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公开(公告)号：CN114664652A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011548032.7
申请日：2020-12-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/3105
Abstract: 本发明涉及一种改善虚拟图案碟陷的方法，属于半导体制造工艺技术领域，解决了现有技术中CMP中在停止层图形密度低的区域，研磨速率高的薄膜被研磨，产生碟陷缺陷的问题。本发明的改善虚拟图案碟陷的方法，包括：提供形成有衬底图案的半导体衬底，衬底图案之间是过渡区；形成仅位于衬底图案的上第一停止层；在衬底上形成沉积膜层，沉积膜层在过渡区形成向衬底方向的沟槽，沟槽上的沉积膜层的顶面与衬底图案的顶面齐平；在沉积膜层上方形成第二停止层，使第二停止层在沟槽上方底面与衬底图案顶面齐平，第二停止层在沟槽上方顶面与第一停止层顶面齐平；第一停止层和第二停止层的研磨速率小于沉积膜层。实现了制作虚拟图形时无碟陷的完全平坦化处理。
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公开(公告)号：CN114653651A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202011555813.9
申请日：2020-12-24
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B08B3/02 , B08B3/08 , B08B13/00 , H01L21/67 , H01L21/673
Abstract: 本发明提供一种晶圆清洗装置及清洗方法，其中晶圆清洗装置包括：至少一个输液管；所述至少一个输液管沿长度方向上设置有多个喷嘴；所述至少一个输液管开设有多个进液口，其中，所述多个进液口中的两个进液口分别位于所述输液管的两端。本发明能够保证同一输液管上的所有喷嘴对晶圆的清洗效果，提高晶圆清洗装置内不同晶圆间的腐蚀均匀性。
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公开(公告)号：CN114589620A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202011413964.0
申请日：2020-12-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B24B37/24 , C08G18/69 , C08G101/00
Abstract: 本发明提供一种半导体研磨垫，包括：研磨垫主体；第一孔结构，均匀分布在所述研磨垫主体内；第二孔结构，环绕在第一孔结构外，所述第一孔结构与所述第二孔结构之间具有分隔界面。还提供一种半导体研磨垫制备方法，在制备预聚物的过程中，加入第一分散体，以形成具有第一分散体的预聚物；将具有第一分散体的预聚物中加入硬化剂和第二分散体，以使所述预聚物形成聚合物；对所述聚合物加工成型，以形成半导体研磨垫。本发明提供的半导体研磨垫能够提高研磨工艺的稳定性。
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公开(公告)号：CN114589619A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202011397105.7
申请日：2020-12-03
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种半导体研磨垫，包括：研磨垫主体；孔结构，均匀分布在所述研磨垫主体内，所述孔结构与所述研磨垫主体的界面具有褶皱。还提供一种半导体研磨垫制备方法，包括：将粉末状态的分散体进行处理，以使所述分散体表面形成划痕；将表面具有划痕的分散体投入液体状态的研磨垫主体材料中，以形成分散体与所述研磨垫主体材料的混合物；将所述混合物进行固化并成型，以形成研磨垫。本发明提供的半导体研磨垫能够提高研磨垫对抛光液的吸收量，提高研磨效率。
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公开(公告)号：CN114534341A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202011341928.8
申请日：2020-11-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B01D29/58
Abstract: 本发明提供一种流体过滤装置及流体过滤方法，其中，包括：外层滤芯和目标滤芯；所述外层滤芯套接在所述目标滤芯的外围周侧，所述外层滤芯的目数大于所述目标滤芯的目数。本发明能够减少堵塞现象的发生，并能够延长目标滤芯的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114473845A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011257353.1
申请日：2020-11-11
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/005 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供了一种清洗装置，该清洗装置用于清洗晶圆。其中晶圆具有相对的第一面及第二面。该清洗装置包括支撑结构、以及设置在支撑结构上的第一转轴。在第一转轴上套装有与晶圆的第一面位置相对的清洗刷，以对晶圆的第一面进行清洗。在第一转轴上还套装有与清洗刷间隔设置的研磨垫组件，研磨垫组件用于抵压在晶圆的第二面上。在上述的方案中，通过在连接清洗刷的第一转轴上还设置研磨垫组件，且研磨垫组件与清洗刷间隔设置，从而能够对晶圆的第一面进行清洗的同时，研磨垫组件抵压在晶圆的第二面上，对晶圆的第二面进行研磨，以便于在清洗晶圆正面的同时，对晶圆背面进行研磨，以去除晶圆背面上的硬颗粒。
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公开(公告)号：CN114378714A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011119552.6
申请日：2020-10-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种研磨盘及抛光设备，涉及半导体技术领域，用于在抛光过程中，防止研磨液被甩离研磨盘，节省研磨液的同时，降低半导体器件的制造成本。所述研磨盘的边缘部分的高度大于研磨盘的中心部分的高度。所述研磨盘应用于抛光设备中。
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公开(公告)号：CN114361110A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202011089773.3
申请日：2020-10-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 本公开提供了一种半导体器件的制造方法。半导体器件的制造方法包括：提供一半导体基底，然后在半导体基底上方形成电容结构，在电容结构上方形成层间介质层。本公开对层间介质层进行了如下处理：对层间介质层进行第一次处理，以在层间介质层上形成多个柱状的凸起；对层间介质层进行第二次处理，以减小柱状的凸起的高度；最后可对层间介质层进行化学机械抛光处理，从而使层间介质层的上表面平齐，达到层间介质层的上表面呈平坦化的效果。其中，本公开的第一次处理可以为干法刻蚀，第二次处理可以为湿法刻蚀。与现有技术相比，本公开提供的技术方案能够在保护需保留的层间介质层的前提下有效消除器件上不同位置之间的台阶高度差异。
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公开(公告)号：CN114334706A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011080562.3
申请日：2020-10-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/263 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种平坦化装置及平坦化方法，涉及半导体技术领域，用于在提高平坦化处理效率的同时，提升平坦化处理的精准度。所述平坦化装置包括：夹持部、粒子束生成器和遮挡部。夹持部用于夹持晶圆。粒子束生成器设置在夹持部的一侧，粒子束生成器用于生成对晶圆进行平坦化处理的粒子束，粒子束的轴向与晶圆的预保留部分的上表面平行。遮挡部设置在粒子束生成器与晶圆的预保留部分之间，遮挡部用于至少遮挡射向晶圆的预保留部分的粒子束。所述平坦化装置用于对晶圆进行平坦化处理。
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公开(公告)号：CN114308798A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202011081313.6
申请日：2020-10-10
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明提供了一种清洗组件，该清洗组件包括旋转支撑组件、设置在晶圆一侧的清洗装置。清洗装置包括第一喷头组件、第二喷头组件及超声波振动装置，第一喷头组件位于晶圆一侧且向晶圆表面喷淋清洗液；第二喷头组件与第一喷头组件位于晶圆的相同侧，第二喷头组件位于第一喷头组件的下方，第二喷头组件向晶圆表面喷淋清洗气体；超声波振动装置设置在第一喷头组件及第二喷头组件之间。第二喷头组件喷淋出的清洗气体能够阻挡从第一喷头组件喷淋到晶圆表面的清洗液向下流动，以在超声波振动装置及晶圆表面之间形成超声波振动装置向晶圆表面发射超声波的媒介。使清洗装置与晶圆表面没有物理上的接触，从而减少对晶圆表面的划伤，减少晶圆表面的划痕。
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