公开(公告)号：CN102918932A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201180026983.0

申请日：2011-08-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  长田勇辉 ,  河西繁 ,  宫下大幸

IPC: H05H1/46 ,  C23C16/511 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J23/005 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32256 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

Abstract: 微波导入机构（41）包括：具有将微波发射到腔室内的平面天线（81）的天线部（80）、匹配阻抗用的调谐器（60）、用于将天线部（80）的热散热的散热机构（90），调谐器（60）包括：具有呈筒状的外侧导体（52）和内侧导体（53）成为微波传递路径的一部分的主体（51）、在外侧导体（52）与内侧导体（53）之间能够移动的设置的芯部件（61a、61b）、使得芯部件移动的芯部件驱动部（70），散热机构（90）具有：热量输入端和位于天线部（80）、从热量输入端向散热端输送天线部（80）的热的热管（91）和设置于散热端的散热部（92）。

公开(公告)号：CN101914752B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201010244028.1

申请日：2006-06-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  横山敦 ,  佐久间隆

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3471 ,  H01J37/321 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844

Abstract: 本发明提供金属膜的薄膜沉积方法和薄膜沉积装置。本发明的金属膜的薄膜沉积方法，包括以下步骤：将表面上形成有凹部的被处理的物体放置在处理容器中的载置台上；抽空处理容器以在其中产生真空；借助于从惰性气体生成等离子体而形成的等离子体，在抽空的处理容器中将金属靶离子化，以产生包括金属离子的金属粒子；通过对放置在载置台上的被处理的物体施加偏压电功率，将等离子体和金属粒子吸向被处理的物体，刮削凹部的底部以形成刮削凹部，并在包括凹部内和刮削凹部内的表面在内的被处理的物体的整个表面上沉积金属膜。

公开(公告)号：CN101432459B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780014788.X

申请日：2007-04-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐久间隆 ,  横山敦 ,  池田太郎 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3471 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明提供成膜方法、成膜装置和存储介质。将表面形成有凹部的被处理体(例如，半导体晶片(W)等)载置于设置在能够抽真空的处理容器(24)的内部的载置台(34)。之后，在处理容器(24)的内部产生等离子体，在该处理容器(24)的内部，通过上述等离子体使金属靶(70)离子化并生成金属离子。而且，向载置台(34)供给偏置电力，通过该供给的偏置电力将上述金属离子引至载置在上述载置台(34)上的上述被处理体，由此，在包括上述凹部内的表面的上述被处理体的表面上形成薄膜。在本发明中，使偏置电力的大小在上述被处理体的表面实质上不被溅射的范围内变化。

公开(公告)号：CN101689490B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：CN200880022486.1

申请日：2008-06-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  若林哲 ,  成嶋健索 ,  波多野达夫 ,  水泽宁 ,  横山敦 ,  佐久间隆

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/14 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/18 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和处理系统。该成膜方法在被处理体(W)上形成薄膜，该被处理体(W)在表面形成有具有凹部(6)的绝缘层(4)。该成膜方法依次实施如下的工序：阻挡层形成工序，在包括凹部内的表面的被处理体的表面形成含有Ti的阻挡层(12)；种子层形成工序，利用CVD，在阻挡层上形成含有Ru的种子层(16)；和辅助种子层形成工序，利用溅射，在种子层上形成含有Cu的辅助种子层(164)。由此，能够在被处理体的整个面上，对线宽或孔径小的凹部或者高深宽比的凹部进行充分的埋入。

公开(公告)号：CN101484609B

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN200780025177.5

申请日：2007-07-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  池田太郎 ,  波多野达夫

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L23/52 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/18 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，该成膜方法的特征在于，包括：将基板载置在密封状态的处理容器内的基板载置工序；向上述处理容器内供给水蒸气，并向上述处理容器内供给由铜的有机化合物组成的原料气体，在上述基板上形成铜的紧贴层的第一成膜工序；将上述处理容器内的水蒸气和原料气体排出的排出工序；以及向上述处理容器内仅再次供给上述原料气体，在上述紧贴层之上进一步形成铜膜的第二成膜工序。

公开(公告)号：CN101866806A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010158499.0

申请日：2002-05-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  饭塚八城 ,  山本薰

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32431 ,  H01J2237/20

Abstract: 本发明的等离子体处理装置具有：处理室；设在所述处理室内，载置被处理体的载置台；设在所述处理室中，具有按照向着所述处理室内的中央的空间部喷出处理气体的方式开口的多个气体喷出孔的气体导入部；和设置在所述处理室的外侧、用于在所述处理室内生成等离子体的作为感应线圈的天线部件，该等离子体处理装置的特征为，利用所述天线部件，在所述处理室内激起等离子体，所述多个气体喷出孔向着处理室内的一点开孔。

公开(公告)号：CN101689490A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880022486.1

申请日：2008-06-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  若林哲 ,  成嶋健索 ,  波多野达夫 ,  水泽宁 ,  横山敦 ,  佐久间隆

IPC: H01L21/28 ,  C23C16/14 ,  H01L21/285 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C14/18 ,  C23C16/045 ,  C23C16/06 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和处理系统。该成膜方法在被处理体(W)上形成薄膜，该被处理体(W)在表面形成有具有凹部(6)的绝缘层(4)。该成膜方法依次实施如下的工序：阻挡层形成工序，在包括凹部内的表面的被处理体的表面形成含有Ti的阻挡层(12)；种子层形成工序，利用CVD，在阻挡层上形成含有Ru的种子层(16)；和辅助种子层形成工序，利用溅射，在种子层上形成含有Cu的辅助种子层(164)。由此，能够在被处理体的整个面上，对线宽或孔径小的凹部或者高深宽比的凹部进行充分的埋入。

公开(公告)号：CN101410952A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780004018.7

申请日：2007-01-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐久间隆 ,  池田太郎 ,  横山敦 ,  松田司 ,  波多野达夫 ,  水泽宁

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/34 ,  C23C14/54 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/3299 ,  H01J37/34 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明提供一种种膜的成膜方法、等离子体成膜装置和存储介质，该种膜的成膜方法能够不产生悬突部分地形成种膜。该种膜以下述方式形成：在能够抽真空的处理容器(24)内利用等离子体使金属靶(70)离子化而产生金属离子，利用偏压电力将金属离子引向载置在处理容器内的载置台(34)上的表面具有凹部(4)的被处理体，在包括凹部内的被处理体的表面上形成金属膜，由此形成电镀用的种膜，该成膜方法的特征在于，交替地多次重复进行下述工序：将偏压电力设定为在被处理体的表面上一度形成的金属膜不会被溅射的大小，并形成金属膜的成膜工序；和不产生金属离子，中止金属膜的形成的中止工序。

公开(公告)号：CN101213642A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200680023575.9

申请日：2006-06-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎 ,  水泽宁 ,  波多野达夫 ,  横山敦 ,  佐久间隆

IPC: H01L21/285 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C14/046 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3471 ,  H01J37/321 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844

Abstract: 本发明是金属膜的薄膜沉积方法，包括以下步骤：将表面上形成有凹部的被处理的物体放置在处理容器中的载置台上；抽空处理容器以在其中产生真空；借助于从惰性气体生成等离子体而形成的等离子体，在抽空的处理容器中将金属靶离子化，以产生包括金属离子的金属粒子；通过对放置在载置台上的被处理的物体施加偏压电功率，将等离子体和金属粒子吸向被处理的物体，刮削凹部的底部以形成刮削凹部，并在包括凹部内和刮削凹部内的表面在内的被处理的物体的整个表面上沉积金属膜。

公开(公告)号：CN100375244C

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN02804685.4

申请日：2002-02-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 池田太郎

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02046 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165 ,  H01L21/32137

Abstract: 提供一种等离子体处理装置及方法，在利用感应耦合等离子体的同时，难以在等离子体点火之后产生斜向电场引起的缺陷。另外，提供一种等离子体处理装置及方法，在感应耦合等离子体方式中并用法拉第屏蔽件来去除斜向电场，同时，可确实点火等离子体。该装置构成为具备：容室(31)；设置在该容室上方的钟罩(32)；设置在所述钟罩(32)外侧的线圈(42)；设置在所述钟罩(32)与所述线圈(42)之间的法拉第屏蔽件(44)；隔板(33)；设置在所述钟罩(32)上方的导电性部件(49)；在所述线圈(42)中形成感应电磁场的第1高频电源(43)；和在所述隔板(33)与所述导电性部件(49)之间形成电场的第2高频电源(34)。