一种粒径可调的微乳反应器的制备方法

    公开(公告)号:CN108421510A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201810318089.4

    申请日:2018-04-10

    Inventor: 沈杭燕 王艳 郭冰

    CPC classification number: B01J19/0093 B01F3/0811

    Abstract: 本发明公开了一种粒径可调的微乳反应器的制备方法。微乳法制备的粒子不易团聚,大小可控,分散性好,且工艺、设备简单,是一种具有良好发展前途的纳米粒子制备方法。而微乳法控制纳米粒子粒径是通过调控微乳反应器的粒径来实现。在本发明中,通过选择不同的表面活性剂,调控表面活性剂/比表面活性剂/油/水的比例系统有效地调节了不同水包油(O/W)和油包水(W/O)型微乳反应器粒径大小,成功发明了一种粒径在0.833nm-122.400nm范围内连续可调的微乳反应器的制备方法。

    一种纳米锡银铜焊粉的制备工艺

    公开(公告)号:CN106475711A

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201610922445.4

    申请日:2016-10-21

    CPC classification number: B23K35/40 B22F9/24

    Abstract: 本发明公开了一种纳米锡银铜焊粉的制备工艺,属于封装材料技术领域。该工艺是以化学还原法制备纳米无铅焊粉,从筛选前驱体和还原剂、表面活性剂的种类、调节表面活性剂浓度、反应温度和干燥温度等调控合成工艺条件,有效地控制纳米金属颗粒尺寸、形状,从而降低纳米金属焊粉的熔点。当金属前驱体与表面活性剂的质量比为1∶1时,反应温度0℃,烘干温度为20℃,还原剂溶液迅速倒入前驱体溶液中,按照本发明的制备工艺,可以得到比现有锡银铜合金熔点低的纳米锡银铜焊粉,满足封装电子的低温焊接需求。本发明工艺简便,生产条件温和,能耗和成本较低,适合工业化生产。

    一种稀土金属有机框架结构的红外发光材料

    公开(公告)号:CN105860961A

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201610307136.6

    申请日:2016-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种稀土金属有机框架结构的红外发光材料及其制备方法。所述红外发光材料,其分子结构式为[Nd(SnL3)2(H2O)3]n·n[(H2O)4(H3O)],式中L为带两个单位负电荷的硫代乙醇酸根阴离子,n为高聚物结构的重复单元数;材料结构式中[Nd(SnL3)2(H2O)3]n部分为金属有机框架部分,n[(H2O)4(H3O)]部分为框架结构中的填充物,其中硫代乙醇酸锡阴离子与稀土钕离子聚合构成含有较大孔道结构的金属有机框架结构。通过硫代乙醇酸锡阴离子(SnL32?)与稀土离子的溶液发生配位聚合反应得到,方便且廉价地制备获得了孔道结构、发光性能和热稳定性能良好的稀土金属有机框架结构红外发光材料,其孔道结构中空腔体积较大、热稳定性好,可将其各种小分子等荧光传感检测材料技术领域。

    一种银碘阴离子高聚螺旋链基有机无机杂化半导体材料

    公开(公告)号:CN105837834A

    公开(公告)日:2016-08-10

    申请号:CN201610307140.2

    申请日:2016-05-05

    CPC classification number: C08G83/00

    Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化的银碘阴离子高聚螺旋链基宽禁带半导体材料及其制备方法。所述有机无机杂化宽禁带半导体材料,其分子结构式为(MV)n(Ag2I4)n,式中MV为带两个单位正电荷的有机阳离子甲基紫精,n为高聚物结构的重复单元数,该材料中的(Ag2I4)n高聚阴离子呈独特的螺旋链结构。通过硝酸银、碱金属碘化物与甲基紫精碘化物的溶液发生配位聚合反应和杂化置换反应,方便且廉价地制备获得了半导体性能和热稳定性能良好的有机无机杂化宽禁带半导体材料,其禁带宽度适中、热稳定性好,可将其应用于光电子材料技术领域。

    一种有机无机杂化亚铜碘阴离子高聚链基半导体材料

    公开(公告)号:CN105801877A

    公开(公告)日:2016-07-27

    申请号:CN201610307195.3

    申请日:2016-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化的亚铜碘阴离子高聚链基半导体材料及其制备方法。所述有机无机杂化宽禁带半导体材料,其分子结构式为(MV)n(Cu2I4)n,式中MV为带两个单位正电荷的有机阳离子甲基紫精,n为高聚物结构的重复单元数,该材料中的(Cu2I4)n高聚阴离子呈直线型链状结构。通过碘化亚铜与甲基紫精碘化物的溶液发生配位聚合反应反应,方便且廉价地制备获得了半导体性能和热稳定性能良好的有机无机杂化半导体材料,其禁带宽度适中、热稳定性好,可将其应用于光电子材料技术领域。

    一种自动感应钎焊设备
    56.
    实用新型

    公开(公告)号:CN221582282U

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202420132992.2

    申请日:2024-01-19

    Abstract: 本实用新型公开了一种自动感应钎焊设备,具体涉及感应钎焊领域,包括支撑架,支撑架的外壁滑动连接有放置板,放置板的顶部插接有保护壳,保护壳的内部固定安装有两个气囊,气囊的底部固定连接有连接管,连接管插接在放置板的内部,连接管远离气囊的一端固定连接有伸缩管,伸缩管插接在放置板的内部,伸缩管远离连接管的一端固定连接有连接件,连接件滑动连接在放置板的内部。本实用新型通过设置了保护壳和夹持件,将焊件放在保护壳上,使保护壳受力下降挤压气囊,最终使夹持件通过弧形面将焊件挤压限位在感应圈的底部,以达到自动对焊件进行夹持并对焊件进行定位的效果。

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