公开(公告)号：CN100397588C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN03816209.1

申请日：2003-08-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石桥清隆 ,  野泽俊久

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 等离子体处理装置具有收容基板(11)的腔室(1)、产生微波的高频电源(5)、和将微波放射至腔室(1)内的天线部(3)。在高频电源(5)中产生的微波，由导波管(6)送至天线部(3)。构成腔室(1)的隔壁的一部分的顶板部(4)配置在腔室(1)的上部。在该顶板部(4)的外周部分上，呈环状设置有使微波的传播延迟的由与顶板部(4)相同的材质构成的规定的路径延迟部(2)。这样，在等离子体处理装置中，可以抑制异常放电和异物的产生。

公开(公告)号：CN1799127A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480014926.0

申请日：2004-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  石桥清隆 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32266 ,  H01J37/32192 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种等离子体发生装置，可以抑制由产生等离子体引起的对被处理体的损坏，进行适当的等离子体处理。该等离子体处理装置至少包含：对被处理体进行等离子体处理的等离子体处理室；将所述被处理体配置在所述等离子体处理室内的被处理体保持机构；和在该等离子体处理室内产生等离子体的等离子体发生机构，其中等离子体发生机构使用可供给间断的能量的装置。

公开(公告)号：CN1777695A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200480010572.2

申请日：2004-09-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  寒川诚二

Inventor： 寒川诚二 ,  野泽俊久

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/452 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/3145

Abstract: 本发明的成膜装置(10)包括被处理气体加压、产生等离子体的等离子体产生室(14)；容纳基板并在基板上形成膜的成膜室(20)；和具有多个孔且分离等离子体产生室(14)与成膜室(20)的分离板(17)。分离板(17)的孔的直径是使得等离子体产生室(14)的压力比成膜室(20)的压力高2.0倍以上的尺寸。成膜装置(10)进一步包括在等离子产生室(14)与成膜室(20)之间施加规定的偏压的装置。

公开(公告)号：CN1698192A

公开(公告)日：2005-11-16

申请号：CN200480000457.7

申请日：2004-03-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/6833 ,  Y10T279/23

Abstract: 本发明涉及一种基板保持机构，其具备：具有表面和以外周面划成的突起部的、用于保持所述处理基板的载置台，所述突起部在所述表面上以围绕所述表面既定区域的方式连续形成、并具有比所述表面高的高度的上面；在所述表面上，在所述突起部围绕的区域内设置的用静电作用吸附基板的静电吸附板；具有侧面，在设置在所述静电吸附板上的同时其一部分与所述上面相对的、保护所述静电吸附板的第一保护部件；至少在所述静电吸附板和所述第一保护部件之间设置的、接合所述静电吸附板和所述第一保护部件的粘结剂层；至少以使所述粘结剂层隐藏的方式覆盖所述外周面及所述侧面的第二保护部件。

公开(公告)号：CN1666322A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN03816209.1

申请日：2003-08-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石桥清隆 ,  野泽俊久

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32211

Abstract: 等离子体处理装置具有收容基板(11)的腔室(1)、产生微波的高频电源(5)、和将微波放射至腔室(1)内的天线部(3)。在高频电源(5)中产生的微波，由导波管(6)送至天线部(3)。构成腔室(1)的隔壁的一部分的顶板部(4)配置在腔室(1)的上部。在该顶板部(4)的外周部分上，呈环状设置有使微波的传播延迟的由与顶板部(4)相同的材质构成的规定的路径延迟部(2)。这样，在等离子体处理装置中，可以抑制异常放电和异物的产生。

公开(公告)号：CN102403183B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201110287142.7

申请日：2011-09-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  佐佐木胜 ,  桥本润 ,  吉村正太 ,  小津俊久 ,  西塚哲也

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明提供能够更精确地蚀刻成所希望的形状的等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法。等离子体蚀刻处理装置11包括：在内部对被处理基板进行蚀等离子体处理的处理容器12；向处理容器12内供给等离子体处理用的气体的气体供给部13；配置在处理容器12内，在其上支承被处理基板W的支承台14；产生等离子体激励用的微波的微波发生器15；使用由微波发生器15产生的微波，在处理容器12内产生等离子体的等离子体发生单元；调整处理容器12内的压力的压力调整单元；向支承台14供给交流偏置电力的偏置电力供给单元；以交替反复地进行停止和供给的方式控制偏置电力供给单元的交流偏置电力的控制单元。

公开(公告)号：CN102473629B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201080035809.8

申请日：2010-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 赵建平 ,  陈立 ,  麦里特·法克 ,  野泽俊久

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01J37/3244 ,  H01J37/32192 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32137

Abstract: 本发明涉及通过重力引起的气体扩散分离(GIGDS)技术来控制等离子体产生。本发明可以提供一种使用由重力引起的气体扩散分离技术而引起的等离子体分离来处理衬底的设备和方法。通过增加或使用包括具有不同重力(即，气体成分的分子量与基准分子重之间的比例)的惰性和处理气体的气体，可以形成双区或多区等离子体，其中，一种气体可以被高度限制到等离子体产生区域附近并且另一种气体可以由于相异重力引起的扩散而从上述气体极大地分离，并且被限制到相比于上述气体更加接近晶片处理区域。

公开(公告)号：CN103229280A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180055047.2

申请日：2011-11-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久 ,  田才忠 ,  佐佐木胜 ,  三原直辉 ,  松本直树 ,  茂山和基 ,  吉川润

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32211 ,  H01J37/3244

Abstract: 一种等离子体处理用设备，其包括：处理容器，其设置有用于载置基体的载置台；第一气体供给单元，其被构造成将第一气体供给至处理容器；第一等离子体产生单元，其被构造成将第一气体的至少一部分转化成第一等离子体；第二气体供给单元，其被构造成将第二气体供给至处理容器；和第二等离子体产生单元，其被构造成将第二气体的至少一部分转化成第二等离子体。第二气体的入口距离载置台的高度低于第一气体的入口距离载置台的高度。

公开(公告)号：CN103026473A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201180035567.7

申请日：2011-07-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 宫谷光太郎 ,  根本刚直 ,  黑鸟讬也 ,  小林保男 ,  野泽俊久

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511 ,  H01L21/31 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/342 ,  C23C16/511 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/76801

Abstract: 提供一种能够形成机械强度和耐吸湿性优良的低介电常数的层间绝缘层的层间绝缘层形成方法。另外，提供一种减少布线延迟的半导体装置。在通过等离子体CVD法形成半导体装置的层间绝缘层的方法中，包括：向被减压的处理容器内搬入基板的工序；与上述基板相隔离开的第一空间（1a）供给等离子体生成气体的工序；在上述第一空间（1a）使上述等离子体生成气体激发的工序；和对上述第一空间（1a）和上述基板之间的第二空间（1b），供给至少含有氢基或烃基的硼化合物的原料气体的工序。另外，在隔着形成有含有硼、碳和氮的无定形结构的层间绝缘层进行多层布线的半导体装置中，上述层间绝缘层在含有六方晶和立方晶氮化硼的无定形结构中混有烃基或烷基氨基。

公开(公告)号：CN101270831B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200810085581.8

申请日：2008-03-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野泽俊久

IPC: F16K51/02 ,  F16K1/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC classification number: F16K31/528 ,  F16K1/24 ,  Y10T137/0396

Abstract: 本发明提供一种可以实现密封构件长使用寿命化的开关阀及具有该开关阀的处理装置。该开关阀(100)设置于可将内部保持真空的腔室(11)与排气装置(53、54)之间，具有连通腔室侧与排气装置侧的开口(111)的阀主体(110)、在阀主体内与开口接触或分离来打开关闭开口的阀体(120)、设置于阀体并在阀体关闭了开口时密封开口的密封构件(120b)、使阀体进退的直进移动部件(140)、设置于离开开口的位置、并供从开口离开的阀体退避的阀退避部(113b)、与使阀体在与开口对应的位置和与阀退避部对应的位置之间转动的转动部件(150)。