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公开(公告)号：CN102502481A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110343625.4
申请日：2011-11-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明公开了一种基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置，该系统包括真空腔室、支架平台、键合装置、电流源和真空泵组，其中：真空腔室，用于提供键合所需的真空或惰性气氛；键合装置，位于真空腔室内部的支架平台上，用于对待键合圆片提供键合压力，并向外部电流源和待键合圆片提供电气连接通路；电流源，通过真空腔室侧壁上的电学穿通件与键合装置相连，为待键合圆片键合区域的电阻丝提供电流，实现局域电阻加热；真空泵组，连接于真空腔室底部，用于对真空腔室抽真空。本发明提供的键合系统及装置，结构紧凑，制作和组装简单，在高真空或可控惰性气体中完成键合，可避免键合过程中氧化物的形成及其对键合质量产生的不良影响。
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公开(公告)号：CN102005535B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201010283557.2
申请日：2010-09-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种平面相变存储器的制备方法，包括：在衬底上依次生长一层电热绝缘材料层，相变材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成基底；在相变材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和相变材料层表面的侧墙材料层，在基底材料层的侧面将形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；去掉除了侧墙底部以外的所有相变材料，从而形成由侧墙和相变材料层构成的叠层侧墙；在该侧墙的一条边上搭上一条制作电极的金属层；去除侧墙以及侧墙表面上的金属层，从而形成中间夹有相变材料层的nano-gap电极；最后淀积一层绝缘材料，再在nano-gap电极两边的金属层上开孔并引出电极，完成平面相变存储器的制作。
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公开(公告)号：CN101764196B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200810240934.7
申请日：2008-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种纳米尺寸相变存储器的制作方法，首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料，然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属NANOGAP，最后再一次利用侧墙工艺制备出一条纳米尺寸的相变材料，纳米相变条填充在金属隙缝中，钝化开孔引出电极，最后制备出了纳米尺寸的相变存储器件。本发明不仅避免了使用电子束曝光的成本高、周期长的缺陷，只采用光刻和两步侧墙工艺，便制备出了纳米尺寸的相变存储器，在突破光刻分辨率限制及提高器件制备效率等方面具有很大的优越性；而且还避免了淀积和干法刻蚀侧墙基底的工艺，具有很大的优越性。
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公开(公告)号：CN101470347B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200710304255.7
申请日：2007-12-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明是一种环形孔阵列结构的二维光子晶体的制作方法。包括：使用清洗液清洗SOI材料称底；在SOI称底上甩电子束胶，并进行前烘；以设计版图为掩模，进行电子束曝光；通过剂量补偿的方法对版图进行修正，消除图形进行电子束曝光时会受邻近效应的影响导致的曝光图形大小不一致；进行显影和定影，并进行后烘，形成环形阵列结构；刻蚀SOI材料的顶层硅，形成环形空气孔状阵列结构，孔中间为硅柱，完成二维光子晶体的制作。本发明实现了纳米量级的环形结构的制作工艺，该光子晶体结构在高频段出现了禁带，实现了制备具有高频段禁带的新型光子晶体结构。
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公开(公告)号：CN102201483A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110124310.0
申请日：2011-05-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/18 , B81C1/00
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种硅纳米线光栅谐振增强型光电探测器，包括：一硅衬底；一氧化硅层，该氧化硅层制作在硅衬底上；一工形台面结构，该工形台面结构制作在氧化硅层上，该工形台面结构的两端为P型电极和N型电极，该P型电极和N型电极之间连接有硅纳米线光栅共振腔结构；一保护层，该保护层制作在工形台面结构的表面和侧面，在工形台面结构的两端的P型电极和N型电极上开有电极窗口；一金属栅电极，该金属栅电极制作在硅纳米线共振腔结构的保护层上，并靠近N型电极的一侧；两光电流输出金属电极，该光电流输出金属电极制作在工形台面结构的P型电极和N型电极上保护层的电极窗口内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102130026A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010601975.1
申请日：2010-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法，通过选用富锡Sn合金成分Sn＝54％-71％，设计金锡厚度分别小于2.1μm和0.7μm，在一定压强、温度和时间内进行了金锡合金键合，形成了以具有高维氏硬度的AuSn2相(即ε相)为主的中间层，实现了低成本、高键合强度的圆片级低温封装方法。键合温度在140-310℃范围内，可实现高达20-64MPa的键合强度。这一低成本、高键合强度的圆片级低温封装方法可应用于任意基片上器件的封装。
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公开(公告)号：CN102054691A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910237096.2
申请日：2009-11-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/335
Abstract: 一种纳流体晶体管的制备方法，包括：在衬底上生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；用光刻和干法刻蚀的方法去除基底材料层的四边，形成制备侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面的和电热绝缘材料层表面的侧墙材料层，形成高和宽均为纳米尺寸的侧墙；去除基底材料层；在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作纳流管道的抗腐蚀绝缘材料层；再在抗腐蚀绝缘材料层上搭上一条制作栅电极的抗腐蚀的金属层；去除侧墙材料层，保留抗腐蚀绝缘材料层和抗腐蚀的金属层，形成一纳流管道，并注入纳流体；钝化并在管道两端和金属层上方开孔，引出三端电极即形成纳流体晶体管。
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公开(公告)号：CN101997538A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200910091405.X
申请日：2009-08-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H03K19/094 , H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种基于脉冲耦合的硅纳米线CMOS神经元电路，该电路由树突电路、积分求和器和脉冲发生电路三部分依次连接构成。该脉冲耦合神经元电路的特点是输出和输入均为脉冲序列串，该电路的器件均为硅纳米线CMOS晶体管。树突电路由一组并联的P型纳米线MOS晶体管与一N型纳米线MOS晶体管通过漏端节点相串联而构成CMOS电路，P型纳米线MOS晶体管的源端输入脉冲电压信号；积分求和器由一电容C∑构成，该电容与树突电路中的P型与N型纳米线MOS晶体管的漏端节点相连接，积累加权电流形成触发电压信号；脉冲发生电路由偶数个串联的CMOS反相器与树突CMOS电路形成反馈回路，产生脉冲序列串输出，输出脉冲序列串的频率受到输入电压脉冲信号的调制。
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公开(公告)号：CN101905857A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010235859.2
申请日：2010-07-21
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，该方法是利用光刻胶这种高分子材料来阻断器件的结构层材料与贵金属在HF基腐蚀液中形成原电池的电学通路，具体包括：在SiO2层的湿法腐蚀之前，在器件表面旋涂一层光刻胶，使其完全覆盖贵金属层表面。利用本发明，使光刻胶形成具有较低孔密度的致密体型高分子结构，阻断贵金属与结构层材料在HF基腐蚀液中的原电池电路，从而有效避免了结构层材料被氧化腐蚀。该方法仅在标准MEMS器件加工工艺中增加一步标准光刻步骤，就可以有效避免因结构层材料被电化学腐蚀而造成的器件性能下降，且工艺实施简单，同IC工艺相兼容，利于器件的批量化生产。
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公开(公告)号：CN101764195A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810240931.3
申请日：2008-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种制作纳米尺寸相变存储器的方法，首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料，然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属GAP，接着再一次利用侧墙工艺制备出纳米尺寸的相变材料，纳米相变材料填充在金属GAP中。钝化开孔引出电极，最后制备出纳米尺寸的相变存储器件。本发明避免了使用电子束曝光的成本高、周期长的缺陷，仅采用光刻和两步侧墙工艺，便制备出了纳米尺寸的相变存储器，在突破光刻分辨率限制及提高器件制备效率等方面具有很大的优越性。
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