-
公开(公告)号：CN112189179B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201980033164.5
申请日：2019-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/041 , G06F3/0481 , G06F3/0484 , G06F1/16
Abstract: 根据各种实施例的电子装置，包括：第一结构，其能够相对于第二结构在关闭状态和打开状态之间移动；第二结构；柔性触摸屏显示层，其包括平面部分和可弯曲部分；处理器，其可操作地连接到柔性触摸屏显示层；以及存储器，其可操作地连接到处理器。该存储器存储有指令，该指令在被执行时，使得处理器：在关闭状态下，在平面部分的第一区域中显示至少一个第一对象并在平面部分的第二区域中显示至少一个第二对象，以及在打开状态下，在第一区域中显示至少一个第一对象并在可弯曲部分的第三区域中显示至少一个第二对象。
-
公开(公告)号：CN117730304A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202280052883.3
申请日：2022-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0482
Abstract: 根据一个实施方案，一种电子装置包括：壳体；柔性显示器，所述柔性显示器的至少一部分通过所述壳体暴露于外部；以及可操作地连接到柔性显示器的至少一个处理器。所述至少一个处理器在所述柔性显示器的第一部分从外部可见的状态下，响应于基于输入执行使得能够从外部查看包括所述柔性显示器的第一部分的至少一部分的第二部分的滑动操作，在所述第二部分可见的状态下获取情境信息，基于所述情境信息检查一个或更多个工作空间，控制所述显示器以便在所述第二部分的一部分上显示所述一个或更多个工作空间的列表，并且响应于通过所述列表选择一个工作空间，基于所选择的工作空间控制所述显示器以便在所述第二部分上显示多个应用的执行屏幕，其中所述一个或更多个工作空间各自包括所述第二部分的尺寸信息、关于将被执行的所述多个应用的信息以及所述多个应用的执行屏幕的布局信息。
-
公开(公告)号：CN111971734B
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN201980025577.9
申请日：2019-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种包括柔性显示器的电子装置。电子装置可以包括：第一结构；包括第一板，第一板包括第一表面和面向与第一表面相反的方向的第二表面；第二结构，包括面向第一板的第二表面的第二板和从第二板延伸的第一侧壁；柔性触摸屏显示器；以及设置在第一结构和第二结构之间的相机装置。
-
公开(公告)号：CN105426071B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201510595070.0
申请日：2015-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/0484 , G06F3/0487
Abstract: 公开了一种电子装置以及控制其屏幕的显示的方法。所述方法包括：选择第一图像和第二图像；选择包括至少一个第一区域和至少一个第二区域的掩模图案；测量电子装置的倾斜度；基于测量出的电子装置的倾斜度，确定第一图像的显示在与所述至少一个第一区域相应的屏幕中的部分以及第二图像的显示在与所述至少一个第二区域相应的屏幕中的部分，并将第一图像的所确定的部分和第二图像的所确定的部分输出在显示单元上。
-
公开(公告)号：CN101256366B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200810092008.X
申请日：2008-02-20
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种光刻胶剥离组合物和使用其剥离光刻胶膜的方法。提供一种光刻胶剥离组合物，其包括约80重量％-约98.5重量％的γ-丁内酯、约1重量％-约10重量％的氨基甲酸烷基酯、约0.1重量％-约5重量％的烷基磺酸和约0.1重量％-约5重量％的非离子型表面活性剂。可将该光刻胶剥离组合物再度用于从基板上剥离光刻胶膜而不降低剥离能力和损坏金属图案，使得可以降低光刻工艺的成本。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1790750B
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200510124866.4
申请日：2005-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/66765 , G02F1/1368 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、以及一种显示设备及其制造方法，该薄膜晶体管包括在基板上的栅电极、栅极绝缘层、沟道图案、源电极和漏电极。沟道图案包括：形成在栅电极上并覆盖栅电极的半导体图案；形成在半导体图案上并彼此隔开的第一和第二导电粘合图案。源电极包括顺序形成在第一导电粘合图案上的第一阻挡图案、源极图案和第一覆盖图案。漏电极包括顺序形成在第二导电粘合图案上的第二阻挡图案、漏极图案和第二覆盖图案。第一覆盖图案、第二覆盖图案、源极图案和漏极图案的端部包括倾斜的截面轮廓。第一和第二阻挡图案包括从钛、钽、钨和铬所构成的组中选取的金属，第一和第二覆盖图案包括从钼和钼合金所构成的组中选取的金属。
-
公开(公告)号：CN101000782B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200610142805.5
申请日：2006-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B9/02 , G01Q80/00 , G11B9/1409
Abstract: 本发明公开了一种半导体探针的信息再现设备和方法。所述设备包括：半导体探针，包括半导体尖端，所述半导体尖端包括随着由信息记录介质产生的电场而变化的沟道；调制器，将高频调制信号施加到所述半导体探针以形成调制电场，从而调制由所述电场产生的信息信号；信号探测器，探测由所述半导体探针产生的信号；和解调器，从所述信号探测器探测的信号提取由所述调制电场调制的信息信号。
-
公开(公告)号：CN101490750B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200780026478.X
申请日：2007-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B9/02
Abstract: 本发明提供了用于从信息存储介质的表面电荷读取信息的电场信息读头，该电场信息读头包括：半导体衬底，具有在面向记录介质的表面的一端的中部中形成的电阻区域，该电阻区域用杂质轻掺杂；以及源极区域和漏极区域，在电阻区域的两侧上形成，该源极区域和漏极区域与电阻区域相比用杂质更重地掺杂。源极区域和漏极区域沿半导体衬底的面向记录介质的表面延伸，电极分别与源极区域和漏极区域电连接。此外，本发明提供了电场信息读头的制造方法以及在晶片上批量制造电场信息读头的方法。
-
公开(公告)号：CN1769528B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200510117515.0
申请日：2005-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L27/12 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供了一种用于制造薄膜晶体管(TFT)阵列面板的方法，包括：在绝缘基片上形成具有栅电极的栅极线；在栅极线上顺序沉积栅极绝缘层及半导体层；在栅极绝缘层及半导体层上形成漏电极和具有源电极的数据线；并形成连接至漏电极的像素电极。这些元件可以使用含有65wt％至75wt％的磷酸、0.5wt％至15wt％的硝酸、2wt％至15wt％的醋酸、0.1wt％至8.0wt％的钾化合物、以及去离子水的蚀刻剂通过光蚀刻形成。TFT阵列面板的各个元件可以在类似的条件下形成有本发明的蚀刻剂的图样，这简化了制造工艺并节约了成本，并使得TFT元件具有良好的剖面。
-
公开(公告)号：CN1904742B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200610103511.1
申请日：2006-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/425 , H01L21/2855 , H01L21/31133 , H01L21/76838 , H01L21/7685 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 一种光刻胶去除剂组合物、以及用该组合物形成布线结构和制造薄膜晶体管基片的方法。该光刻胶去除剂组合物包括约50WT％至约70WT％的二乙二醇丁醚、约20WT％至约40WT％的烷基吡咯烷酮、约1WT％至约10WT％的有机胺化合物、约1WT％至约5WT％的氨基丙基吗啉、以及约0.01WT％至约0.5WT％的巯基化合物。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
103
records
(took 0.083 seconds)
