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公开(公告)号：CN111865234B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202010758658.4
申请日：2020-07-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种紧凑型宽带Doherty功率放大器，属于射频功率放大器技术领域，解决了现有的Doherty功率放大器只考虑单频点的匹配造成的宽带性能较差的问题。包括功分器、载波功率放大电路、峰值功率放大电路和后匹配网络，峰值功率放大电路包括切比雪夫输入匹配网络，当功分器输入端输入低功率信号时，峰值功率放大电路的负载阻抗无穷大，由载波功率放大电路实现输入信号的放大；当功分器输入端输入高功率信号时，切比雪夫输入匹配网络的输出阻抗匹配于峰值功率放大电路中峰值功率放大器的最佳源阻抗，与载波功率放大电路共同实现输入信号的放大。有效抑制了峰值功率放大器的开启点随频率偏移的现象，改善了放大器的宽带性能。
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公开(公告)号：CN115225045A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202110432310.0
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开一种电压转换器、方法及电子设备，涉及电路设计技术领域，以提高功率放大器的功率回退效率。所述电压转换器包括：电连接的驱动单元和全桥功率放大单元。所述驱动单元用于接入两对具有时延的差分信号，将所述差分信号进行两次放大及电平转移，获得两对具有时延的驱动信号；每对所述差分信号的摆幅小于预设摆幅。所述全桥功率放大单元用于在所述驱动信号的控制下，根据直流电压输出三电平信号。所述电子设备包括上述技术方案所提的电压转换器。所述电压转换方法应用上述电压转换器。
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公开(公告)号：CN113437942A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110851718.1
申请日：2021-07-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种宽带功分器和宽带功率放大器，属于通信技术领域，尤其涉及，解决了现有功分器带宽较窄造成的工作效率较差，以及面积较大造成的成本消耗问题的问题。宽带功分器包括第一电容器连接在所述宽带功分器的输入端口和第一输出端口之间；第二电容器与所述第一电容器并联，并连接在所述宽带功分器的输入端口和第二输出端口之间；第一电感器，连接在所述宽带功分器的输入端口和第一电源电压之间；以及第二电感器和所述隔离电阻器，并联连接，并且连接所述第一输出端口和所述第二输出端口之间。实现了减少了电感器的数量，进而减小了功分器的面积，有效拓展了功分器的带宽。
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公开(公告)号：CN113271067A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110614139.5
申请日：2021-06-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03F1/07
Abstract: 本发明提供了一种基于去匹配结构的Doherty功率放大器及电子设备，在该Doherty功率放大器中，无需单独设计输入匹配电路、输出匹配电路以及开路补偿线，简化了Doherty功率放大器的结构；并且，通过优化Peak功放路的第二漏极偏置电压端的电压，以调整所述Peak功放输出饱和功率时对应的最优负载阻抗，进而缓解所述Peak功放的输出失配；并且Carrier功放路的第一漏极偏置电压端的电压与Peak功放路的第二漏极偏置电压端的电压不同，可以拓展Doherty功率放大器的功率回退量；进而提高Doherty功率放大器的性能。
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公开(公告)号：CN109245730A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810957215.0
申请日：2018-08-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供一种开关功率放大器，其包括：驱动模块，用于将输入信号初步放大以生成驱动信号；末级放大电路模块，其包括D类功率放大电路，该末级放大电路模块由所述驱动信号驱动，用于将所述驱动信号放大并输出放大后的信号；自举电路模块，用于提高所述D类功率放大电路的输出端的电压，以减小驱动所述末级放大电路模块时产生的功耗。本发明还提供一种包括上述开关功率放大器的数字发射机。本发明通过引入自举电路结构，可以有效减少电路的驱动功耗，从而有效提升电路的工作效率，进而提高整个数字发射机的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102435343B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110259249.0
申请日：2011-09-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET栅端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该装置测量FET沟道温度的方法，该方法利用了FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系，简便、快速；该方法不需要使用数学方法进行拟合、求解和外推，数据处理过程可以消除测量系统中的系统误差，从而提高测量的精度。并且，FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系曲线可以用于分析FET的热阻、制定FET的散热策略、确定FET加速寿命条件。
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公开(公告)号：CN102955113A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201110236600.4
申请日：2011-08-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种测量GaN基器件热可靠性的方法，包括：测量多个被测GaN基器件在不同栅压下漏压和漏电流的大小，并计算得到该多个被测GaN基器件的直流稳态功率；采用显微红外热像仪测量该多个被测GaN基器件的峰值结温，由该峰值结温计算得到该多个被测GaN基器件的峰值热阻；采用数学拟和得到该多个被测GaN基器件的峰值结温与直流稳态功率之间的关系以及峰值热阻与直流稳态功率之间的关系；结合得到的峰值结温与直流稳态功率之间的关系以及峰值热阻与直流稳态功率之间的关系，分析该多个被测GaN基器件的显微红外热像图，实现对GaN基器件热可靠性的测量。本发明实现了对GaN基HEMT器件热可靠性有效评估，对器件的结构优化和器件工艺的改进都具有重要的指导意义。
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公开(公告)号：CN102479745A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201010561133.8
申请日：2010-11-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种适用于氮化镓微波单片集成电路的场板金属制备方法，包括如下步骤：在氮化镓微波单片集成电路芯片的二次介质Si3N4层上依次旋涂PMGI光刻胶层和AZ5214E反转光刻胶层，通过光刻、反转烘片、泛曝光完成光刻工艺；再通过两步显影形成金属场板层图案；，用金属蒸发台通过蒸发的方法形成Ti/Au场板金属层，之后用丙酮将光刻胶上的Ti/Au场板金属层进行剥离。本发明解决了场板制作光刻过程中光刻胶与Si3N4介质黏附性差的问题，保证了HEMT场板工艺的顺利进行，提高了MIM电容的良品率，实现了有源器件和无源器件工艺的良好兼容，能显著提高整个电路的成品率和性能。
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公开(公告)号：CN102427034A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110375079.2
申请日：2011-11-23
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法，包括：在GaAs晶片正面涂覆光刻胶，在该光刻胶上喷涂第一粘附剂；在蓝宝石载物片表面喷涂第二粘附剂，将该蓝宝石载物片表面与该GaAs晶片正面黏合；将黏合有GaAs晶片的该蓝宝石载物片安装在减薄夹具上；对该GaAs晶片背面进行初步减薄抛光；测量减薄后该GaAs晶片的厚度，当厚度小于100μm时停止减薄抛光；将该黏合有GaAs晶片的蓝宝石载物片再次装入夹具进行精密抛光；监控减薄后该GaAs晶片的厚度，当该GaAs晶片的厚度≤30μm，停止抛光，并对该黏合有GaAs晶片的蓝宝石载物片进行清洗。本发明提供的对超薄厚度GaAs晶片进行镜面抛光减薄的方法，避免了引入大尺寸的划伤，降低了GaAs表面损伤，粗糙度Ra达到很好的程度。
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公开(公告)号：CN102313613A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110223026.9
申请日：2011-08-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET漏端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该装置测量FET沟道温度的方法，该方法利用了FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系，简便、快速；该方法不需要使用数学方法进行拟合、求解和外推，数据处理过程可以消除测量系统中的系统误差，从而提高测量的精度。并且，FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系曲线可以用于分析FET的热阻、制定FET的散热策略、确定FET加速寿命条件。
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