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公开(公告)号：CN107425098A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710588774.4
申请日：2017-07-19
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/02 , H01L33/26
Abstract: 本发明公开了一种可实现纯紫外发光的ZnO基异质结发光二极管及制备方法，发光二极管包括蓝宝石衬底、AlN薄膜、n-ZnO纳米棒、p-GaN层和金属电极；方法包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长n-ZnO纳米线；采用磁控溅射法在p-GaN上溅射一层AlN薄膜；采用溅射法或者电子束蒸镀分别在n-ZnO和p型GaN一端制备具有欧姆接触的金属电极；将AlN薄膜/p-GaN紧扣在n-ZnO纳米棒阵列上面形成异质结，构成完整的器件。本发明在蓝宝石上直接生长ZnO纳米棒阵列，提高ZnO结晶度，提高电学性能，有效消除晶体质量差的问题；引入AlN隔离层，有效较少了结区的剩余电子，增加ZnO区载流子复合效率，实现纯ZnO紫外发光；n-ZnO纳米棒阵列/AlN/p-GaN异质结发光二极管，发光位置在385nm左右，半峰宽为14.5nm。
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公开(公告)号：CN102904158B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201210402497.0
申请日：2012-10-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种构筑电泵浦回音壁模ZnO紫外微激光器的制备方法。该方法利用气相传输法或水热法制备出ZnO微米棒单晶，然后将单根ZnO微米棒转移到有缓冲层的p型氮化镓(GaN)上，通过对缓冲层的处理，使ZnO微米棒与p型GaN之间形成接触良好的异质结。接着在其表面制备一层绝缘薄膜，采用反应离子刻蚀或者光刻技术把ZnO微米棒表面刻蚀出来，然后将石墨烯转移到ZnO微米棒上，使石墨烯与ZnO微米棒形成良好的接触；最后在p型GaN表面制备金属电极，构成完的石墨烯/n型ZnO微米棒/p型GaN异质结微激光器。该方法制备的微激光器利用了石墨烯的高载流子浓度和高透光性，可实现了高品质的紫外激光输出。
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公开(公告)号：CN103496695A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310460848.8
申请日：2013-09-30
Applicant: 东南大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种氮掺杂还原氧化石墨烯气凝胶的制备方法。该方法以普通天然石墨粉为碳源，利用制备氧化石墨，并在去离子水中超声剥离成氧化石墨烯水溶胶；在氧化石墨烯水溶胶中加入六次甲基四胺晶体形成混合液，将该混合液在通风橱中电磁搅拌的条件下加热至70—90℃，持续时间为2—4小时，得到氮掺杂还原氧化石墨烯水溶胶混合液。将得到的氮掺杂还原氧化石墨烯水溶胶混合液静置数小时，用去离子水洗涤水凝胶混合液数次后，再经过冷冻干燥或超临界干燥，得到泡沫状的氮掺杂还原氧化石墨烯气凝胶。本发明得到的气凝胶具有较高比表面积和立体三维结构，利用其优异的吸附性能，该气凝胶可能成为理想的水质净化剂、催化剂载体及高效复合材料。
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公开(公告)号：CN102520162B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201110364700.5
申请日：2011-11-17
Applicant: 东南大学
IPC: G01N33/558 , G01N27/48
Abstract: 本发明是一种检测糖蛋白的方法，利用氧化锌量子点标记糖蛋白；同时在电解池中的芯片上固定化一层凝集素，在一系列已知浓度的待测糖蛋白溶液中，使标记了氧化锌量子点的糖蛋白和芯片上的凝集素进行特异性结合，把标记在糖蛋白上的氧化锌量子点连接到芯片上，再采用氧化锌量子点标记糖蛋白的溶出伏安法凝集素测定方法，因为标记的糖蛋白和待测的糖蛋白和凝集素结合能力的不同，不同浓度的待测糖蛋白会取代芯片上标记的糖蛋白，用溶出伏安法测定溶出的芯片上留下的锌离子的浓度，建立锌离子浓度与糖蛋白浓度之间的关系，从而确定待测糖蛋白浓度。
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公开(公告)号：CN102545060B
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210014194.1
申请日：2012-01-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种微激光二极管阵列的制备方法，首先在P型氮化镓(GaN)薄膜表面旋涂一层p型聚合物半导体薄膜(如聚乙烯基咔唑（PVK）、聚芴（PF）、聚对苯乙烯撑（PPV）、聚-3烷基噻吩(P3HT)及其衍生物等p型聚合物半导体)，然后将单根氧化锌（ZnO）微米棒集成在p型聚合物薄膜表面形成异质结，将透明导电薄膜（如：氧化铟锡（ITO）、氧化锌铝（ZAO）等）镀在透明玻璃上，然后再在透明导电玻璃的一端镀一层金（Au）电极，然后将其扣在表面集成有ZnO微米棒上面，然后在透明导电玻璃和p-GaN之间注入环氧乙酯。最后在p-GaN表面制备具有欧姆接触的电极，构成完整的器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102904158A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210402497.0
申请日：2012-10-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种构筑电泵浦回音壁模ZnO紫外微激光器的制备方法。该方法利用气相传输法或水热法制备出ZnO微米棒单晶，然后将单根ZnO微米棒转移到有缓冲层的p型氮化镓(GaN)上，通过对缓冲层的处理，使ZnO微米棒与p型GaN之间形成接触良好的异质结。接着在其表面制备一层绝缘薄膜，采用反应离子刻蚀或者光刻技术把ZnO微米棒表面刻蚀出来，然后将石墨烯转移到ZnO微米棒上，使石墨烯与ZnO微米棒形成良好的接触；最后在p型GaN表面制备金属电极，构成完的石墨烯/n型ZnO微米棒/p型GaN异质结微激光器。该方法制备的微激光器利用了石墨烯的高载流子浓度和高透光性，可实现了高品质的紫外激光输出。
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公开(公告)号：CN115296143B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202210872746.6
申请日：2022-07-21
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于GaN纳米带的法布里‑珀罗紫外激光器及其制备方法以及激光模式调控方法。本发明提供的激光器包括：GaN纳米带、石英玻璃、铟粒，GaN纳米带通过铟粒固定在石英玻璃上；所述的GaN纳米带由GaN外延片依次经过紫外光刻、ICP干法刻蚀、电化学剥离制备而成。本发明还提供了一种激光模式调控方法，包括通过改变KOH溶液的湿法腐蚀时间，控制GaN纳米带的腔体尺寸，实现激光模式的调控。本发明公开的基于GaN纳米带的法布里‑珀罗紫外激光器，结构简单、制备方便，激光阈值低，品质因子高，具有优良的激光性能；本发明公开的激光模式调控方法，可快速实现稳定的单模激光输出，为高性能单模激光的制备提供了一定的技术支持。
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公开(公告)号：CN116099555B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202211437072.3
申请日：2022-11-16
Applicant: 东南大学
IPC: B01J27/057 , B01J37/10 , B01J37/34 , C02F1/30 , C02F1/467 , C02F101/38 , C02F101/34
Abstract: 本发明涉及一种ZnO基三元Z型结构光催化剂的制备方法，包括，种子层制备‑生长ZnO纳米棒阵列‑磁控溅射Bi纳米粒子‑ZnO/Bi/CdTe双壳层复合物的构建‑有机污染物的光催化降解。本发明方法结合了Bi纳米粒子的可见光及近红外光高响应的优势，有效扩展了ZnO/CdTe的光响应范围。该方法选用透光率高、导电性好的氧化铟锡导电玻璃作为基底，所制备的复合材料具有比单纯的ZnO、ZnO/CdTe更高的光降解性能，在太阳光下对对硝基苯酚的降解效率高达89.65％。
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公开(公告)号：CN112661654B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202011501756.6
申请日：2020-12-18
Applicant: 东南大学
IPC: C07C209/68 , C07C211/04 , C01G21/00 , C09K11/06 , C09K11/66
Abstract: 本发明公开了一种原位连续调节钙钛矿材料，分子式为APbE3‑xFx，A为MA或Cs，E、F选自Cl、Br、I中不同的两种，x＝aln(t+t0)+c，其中，0≤x≤3，t为反应时间，a、c、t0为修正参数。本发明还公开了一种简易可控、成本低廉的调控的原位连续调节钙钛矿材料的制备方法，包括以下步骤：步骤一，制备钙钛矿前驱体；步骤二、将溴源或氯源或碘源固体粉末的石英舟放置在石英管中间，将前驱体钙钛矿放在石英管的炉塞口处；步骤三，向石英管通入保护气体排气；步骤四，将石英管加热到60～400℃，冷却至室温。本发明采用气相/固相阴离子交换方法，原材料成本低廉，并且该方法操作简易、可控程度高，工艺简单。
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公开(公告)号：CN117030073A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310892376.7
申请日：2023-07-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种核壳异质结应力传感器，包括柔性衬底，柔性衬底的表面设置n‑GaN纳米带；n‑GaN纳米带的一端包裹p‑ZnTe壳层，另一端暴露；n‑GaN纳米带暴露的一端设置In电极作为负极，p‑ZnTe壳层上设置In电极作为正极。本发明还公开了核壳异质结应力传感器的制备方法，包括以下步骤：采用电化学剥离法将n‑GaN纳米带从外延片上释放；将独立的n‑GaN纳米带转移至柔性衬底表面；用PDMS层遮挡n‑GaN纳米带一端；采用磁控溅射法，在纳米带未遮挡端沉积p‑ZnTe壳层；去掉PDMS层遮挡，在n‑GaN纳米带暴露端和p‑ZnTe壳层上磁控溅射In电极。本发明有效降低暗电流，提升响应灵敏度。
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