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公开(公告)号:CN221201074U
公开(公告)日:2024-06-21
申请号:CN202322167763.2
申请日:2023-08-11
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请公开了一种下电极组件、工艺腔室及半导体处理设备,下电极组件包括:基座;加热件,与所述基座连接,用于给所述基座加热;承载盘,设置于所述基座的顶面,用于承载晶圆。本申请通过设置加热件给基座进行加热可以有效缓解副产物沉积在基座表面的速率,能够延长机台例行维护的间隔时间,降低机台运行成本。同时加热状态下的基座能够使沉积的副产物的附着力下降,清洗时不必使用诸如钻石布擦拭等破坏性较强的清洗方式,可以延长基座的寿命。
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公开(公告)号:CN210223967U
公开(公告)日:2020-03-31
申请号:CN201921449713.0
申请日:2019-09-03
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型提供一种内衬结构、反应腔室和半导体加工设备,该内衬结构包括:内衬主体,包括构成阶梯结构的上环部和下环部,且下环部的外径小于上环部的内径;并且,在上环部上设置有用于供被加工工件出入的内衬开口,该内衬开口延伸至上环部的下端;内门,设置在上环部的下方,且内门的内径与上环部的内径相同,并且内门是可升降的,以能够开启或关闭内衬开口。本实用新型所提供的内衬结构、反应腔室和半导体加工设备的技术方案,不仅可以避免内门与内衬发生刮擦,而且可以保证腔体内壁和内衬内壁的完整性,从而可以提高气流场的均匀性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN222896668U
公开(公告)日:2025-05-23
申请号:CN202420765999.8
申请日:2024-04-12
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本申请提供一种半导体工艺设备及其工艺腔室,工艺腔室包括腔室本体、用于加热预设区域的加热组件,以及用于测量预设区域的当前温度的测温组件;腔室本体的侧壁设有与加热组件位置相对应的冷却组件,冷却组件中通入冷却介质,用于降低预设区域的温度。加热组件用于对预设区域进行加热,冷却组件能够降低预设区域的温度,加热组件和冷却组件配合可主动调整腔室本体内的温度场分布,使腔室本体内部的温度场更加均匀,进而使等离子体在腔室本体内分布更加均匀,提高等离子体对晶圆刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号:CN207338316U
公开(公告)日:2018-05-08
申请号:CN201721066836.7
申请日:2017-08-24
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型为一种门阀装置及半导体真空设备,门阀装置包括门阀座、门阀转接板、门阀驱动器以及门阀板。门阀座为环形结构,设置在相邻的两腔室之间,门阀座的两端分别与两腔室连接。门阀转接板为环形结构,可拆卸地安装在门阀座的内部,至少遮挡门阀座的部分内壁并与门阀座的内壁之间形成密封;门阀转接板的内部及门阀座的内部形成传输通道。门阀驱动器与门阀座固定联接。门阀板与门阀驱动器的执行端联接,门阀驱动器驱动门阀板移动,使得门阀板闭合或打开传输通道。本实用新型使得反应副产物沉积在门阀转接板的内壁上,等离子体、带腐蚀性气体对门阀转接板内壁造成损坏后,只需将门阀转接板拆卸更换即可,不需更换门阀座。
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