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公开(公告)号：CN107634125B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201710800153.8
申请日：2017-09-07
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种双向发光二极管及其制备方法，该二极管为GaN‑石墨烯‑MgO‑ZnO微米棒双向发光二极管，自下而上依次由p型的GaN层、石墨烯层、MgO层、ZnO微米棒组成，在氮化镓层上还设有侧面电极，在氧化锌层上有正面电极。其制备步骤如下：1)在GaN层上添加石墨烯层；2)在石墨烯层的上表面镀MgO层；3)在硅片上制备ZnO微米棒阵列；4)将ZnO微米棒转移到MgO层上表面，构成氮化镓‑石墨烯‑氧化镁‑氧化锌异质结；5)在GaN层表面制备侧面电极，在ZnO微米棒表面覆盖正面电极。本发明的双向发光二极管利用石墨烯增强结区的电流注入，在正反偏压下均可发光，亮度高，制备工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN107845700B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201711122070.4
申请日：2017-11-14
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏的ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列紫外光探测器的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长ZnO纳米棒阵列；采用磁控溅射法在ZnO纳米棒上溅射不同厚度的AlN鞘层薄膜；采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列两端制备具有欧姆接触的金属电极，构成完整的器件。本发明通过简单的磁控溅射方法，控制溅射时间，在ZnO纳米棒上生长不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘层薄膜，制备的ZnO/AlN核鞘光探测器件不仅具有更好的紫外光响应，在360nm紫外光照射下，电压为5V时，明暗电流比为5.5×103，提高了一个数量级，同时具有更快速的响应和恢复时间，分别是0.883和0.956s。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107425098B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201710588774.4
申请日：2017-07-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种可实现纯紫外发光的ZnO基异质结发光二极管的制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长n‑ZnO纳米线；采用磁控溅射法在p‑GaN上溅射一层AlN薄膜；采用溅射法或者电子束蒸镀分别在n‑ZnO和p型GaN一端制备具有欧姆接触的金属电极；将AlN薄膜/p‑GaN紧扣在n‑ZnO纳米棒阵列上面形成异质结，构成完整的器件。本发明在蓝宝石上直接生长ZnO纳米棒阵列，提高ZnO结晶度，提高电学性能，有效消除晶体质量差的问题；引入AlN隔离层，有效较少了结区的剩余电子，增加ZnO区载流子复合效率，实现纯ZnO紫外发光；n‑ZnO纳米棒阵列/AlN/p‑GaN异质结发光二极管，发光位置在385nm左右，半峰宽为14.5nm。
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公开(公告)号：CN107845700A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711122070.4
申请日：2017-11-14
Applicant: 东南大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/101 , H01L31/0296 , H01L31/035227 , H01L31/1836
Abstract: 本发明公开了一种高灵敏的ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列紫外光探测器及其制备方法，紫外光探测器包括蓝宝石衬底、ZnO纳米棒阵列、AlN鞘层薄膜和金属电极；方法包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长ZnO纳米棒阵列；采用磁控溅射法在ZnO纳米棒上溅射不同厚度的AlN鞘层薄膜；采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列两端制备具有欧姆接触的金属电极，构成完整的器件。本发明通过简单的磁控溅射方法，控制溅射时间，在ZnO纳米棒上生长不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘层薄膜，制备的ZnO/AlN核鞘光探测器件不仅具有更好的紫外光响应，在360nm紫外光照射下，电压为5V时，明暗电流比为5.5×103，提高了一个数量级，同时具有更快速的响应和恢复时间，分别是0.883和0.956s。
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公开(公告)号：CN107634125A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710800153.8
申请日：2017-09-07
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种双向发光二极管及其制备方法，该二极管为GaN-石墨烯-MgO-ZnO微米棒双向发光二极管，自下而上依次由p型的GaN层、石墨烯层、MgO层、ZnO微米棒组成，在氮化镓层上还设有侧面电极，在氧化锌层上有正面电极。其制备步骤如下：1)在GaN层上添加石墨烯层；2)在石墨烯层的上表面镀MgO层；3)在硅片上制备ZnO微米棒阵列；4)将ZnO微米棒转移到MgO层上表面，构成氮化镓-石墨烯-氧化镁-氧化锌异质结；5)在GaN层表面制备侧面电极，在ZnO微米棒表面覆盖正面电极。本发明的双向发光二极管利用石墨烯增强结区的电流注入，在正反偏压下均可发光，亮度高，制备工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN107555468A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710800339.3
申请日：2017-09-07
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种多孔氧化锌-银微球的制备方法及其应用，其制备过程包括以下步骤：以ZnCl2、六次甲基四胺和Na3C6H5O7·2H2O为原料，按不同比例将Na3C6H5O7·2H2O溶液加入到ZnCl2和六次甲基四胺的混合溶液中，通过水热法合成ZnO微球，经退火得到多孔ZnO微球，将多孔ZnO微球浸没在AgNO3和NaNO3的混合溶液中，并在紫外灯下照射反应得到多孔氧化锌-银微球。该方法的制备条件简单，简单易操作，此外ZnO纳米颗粒与Ag纳米颗粒之间的紧密连接，使其成为一种可循环利用高效的光催化剂，并且可以作为表面增强拉曼检测的基底，构建了一种多功能的多孔ZnO-Ag微球。
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公开(公告)号：CN107425098A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710588774.4
申请日：2017-07-19
Applicant: 东南大学
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/0075 , H01L33/02 , H01L33/26
Abstract: 本发明公开了一种可实现纯紫外发光的ZnO基异质结发光二极管及制备方法，发光二极管包括蓝宝石衬底、AlN薄膜、n-ZnO纳米棒、p-GaN层和金属电极；方法包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长n-ZnO纳米线；采用磁控溅射法在p-GaN上溅射一层AlN薄膜；采用溅射法或者电子束蒸镀分别在n-ZnO和p型GaN一端制备具有欧姆接触的金属电极；将AlN薄膜/p-GaN紧扣在n-ZnO纳米棒阵列上面形成异质结，构成完整的器件。本发明在蓝宝石上直接生长ZnO纳米棒阵列，提高ZnO结晶度，提高电学性能，有效消除晶体质量差的问题；引入AlN隔离层，有效较少了结区的剩余电子，增加ZnO区载流子复合效率，实现纯ZnO紫外发光；n-ZnO纳米棒阵列/AlN/p-GaN异质结发光二极管，发光位置在385nm左右，半峰宽为14.5nm。
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