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公开(公告)号：CN103808496A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201410077532.5
申请日：2014-03-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明提供了一种LED光源阵列投影测试装置，该LED光源阵列投影测试装置包括：扩束元件，位于被测试LED光源阵列的光路后端；投影元件，位于扩束元件的光路后端；以及投影面，位于投影元件的光路后端；其中，被测试LED光源阵列发出的光束经由扩束元件进行扩束放大后，由投影元件投影至投影面，被测试LED阵列中的单颗LED光源与投影面上的位置具有对应关系。本发明LED光源阵列投影测试装置仅使用透镜和反射镜即可将光源点阵模块通过类似投影的方式呈现在任意平面上，目测即可快速找到故障点，装置结构简单，测试过程方便快捷、成本较低。
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公开(公告)号：CN103700736A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310713492.4
申请日：2013-12-20
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/0066 , H01L33/0075
Abstract: 一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法，包括下列步骤：在第一基板上生长氮化镓外延膜，所述氮化镓基外延膜包含但不限于n型氮化物、有源层、p型氮化物；然后通过制作隔离槽，把氮化镓基外延膜分离成氮化镓基单元器件；以金属层作为金属中间层，并通过金属中间层将待剥离的单元器件与第二基板相结合；不需剥离的区域悬空于第二基板上，或在不需剥离区域与第二基板之间的间隙和隔离槽中填充保护材料；通过激光剥离方法将所有待剥离的单元器件从第一基板上剥离，转移到第二基板上形成氮化镓基单元器件的阵列。本发明实现了氮化镓基外延膜的选区剥离，把部分芯片转移到第二衬底上，随后可用于器件的晶圆级封装，提高了装配的灵活性和封装效率，降低了成本。
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公开(公告)号：CN103579461A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310553763.4
申请日：2013-11-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/3065 , H01L27/15 , H01L33/50 , H01L2933/0016 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明提供了一种制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法。该方法包括：步骤A，在衬底上生长GaN材料，制备GaN外延片；步骤B，通过深刻蚀工艺在所述GaN外延片上形成多个独立的LED结构；以及步骤F，对准不同列的LED结构，在蓝宝石衬底背面涂敷不同荧光粉，以形成红、绿、蓝LED芯片，从而形成晶圆级全彩LED显示阵列。本发明制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法由逐列涂覆的荧光粉直接在LED蓝宝石wafer上实现全彩显示，从而实现了晶圆级LED显示阵列的像素尺寸小于500um。
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公开(公告)号：CN103470992A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310449655.2
申请日：2013-09-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F21S2/00 , F21V7/00 , F21Y101/02
Abstract: 本发明公开了一种投影式照明系统，其包括：投影系统，用于提供投影式照明系统的投射光线。控制系统，用于控制各个系统之间的互联通信，反射系统，用于将投影系统发出的投射光线转换成特定范围内的照明光线。本发明提出的上述方案利用投影原理将基础光线投影至反射系统，利用该投影区域作为照明光源，经反射后的光线用于普通照明或特殊照明。该系统能够为照明环境提供最佳的灵活性，而高效光源和投影系统为该系统提供了足够的光利用效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103151445A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310067793.4
申请日：2013-03-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014
Abstract: 一种低热阻LED封装结构，其包括：LED芯片；一支撑电路板，包括：一电路板；一制作在电路板下的反射层和一制作在反射层下的金属导热层，该电路板的中间有一通孔，所述LED芯片位于电路板的通孔内，该LED芯片通过金属引线与电路板电性连接；一封胶层，该封胶层将电性连接好的LED芯片固封在支撑电路板中的电路板的通孔内。本发明的优点是无支架，该LED封装结构可以提高LED芯片的出光效率，并且使LED芯片产生的热量经过金属导热层迅速扩散，并传导到散热器表面，省掉传统封装结构的中间环节，热阻明显下降，亮度和可靠性得到提高，整体制作成本下降，提高了产品一致性。
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公开(公告)号：CN103107249A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310045570.8
申请日：2013-02-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种制备原位级发光二极管阵列结构的方法，其中每个发光二极管包括以下步骤：在一衬底上依次生长n型层、有源层和p型层；在p型层上面的一侧向下刻蚀，分别形成第一、第二台面；在第一、第二台面上向下制备导电通孔，并填充导电金属；制备绝缘层；制备p电极和n电极；将衬底减薄；制备第一背电极和第二背电极，形成发光二极管；利用荧光粉涂覆工艺，对阵列中的发光二极管涂覆可以被激发出不同颜色的荧光粉，并封装发光二极管；在衬底的背面制备金属化图形，将每一发光二极管电性连接；切割，完成原位级发光二极管阵列结构的制备。本发明简化了工艺路径，降低了全工艺成本。
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公开(公告)号：CN103001694A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210579519.0
申请日：2012-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/07 , H04B10/116
Abstract: 本发明提供了一种测试可见光通信系统中光源性能的装置。该装置包括：发射端组件，用于将电信号施加至被测试光源，生成发射角度可变的可见光测试信号；接收端组件，用于接收光测试信号，进行不同光通量条件下的被测试光源的性能测试。本发明能够测试光源在不同光通量条件下的性能。
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公开(公告)号：CN101847677B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201010143078.0
申请日：2010-04-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法，包括：第一步，生长缓冲层；第二步，生长电极层；其中，生长缓冲层时金属舟的温度比生长电极层低30至200℃；生长缓冲层时金属舟的载气流量是生长电极层时的1/10至1倍；生长缓冲层时衬底的温度比生长电极层时高0至150℃。利用本发明，有效改善了氧化锌透明电极的界面性质，降低了LED的工作电压和串联电阻。
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公开(公告)号：CN102255034A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110198226.3
申请日：2011-07-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种发光二极管封装结构，包括：一绝缘衬底的两侧开有通孔，并填充有导电金属；一n型层制作在绝缘衬底上，其上开有一孔，并填充有导电金属；一有源层制作在n型层上；一p型层制作在有源层上；一隔离层位于前述n型层、有源层和p型层的一侧并覆盖部分p型层的上表面；一p电极覆盖隔离层，并覆盖部分p型层的上表面；一n电极制作在n型层上面的一侧，与绝缘衬底上的通孔中的导电金属连接；一第一背电极制作在绝缘衬底的背面的一侧，该第一背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与p电极连接；一第二背电极制作在绝缘衬底的背面的另一侧，该第二背电极通过绝缘衬底上的通孔中的导电金属与n电极连接；前述各部分形成器件的基底；一光学元件封装于基底上，完成器件的制作。
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