公开(公告)号：CN100416754C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200510055765.6

申请日：2005-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李禹根 ,  赵范锡 ,  李制勋 ,  郑敞午 ,  金湘甲 ,  吴旼锡 ,  李永旭 ,  崔熙焕

IPC: H01L21/00 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/36 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F2001/136236 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管阵列面板的方法，包括以下步骤：在基片上形成栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成数据线及漏极；在数据线及漏极上沉积钝化层；在钝化层上形成光致抗蚀剂，该光致抗蚀剂包含第一部分和比第一部分薄的第二部分；利用将光致抗蚀剂作为掩模蚀刻钝化层，以至少部分地露出漏极的一部分；除去光致抗蚀剂的第二部分；沉积导电薄膜；以及除去光致抗蚀剂，以在漏极的露出部分上形成像素电极。

公开(公告)号：CN100381920C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN02827158.0

申请日：2002-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳昇熙 ,  洪雯杓 ,  卢水贵 ,  卢南锡 ,  宋根圭 ,  崔熙焕 ,  金保成 ,  金湘甲 ,  姜聖哲 ,  朴弘植

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/136295

Abstract: 首先，利用含有8-12%Ce(NH4)2(NO3)6、10-20%NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案，以形成包括多条栅极线、多个栅极、以及多个栅极衬垫的栅极布线。然后，顺次形成栅极绝缘层、半导体层、及欧姆接触层。利用含有8-12%Ce(NH4)2(NO3)6、10-20%NH3及残留超纯水的蚀刻剂来沉积Cr层和CrOx层并制作布线图案，以形成包括多条数据线、多个源极、多个漏极、及多个数据衬垫的数据布线。接着，沉积钝化层并制作布线图案以形成分别露出漏极、栅极衬垫、及数据衬垫的接触孔。沉积透明导电材料或反射性导电材料并制作布线图案以形成分别与漏极、栅极衬垫、及数据衬垫电连接的多个像素电极、多个辅助栅极衬垫、及多个辅助数据衬垫。将具有低反射比的栅极线和数据线作为遮光层用于遮挡像素区域之间光泄漏，而不增加黑色亮度。因此，无需在滤色器面板上设置单独的黑阵，从而可获得像素的纵横比和高对比度。

公开(公告)号：CN1873530A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610088744.9

申请日：2006-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡钟哲 ,  金时烈 ,  金湘甲 ,  昔俊亨 ,  皇甫尚佑 ,  张元基 ,  李羲国 ,  尹铢浣 ,  金洙真

IPC: G03F1/14 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供了一种掩模。该掩模包括：掩模体、第一曝光部分和第二曝光部分。第一曝光部分在掩模体上。该第一曝光部分包括：第一透光部分和第二透光部分。该第一透光部分将对应于输出端子的光刻胶部分曝光于第一光量的光。另外，第二透光部分将与输出端子相邻的光刻胶相邻部分曝光于第二光量的光，第二光量小于第一光量。第二曝光部分在掩模体上。该第二曝光部分包括多个第三透光部分，用于将对应于存储电极的光刻胶部分曝光于第三光量的光，第三光量在第一光量和第二光量之间。根据本发明，通过存储电极图案和像素电极形成的存储电容器的电特性得到了提高，使得显示装置的闪烁和/或余像减少，由此还导致显示装置的图像显示质量的改善。

公开(公告)号：CN1828914A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610057753.1

申请日：2006-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  金湘甲 ,  秦洪基 ,  吴旼锡 ,  崔熙焕 ,  金时烈

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，其包括栅极线、与栅极线交叉的数据线、与栅极线和数据线分离的存储电极、连接至栅极线和数据线并具有漏电极的薄膜晶体管、连接至漏电极的像素电极、位于薄膜晶体管之上并设置在像素电极下的第一绝缘层、以及设置在第一绝缘层上并具有用于露出存储电极上第一绝缘层的开口的第二绝缘层。

公开(公告)号：CN1828911A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200610008848.4

申请日：2001-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪完植 ,  崔埈厚 ,  金湘甲 ,  郑宽旭 ,  丁奎夏

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: G02F1/136227 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2202/42 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66765

Abstract: 一种薄膜晶体管衬底，其包括一绝缘衬底、一形成于该衬底上的栅极线组件、和一数据线组件，该数据线组件横越栅极线组件并与栅极线组件绝缘。薄膜晶体管连接到栅极线组件和数据线组件。在薄膜晶体管上由a－Si:C:O或a－Si:O:F形成一钝化层。通过PECVD法沉积该基于a－Si:C:O或a－Si:O:F的层。像素电极被形成在钝化层上并与薄膜晶体管连接。在这个结构中，在提高开幅比和减少工序时间的同时，寄生电容的问题得到解决。