公开(公告)号：CN117859201A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202280049661.6

申请日：2022-08-31

Applicant: 青井电子株式会社

Inventor： 胁坂伸治 ,  福岛正人 ,  广石尧之 ,  三原一郎 ,  小杉智之

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/58

Abstract: 基板(10)在内部具有集成电路，并且在上表面具有与上述集成电路电连接的焊盘电极(PD)。在基板(10)的上表面形成有绝缘膜(IF2)，在绝缘膜(IF2)中形成有开口部(OP)。二次布线(PW1)形成在开口部(OP)的内部和绝缘膜(IF2)上，并且与焊盘电极(PD)电连接。在二次布线(RW1)上形成有与二次布线(RW1)电连接的外部连接用端子(ET1)。另外，二次布线(RW2)形成在绝缘膜(IF2)上，并且与二次布线(RW1)、焊盘电极(PD)以及上述集成电路电绝缘。在二次布线(RW2)上形成有与二次布线(RW2)电连接的多个外部连接用端子(ET2)。二次布线(RW2)和外部连接用端子(ET2)构成电阻值测量用的测量电路(20)。

公开(公告)号：CN114987062A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210193926.1

申请日：2022-03-01

Applicant: 青井电子株式会社

Inventor： 高田直希

IPC: B41J2/335

Abstract: 本发明提供热敏头的制造方法以及热敏头，其降低热敏头的打印浓度的偏差。热敏头的制造方法包含：准备多个点发热部、分别与多个所述点发热部的一端连接的多个第一布线以及与多个所述点发热部的另一端连接的至少一个第二布线；调整所述第一电阻值，以使多个所述点发热部各自所具有的第一电阻值成为与多个所述第一布线各自所具有的第二电阻值和至少一个所述第二布线所具有的第三电阻值中的至少一方的电阻值对应的值。

公开(公告)号：CN111937142A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201880091951.0

申请日：2018-07-12

Applicant: 青井电子株式会社

Inventor： 高尾胜大

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L23/50

Abstract: 半导体装置包括：半导体元件；元件用导体，其在上部具有搭载所述半导体元件的元件搭载面；连接用导体，其与所述元件用导体分离配置，在上部具有连接面；连接线，其连接所述半导体元件与所述连接用导体的所述连接面；以及密封树脂，其密封所述半导体元件、所述元件用导体、所述连接用导体和所述连接线，在对置配置的所述元件用导体和所述连接用导体中的至少一方的对置侧面设置有寄生电容降低结构。

公开(公告)号：CN110707012A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201910609911.7

申请日：2019-07-08

Applicant: 青井电子株式会社

Inventor： 胁坂伸治 ,  河野一郎 ,  冈田修 ,  福岛正人

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L25/065

Abstract: 在一个再配线层层叠两个半导体芯片的情况下，用于将远离再配线层的一侧的半导体芯片和再配线层相连的接线柱变长，生产性变差。本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法，该半导体装置具备：配线层；连接于配线层的第一半导体芯片；俯视时配置于第一半导体芯片的外侧的第二导电接线柱；连接于第二导电接线柱的第二半导体芯片；以及与配线层相接且覆盖第一半导体芯片及第二半导体芯片的密封树脂，第二导电接线柱包括：配置于配线层侧，由低电阻金属构成且沿第一方向延伸的配线侧接线柱；配置于第二半导体芯片侧，由低电阻金属构成，且沿第一方向延伸的芯片侧接线柱；以及配置于配线侧接线柱与芯片侧接线柱之间且由低熔点金属构成的中间部。

公开(公告)号：CN109484036A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811063857.2

申请日：2018-09-12

Applicant: 青井电子株式会社

Inventor： 高田直希 ,  山地范男

IPC: B41J2/32 ,  B41J2/335

Abstract: 本发明提供一种提高了密封树脂的粘着强度的热敏头。热敏头具备：公共电极，其形成在绝缘基板上并施加驱动电压；多个独立电极，其按照发热体的每一个微小区域形成在绝缘基板上，并对每一个微小区域施加驱动电压；驱动IC，其与绝缘基板连接并设置在电路基板上，控制分别流过多个独立电极的电流；保护膜，其覆盖包含公共电极和独立电极的保护区域；以及密封树脂，其横跨绝缘基板和电路基板而覆盖接线于驱动IC的电线和驱动IC，在多个独立电极上，沿绝缘基板边缘设置通过电线来与驱动IC连接的连接焊盘，保护区域包含以下区域：用密封树脂覆盖着的区域中的在公共电极的一端与公共电极的另一端之间且与绝缘基板的边缘的至少一部分接触的区域。

公开(公告)号：CN104025283B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201280053430.9

申请日：2012-10-31

Applicant: 青井电子株式会社

Inventor： 戎井崇裕

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/08 ,  H01L31/02

CPC classification number: G01J1/0403 ,  G01J2001/0276 ,  H01L23/3121 ,  H01L31/0203 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/8592 ,  Y10T29/49208 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 感光装置，包括：基板；在上面具有感光部，下面装载于上述基板上的感光元件；以及绝缘树脂，该绝缘树脂具有平坦的上面以及露出上述感光元件的上述感光部的开口，比上述感光元件的厚度更厚地形成在上述基板上，并贴紧在包围上述感光元件的上述感光元件的侧面。上述绝缘树脂具有在上述平坦的上面与上述感光部的上述上面之间的高度上设置的阶梯部，上述阶梯部在上述开口的周围相对于上述感光元件的相对置的至少一对侧面平行地延伸。

公开(公告)号：CN104105336A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410138117.6

申请日：2014-04-08

Applicant: 青井电子株式会社

Inventor： 米谷佳浩 ,  铃木宏美

IPC: H05K1/09 ,  H05K1/02 ,  B41J2/32

Abstract: 本发明提供了一种较薄地形成金引线接合部的金导体来减少制造工序数和材料费的印刷电路基板，在绝缘基板上使用含有金的膏体来形成导体图案而成的印刷电路基板中，在基板上层叠了低纯度金层和在其上层的引线接合用的高纯度金层的印刷电路基板、以及使用该印刷电路基板的热敏打印头。

公开(公告)号：CN101027803A

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN200580032078.0

申请日：2005-09-22

Applicant: 青井电子株式会社 ,  K&W有限公司

Inventor： 直井胜彦 ,  荻原信宏 ,  直井和子 ,  伊吹典高 ,  加藤宪司

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/60

Abstract: 本发明提供一种正极材料，该正极材料不含有大量的导电辅助剂，而将容量密度大的硫磺作为活性物质的，即提供高能量密度的电池所用的正极材料。一种电池正极材料，由硫磺和/或具有S－S键的硫磺化合物以及导电性物质的复合体构成，该复合体为在硫磺和/或具有S－S键的硫磺化合物的粒子上，形成嵌入导电性物质的微粒子的状态的复合微粒子层。一种电极正极材料的制造方法，对原料的硫磺和/或上述硫磺化合物的粒子和导电性物质的微粒子进行机械融合，从而得到在该粒子上嵌入微粒子的状态的复合微粒子层。

公开(公告)号：CN1502139A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN02807675.3

申请日：2002-03-28

Applicant: 直井健三 ,  青井电子株式会社

Inventor： 直井胜彦 ,  末松俊造 ,  若林寿树

IPC: H01M4/60 ,  H01M10/40 ,  C08G75/14

CPC classification number: H01M4/602 ,  C08G75/14 ,  C08L81/04 ,  H01M4/60 ,  H01M10/05

Abstract: 本发明提供一种在探索面向实用化的高性能的多环式有机硫化合物上的方针。提供一种由多环式有机硫化合物制造的高容量密度化、高电力密度化的新的能量贮藏装置材料。新化合物的设计方法的特征在于：在由多环式有机硫化合物设计能量贮藏装置材料时，将双硫部位的增加及多硫化与理论容量密度的增加进行组合。将使有机部位电子吸引性增加、使双硫键上的电子密度减少与电极反应速度的增加进行组合。其特征还在于：在高容量密度化、高电力密度化中引入超分子化的概念。以及，由用上述方法设计的多环式有机硫化合物构成的能量贮藏装置材料。