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公开(公告)号：CN103361044A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310296798.4
申请日：2013-07-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化石墨烯片包裹氧化锌量子点核壳结构的制备方法，包括：第一步：在通风橱内燃烧碳氢化合物，产生烟灰，用烧杯倒扣在碳氢化合物燃烧的火焰正上方，收集高纯烟灰；第二步：利用改进的制备氧化石墨的方法并结合超声剥离制备氧化石墨烯纳米片水溶液；第三步：采用溶胶凝胶法制备氧化锌量子点的乙醇溶液；第四步：将ZnO量子点的乙醇溶液分批加入氧化石墨烯纳米片水溶液中，形成第一混合溶液，对第一混合溶液加热，之后室温下自然冷却，得到氧化石墨烯纳米片包裹ZnO量子点形成的核壳结构的水溶液。该制备方法操作简单，低温可控，并且得到的核壳结构形貌可控、分散均匀、稳定性好。
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公开(公告)号：CN103311803B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310234208.5
申请日：2013-06-13
Applicant: 东南大学
IPC: H01S5/10
Abstract: 石墨烯增强氧化锌紫外激光微腔及其制备方法，结构为化学气相沉积（CVD）方法制备的单根ZnO微米棒表面覆盖有CVD方法或机械剥离法制备的单层石墨烯。将利用CVD方法或机械剥离法制备的单层石墨烯转移覆盖至CVD方法制备的单根ZnO微米棒表面，形成石墨烯/ZnO微米棒复合结构微腔。本发明利用边界光滑的单根ZnO微米棒形成天然的回音壁模激光微腔，光学损耗小，更利于微激光的形成。利用CVD方法或机械剥离法制备的单层石墨烯覆盖至ZnO微米棒表面，形成石墨烯/ZnO微米棒复合结构微腔。通过石墨烯表面等离激元共振(SPR)能量传递，能有效降低激射阈值，提高微激光器品质因子，增强其紫外激光强度。
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公开(公告)号：CN104242053A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410491749.0
申请日：2014-09-23
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种ZnO单模紫外激光的实现与增强方法，将利用化学气相沉积法或机械剥离法制备的单层石墨烯转移覆盖至直径在亚微米量级的单根ZnO纳米线表面，形成石墨烯/ZnO纳米线复合结构微腔。通过石墨烯表面等离子体对光场的有效限域，能大大减小ZnO纳米线的光学损耗，有效降低激射阈值，进而提高微激光器品质因子，增强其紫外激光强度。本发明为合成高性能光电器件提供了一种非常有益的方法，同时也开辟了其在包括超快信息处理，纳米显微成像，纳米光刻技术，以及生物医学和超传感等方面的潜在应用。
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公开(公告)号：CN102545060A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210014194.1
申请日：2012-01-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种微激光二极管阵列的制备方法，首先在P型氮化镓(GaN)薄膜表面旋涂一层p型聚合物半导体薄膜(如聚乙烯基咔唑（PVK）、聚芴（PF）、聚对苯乙烯撑（PPV）、聚-3烷基噻吩(P3HT)及其衍生物等p型聚合物半导体)，然后将单根氧化锌（ZnO）微米棒集成在p型聚合物薄膜表面形成异质结，将透明导电薄膜（如：氧化铟锡（ITO）、氧化锌铝（ZAO）等）镀在透明玻璃上，然后再在透明导电玻璃的一端镀一层金（Au）电极，然后将其扣在表面集成有ZnO微米棒上面，然后在透明导电玻璃和p-GaN之间注入环氧乙酯。最后在p-GaN表面制备具有欧姆接触的电极，构成完整的器件。
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公开(公告)号：CN104261392B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410488031.6
申请日：2014-09-22
Applicant: 东南大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种硼酸根离子交联的导电石墨烯纸的制备方法，采用改进的Hummers法制备氧化石墨，并在去离子水中超声剥离得到氧化石墨烯水溶胶；然后，在氧化石墨烯水溶胶中加入氢氧化钠溶液调节pH至10～12，再加入硼酸，在搅拌的条件下加热至80～90℃，保温3～5h，后自然冷却，分离，洗涤，超声分散于去离子水中,最后通过微孔滤膜过滤层层自组装得到硼酸根离子交联的石墨烯纸。本发明制备方法简单，操作方便，无需特殊的设备，并且成本低廉，容易批量生产。得到的石墨烯纸具有优良的导电性能，该导电石墨烯纸有可能成为应用于光电子器件的理想导电材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104261392A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410488031.6
申请日：2014-09-22
Applicant: 东南大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种硼酸根离子交联的导电石墨烯纸的制备方法，采用改进的Hummers法制备氧化石墨，并在去离子水中超声剥离得到氧化石墨烯水溶胶；然后，在氧化石墨烯水溶胶中加入氢氧化钠溶液调节pH至10～12，再加入硼酸，在搅拌的条件下加热至80～90℃，保温3～5h，后自然冷却，分离，洗涤，超声分散于去离子水中，最后通过微孔滤膜过滤层层自组装得到硼酸根离子交联的石墨烯纸。本发明制备方法简单，操作方便，无需特殊的设备，并且成本低廉，容易批量生产。得到的石墨烯纸具有优良的导电性能，该导电石墨烯纸有可能成为应用于光电子器件的理想导电材料。
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公开(公告)号：CN103361044B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310296798.4
申请日：2013-07-16
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种氧化石墨烯片包裹氧化锌量子点核壳结构的制备方法，包括：第一步：在通风橱内燃烧碳氢化合物，产生烟灰，用烧杯倒扣在碳氢化合物燃烧的火焰正上方，收集高纯烟灰；第二步：利用改进的制备氧化石墨的方法并结合超声剥离制备氧化石墨烯纳米片水溶液；第三步：采用溶胶凝胶法制备氧化锌量子点的乙醇溶液；第四步：将ZnO量子点的乙醇溶液分批加入氧化石墨烯纳米片水溶液中，形成第一混合溶液，对第一混合溶液加热，之后室温下自然冷却，得到氧化石墨烯纳米片包裹ZnO量子点形成的核壳结构的水溶液。该制备方法操作简单，低温可控，并且得到的核壳结构形貌可控、分散均匀、稳定性好。
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公开(公告)号：CN102545046B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201210014092.X
申请日：2012-01-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 回音壁模微腔激光二极管的制备方法，首先在P型氮化镓薄膜表面旋涂一层P型聚合物半导体薄膜（如聚乙烯基咔唑PVK、聚芴PF、聚对苯乙烯撑PPV、聚-3烷基噻吩P3HT及其衍生物等P型聚合物半导体），然后将单根氧化锌微米棒集成在p型聚合物薄膜表面形成异质结，然后在集成有ZnO微米棒的片子上旋涂一层绝缘薄膜（如：聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，聚二甲基硅氧烷PDMS,二氧化硅SiO2,三氧化二铝Al2O3等有机或者无机透明绝缘材料），通过反应离子刻蚀或者光刻工艺把ZnO微米棒表面暴露，接着在ZnO微米棒表面制备透明电极（如：氧化铟锡ITO、氧化锌铝ZAO等），最后在p型GaN表面制备具有欧姆接触的金属电极，构成完整的器件。
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公开(公告)号：CN102623891A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210014439.0
申请日：2012-01-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种n型氧化锌微米棒/p型氮化镓微激光器阵列的制备方法。该方法首先利用气相传输法或水热法制备出氧化锌（ZnO）微米棒单晶，然后将单根ZnO微米棒集成在表面镀有一层金属锌（Zn）薄膜的p型氮化镓(GaN)，经过退火后，金属Zn薄膜完全变为ZnO薄膜，这样ZnO微米棒与p型GaN之间就形成了异质结。在镀有透明导电薄膜（如：氧化铟锡（ITO）、氧化锌铝（ZAO）等）玻璃一端再镀上一层金（Au）电极，然后将透明导电玻璃的扣在集成好ZnO微米棒的p型GaN衬底上，在透明导电玻璃和p型GaN之间注入环氧乙酯，通过对环氧乙酯退火固定器件的内部结构，最后在p型GaN表面制备电极,构成完整的器件。
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公开(公告)号：CN102570304A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210013790.8
申请日：2012-01-17
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种微纳米激光二极管的制备方法，该方法首先在P型氮化镓(GaN)薄膜表面旋涂一层P型聚合物半导体薄膜，如聚乙烯基咔唑(PVK)、聚芴（PF）、聚对苯乙烯撑(PPV)、聚-3烷基噻吩(P3HT)及其衍生物等P型半导体聚合物，然后将单根氧化锌(ZnO)微米棒集成在旋涂p型半导体聚合物的p型GaN薄膜表面形成异质结，然后在集成有ZnO微米棒的p型GaN表面制备一层绝缘薄膜（如：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，聚二甲基硅氧烷(PDMS),二氧化硅(SiO2),三氧化二铝(Al2O3)等有机或者无机透明绝缘材料），接着采用反应离子刻蚀或者光刻技术把ZnO微米棒表面刻蚀出来，最后分别在GaN和ZnO微米棒表面制备具有欧姆接触的金属电极，构成完整的器件。
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