一种有机无机杂化铋碘阴离子簇基半导体材料

    公开(公告)号:CN106008327A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610307237.3

    申请日:2016-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化铋碘阴离子簇基半导体材料及其制备方法。所述有机无机杂化半导体材料,其分子结构式为(MV)2(Bi4I16),式中MV为带两个单位正电荷的有机阳离子甲基紫精,该材料中的(Bi4I16)阴离子则是三价铋离子和碘离子配位构成的四核簇结构阴离子。通过碘化铋与甲基紫精碘化物的溶液发生配位反应,方便且廉价地制备获得了半导体性能和热稳定性能良好的有机无机杂化半导体材料,其禁带宽度适中、热稳定性好,可将其应用于光电子材料技术领域。

    一种银碘阴离子高聚螺旋链基有机无机杂化半导体材料

    公开(公告)号:CN105837834B

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201610307140.2

    申请日:2016-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化的银碘阴离子高聚螺旋链基宽禁带半导体材料及其制备方法。所述有机无机杂化宽禁带半导体材料,其分子结构式为(MV)n(Ag2I4)n,式中MV为带两个单位正电荷的有机阳离子甲基紫精,n为高聚物结构的重复单元数,该材料中的(Ag2I4)n高聚阴离子呈独特的螺旋链结构。通过硝酸银、碱金属碘化物与甲基紫精碘化物的溶液发生配位聚合反应和杂化置换反应,方便且廉价地制备获得了半导体性能和热稳定性能良好的有机无机杂化宽禁带半导体材料,其禁带宽度适中、热稳定性好,可将其应用于光电子材料技术领域。

    一种有机无机杂化铋碘阴离子簇基半导体材料

    公开(公告)号:CN106008327B

    公开(公告)日:2018-10-02

    申请号:CN201610307237.3

    申请日:2016-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化铋碘阴离子簇基半导体材料及其制备方法。所述有机无机杂化半导体材料,其分子结构式为(MV)2(Bi4I16),式中MV为带两个单位正电荷的有机阳离子甲基紫精,该材料中的(Bi4I16)阴离子则是三价铋离子和碘离子配位构成的四核簇结构阴离子。通过碘化铋与甲基紫精碘化物的溶液发生配位反应,方便且廉价地制备获得了半导体性能和热稳定性能良好的有机无机杂化半导体材料,其禁带宽度适中、热稳定性好,可将其应用于光电子材料技术领域。

    一种有机无机杂化亚铜碘阴离子高聚链基半导体材料

    公开(公告)号:CN105801877B

    公开(公告)日:2018-12-11

    申请号:CN201610307195.3

    申请日:2016-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化的亚铜碘阴离子高聚链基半导体材料及其制备方法。所述有机无机杂化宽禁带半导体材料,其分子结构式为(MV)n(Cu2I4)n,式中MV为带两个单位正电荷的有机阳离子甲基紫精,n为高聚物结构的重复单元数,该材料中的(Cu2I4)n高聚阴离子呈直线型链状结构。通过碘化亚铜与甲基紫精碘化物的溶液发生配位聚合反应反应,方便且廉价地制备获得了半导体性能和热稳定性能良好的有机无机杂化半导体材料,其禁带宽度适中、热稳定性好,可将其应用于光电子材料技术领域。

    一种银碘阴离子高聚螺旋链基有机无机杂化半导体材料

    公开(公告)号:CN105837834A

    公开(公告)日:2016-08-10

    申请号:CN201610307140.2

    申请日:2016-05-05

    CPC classification number: C08G83/00

    Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化的银碘阴离子高聚螺旋链基宽禁带半导体材料及其制备方法。所述有机无机杂化宽禁带半导体材料,其分子结构式为(MV)n(Ag2I4)n,式中MV为带两个单位正电荷的有机阳离子甲基紫精,n为高聚物结构的重复单元数,该材料中的(Ag2I4)n高聚阴离子呈独特的螺旋链结构。通过硝酸银、碱金属碘化物与甲基紫精碘化物的溶液发生配位聚合反应和杂化置换反应,方便且廉价地制备获得了半导体性能和热稳定性能良好的有机无机杂化宽禁带半导体材料,其禁带宽度适中、热稳定性好,可将其应用于光电子材料技术领域。

    一种有机无机杂化亚铜碘阴离子高聚链基半导体材料

    公开(公告)号:CN105801877A

    公开(公告)日:2016-07-27

    申请号:CN201610307195.3

    申请日:2016-05-05

    Abstract: 本发明公开了一种有机无机杂化的亚铜碘阴离子高聚链基半导体材料及其制备方法。所述有机无机杂化宽禁带半导体材料,其分子结构式为(MV)n(Cu2I4)n,式中MV为带两个单位正电荷的有机阳离子甲基紫精,n为高聚物结构的重复单元数,该材料中的(Cu2I4)n高聚阴离子呈直线型链状结构。通过碘化亚铜与甲基紫精碘化物的溶液发生配位聚合反应反应,方便且廉价地制备获得了半导体性能和热稳定性能良好的有机无机杂化半导体材料,其禁带宽度适中、热稳定性好,可将其应用于光电子材料技术领域。

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