔的顶部开口相连通。上述设计中，通过调节高温熔体的高度，能够将高温熔体表层的杂质流出高温熔体，从而有效增加氮气与高温熔体的接触面积以使氮气更快地在熔体表面解离成N离子，进而促进GaN单晶的生长。
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