公开(公告)号：CN117714400A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202311621493.6

申请日：2023-11-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 王云涛 ,  虞文武 ,  张振华 ,  孟浩飞

IPC: H04L49/9047 ,  H04L49/90 ,  G06F12/0842 ,  G06F12/0868 ,  G06F13/22 ,  G06F13/32 ,  G06F9/50 ,  G06F9/52

Abstract: 本发明提供了针对龙芯3A国产软硬件平台的网络性能综合优化方法。本发明在国产网卡处通过优化的网卡驱动减少中断频率和拷贝次数，在数据转发时减少大量的DMA内存分配与释放操作，从而减少内存的反复操作以及系统的内存管理负担；数据包从国产网卡转发至国产操作系统内核后，在内核中通过中断轮转负载均衡的优化方法对产生的中断进行负载均衡，龙芯3A的每个处理器核都将参与网络中断处理，有效提升了网络吞吐量，降低了数据的丢包率；同时在内核协议栈中通过优化的cache锁降低数据存取频率。本发明针对龙芯3A处理器设计的基于国产软硬件平台的网络系统数据转发综合优化方法，可满足高宽带低时延的应用需求。

公开(公告)号：CN112661654B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202011501756.6

申请日：2020-12-18

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐春祥 ,  张振华 ,  石增良

IPC: C07C209/68 ,  C07C211/04 ,  C01G21/00 ,  C09K11/06 ,  C09K11/66

Abstract: 本发明公开了一种原位连续调节钙钛矿材料，分子式为APbE3‑xFx，A为MA或Cs，E、F选自Cl、Br、I中不同的两种，x＝aln(t+t0)+c，其中，0≤x≤3，t为反应时间，a、c、t0为修正参数。本发明还公开了一种简易可控、成本低廉的调控的原位连续调节钙钛矿材料的制备方法，包括以下步骤：步骤一，制备钙钛矿前驱体；步骤二、将溴源或氯源或碘源固体粉末的石英舟放置在石英管中间，将前驱体钙钛矿放在石英管的炉塞口处；步骤三，向石英管通入保护气体排气；步骤四，将石英管加热到60～400℃，冷却至室温。本发明采用气相/固相阴离子交换方法，原材料成本低廉，并且该方法操作简易、可控程度高，工艺简单。

公开(公告)号：CN112661654A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202011501756.6

申请日：2020-12-18

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐春祥 ,  张振华 ,  石增良

IPC: C07C209/68 ,  C07C211/04 ,  C01G21/00 ,  C09K11/06 ,  C09K11/66

Abstract: 本发明公开了一种原位连续调节钙钛矿材料，分子式为APbE3‑xFx，A为MA或Cs，E、F选自Cl、Br、I中不同的两种，x＝aln(t+t0)+c，其中，0≤x≤3，t为反应时间，a、c、t0为修正参数。本发明还公开了一种简易可控、成本低廉的调控的原位连续调节钙钛矿材料的制备方法，包括以下步骤：步骤一，制备钙钛矿前驱体；步骤二、将溴源或氯源或碘源固体粉末的石英舟放置在石英管中间，将前驱体钙钛矿放在石英管的炉塞口处；步骤三，向石英管通入保护气体排气；步骤四，将石英管加热到60～400℃，冷却至室温。本发明采用气相/固相阴离子交换方法，原材料成本低廉，并且该方法操作简易、可控程度高，工艺简单。

公开(公告)号：CN118498549A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410777640.7

申请日：2024-06-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 郭彤 ,  朱瑞召 ,  徐刚 ,  解琳琳 ,  张振华

IPC: E04B1/98 ,  E04B1/58 ,  E04H9/02

Abstract: 本发明涉及一种自复位黏弹性耗能连梁装置，其由左连梁肢(1)、右连梁肢(2)、左剪切板(3)、右剪切板(4)、黏弹性材料层(5)、自复位机构(6)和过载保护机构(7)组成。与现有技术相比，该连梁具有可在宽频域内耗散地震能力、优良变形能力、可同时控制结构的峰值位移、残余位移和峰值加速度、易更换等优点。

公开(公告)号：CN114989818A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210604235.6

申请日：2022-05-30

Applicant: 东南大学

Inventor： 徐春祥 ,  郭衡 ,  石增良 ,  陈金平 ,  张振华 ,  宋磊

IPC: C09K11/61 ,  C01G3/00 ,  G01N23/04 ,  G01T1/202

Abstract: 本发明公开了一种全无机无铅Cs3Cu2I5钙钛矿闪烁体薄膜及其应用，首先将碘化铯与碘化亚铜充分研磨，然后将研磨好样品放入石英舟并送入管式炉中心温度处，最后将清洗吹干后的玻璃片放入管式炉中，使用化学气相沉积法进行薄膜生长。本发明的所采用的方法与现有Cs3Cu2I5薄膜制备方法相比，具有操作简单、可控性强、可重复性好，能够实现大规模工业化生产；同时采用该方法制备的薄膜成膜性好、稳定性好、量子发光效率高，X射线响应度高，光产额高，可以用于高清X射线成像屏。