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公开(公告)号:CN118359429A
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN202410293407.1
申请日:2024-03-14
IPC: C04B35/457 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B38/00 , C23C14/08 , C23C14/32
Abstract: 本发明属于无机材料制备技术领域,具体涉及低密度氧化镓掺杂氧化锡反应等离子体沉积靶材的制备方法。该方法先将SnO2、Ga2O3、分散剂和去离子水混合并进行一次球磨混合,然后烘干、粉碎、过筛并在1000~1500℃下进行1~10h煅烧,接着将得到的煅烧粉体、分散剂和去离子水混合球磨,然后加入粘结剂球磨得到浆料,接下来将浆料干燥、造粒,并进行二次压制,最后进行无压氧气氛阶段烧结,得氧化锡镓RPD靶材。本发明成功制备了RPD镀膜所需氧化锡镓靶材,其密度及组织可控。
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公开(公告)号:CN118270829A
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN202410409361.5
申请日:2024-04-07
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明属于半导体粉体制备技术领域,公开了一种棒状氧化镓及其制备方法,用以提出一种棒状纳米氧化镓的制备方法。本发明以尿素作为沉淀剂,通过将其加入到镓盐溶液中,经沉淀反应、室温老化后得到沉淀物,后经洗涤、离心、干燥、研磨和筛分后得到前驱体羟基氧化镓;然后经梯度升温、降温处理后得到棒状氧化镓。通过调控氧化镓的合成过程,使用一种节能、高效、不需高温高压、低成本的制备方法,获得棒状氧化镓材料,为工业生产氧化镓半导体器件提供一种棒状氧化镓粉末材料。
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公开(公告)号:CN117702063A
公开(公告)日:2024-03-15
申请号:CN202311537320.6
申请日:2023-11-17
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种银镁合金靶材及其制备方法。本发明银镁合金靶材由银和镁组成,以质量百分含量表示,所述银镁合金靶材中镁的含量为5~20%,余量为银和不可避免的杂质。将称取的银和镁两种原料装入真空感应熔炼炉内的坩埚中,抽真空后充入氩气,在氩气气氛下进行加热熔炼,熔炼后浇注,得到银镁合金铸锭;将所得银镁合金铸锭进行多道次轧制,得到银镁合金板坯;将所得银镁合金板坯进行机加工,得到银镁合金靶材。本发明采用熔铸‑热/温轧技术制备银镁合金靶坯,能够改善合金组织均匀性、细化晶粒尺寸,有效避免银镁合金冷轧开裂难题;同时,能够降低沉积温度、提高沉积速度、改善薄膜均匀性,显著改善用银和镁进行蒸发镀膜存在的问题。
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公开(公告)号:CN117187729A
公开(公告)日:2023-12-08
申请号:CN202311107196.X
申请日:2023-08-30
Applicant: 郑州大学 , 郑州郑涂新材料科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种氧化钼靶材的制备方法,属于陶瓷靶材技术领域。所述方法通过将氧化钼混合粉末,粘结剂和水经球磨,喷雾干燥,热处理,过筛后,制得混合粉体;用特定的大气等离子喷涂工艺将混合粉体喷涂在具有NiCrCoAlY粘结层的基底上,制得半成品靶材,再进行热处理,机械加工制备得到所述氧化钼靶材。所述方法采用大气等离子喷涂结合热处理的方法,通过控制具体的制备条件参数,能稳定制备能稳定制备不受尺寸及空间限制的大尺寸氧化钼靶材。
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公开(公告)号:CN117125982A
公开(公告)日:2023-11-28
申请号:CN202311127578.9
申请日:2023-09-04
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C23C14/34 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开了一种钼氧比可控的非化学计量氧化钼靶材的制备方法。该制备方法包括:S1、煅烧钼酸铵得到MoO3粉末;S2、MoO3粉末与氢气发生反应,得到非化学计量比钼氧化物粉体;非化学计量比钼氧化物粉体中,Mo9O26的质量含量为0%~99%,Mo4O11的质量含量为20%~86%,MoO2的质量含量为0%~40%;S3、非化学计量比钼氧化物粉体模压成型;S4、成型的非化学计量比钼氧化物粉体在设定条件下烧结,得到特定钼氧比的非化学计量氧化钼靶材,其中,钼原子与氧原子比为1:2~3。本发明公开的钼氧比可控的非化学计量氧化钼靶材的制备方法,其制备工艺简单,反应条件可控,制备得到的非化学计量氧化钼靶材致密性好。
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公开(公告)号:CN116856010A
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN202310857189.5
申请日:2023-07-13
Applicant: 郑州大学 , 中原关键金属实验室 , 西北稀有金属材料研究院宁夏有限公司
IPC: C25C3/02
Abstract: 本发明公开了一种废铍电化学回收的方法,技术方案是,先构建含铍氟化物或含铍氟氯化物熔盐体系,然后以废铍为阳极,在保护气气氛下进行电化学选择性溶解‑沉积,得到阴极产物,最后清除阴极产物的夹盐,得到高纯金属铍。相较于火法重熔等,本发明电化学反应回收的反应驱动力大,可断开废铍中的Be‑O等键能大的键,破除火法难重熔的难题,同时电化学回收控制精度高。本申请在熔盐体系中加入铍离子,并控制铍盐浓度,在电化学过程中保持铍离子浓度相对稳定,便于稳定电解,若初始无铍离子,则难以阴极沉积铍。本发明实现废铍再利用,既实现了废铍无害化,又实现了其资源化,产生了经济效益同时,弥补了我国铍资源的不足。
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公开(公告)号:CN115745574B
公开(公告)日:2023-10-10
申请号:CN202211445828.9
申请日:2022-11-18
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64 , C23C14/08 , C23C14/35
Abstract: 本发明属于无机材料制备技术领域,涉及高致密无开裂细晶铟锡氧化物管状靶材的制备方法,包括如下步骤:以氧化铟、氧化锡为原料,加入纯水和分散剂,在球磨机中进行混合球磨后加入消泡剂,搅拌均匀,转入砂磨机中并加入粘结剂进行砂磨,得浆料;浆料用喷雾法制备造粒粉;将造粒粉填充入管状靶材模具中;采用冷等静压成型技术获得素坯;使用两步细晶烧结法对素坯进行烧结。本发明采用两步细晶烧结法得到的管状靶材致密度可以达到99.8%以上,晶粒尺寸小于5μm,有效解决了管状靶材高致密的同时晶粒不易控制的问题。
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公开(公告)号:CN116751049A
公开(公告)日:2023-09-15
申请号:CN202310725828.2
申请日:2023-06-19
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/453 , C23C14/34 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种镧系稀土掺杂氧化铟锌溅射靶材及其制备方法,其包括:分别制备硝酸铟溶液、锌盐溶液、镧系稀土盐溶液;混合硝酸铟溶液、锌盐溶液、镧系稀土盐溶液,得到混合液;向混合液中滴加沉淀剂进行沉淀反应,调节混合液的pH值至5~11,将混合液装入高压釜中,在100~300℃下进行水热反应18~36h,得到前驱体溶液;前驱体溶液洗涤、干燥得到前驱体粉末,在400~800℃下煅烧5~18h,得到镧系稀土掺杂氧化铟锌粉末;镧系稀土掺杂氧化铟锌粉末和乙酸溶液混合,研磨形成镧系稀土掺杂氧化铟锌浆料倒入半密封模具中,在300~600MPa,300~500℃下进行烧结,得到镧系稀土掺杂氧化铟锌陶瓷样品,在保护气氛下进行退火处理,得到镧系稀土掺杂氧化铟锌溅射靶材。
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公开(公告)号:CN115925410A
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202310048422.5
申请日:2023-01-31
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/638 , C04B35/64 , C23C14/34 , C23C14/08
Abstract: 本发明实施例公开了镨掺杂氧化铟锌溅射靶材的制备方法,包括:将Pr2O3粉体、In2O3粉体、ZnO粉体按设定质量比混合,加入添加剂调制成浆料;砂磨得到含有单一粒径颗粒的浆料;浆料喷雾造粒得到球形造粒粉;球形造粒成型得到靶材素坯;靶材素坯进行脱脂烧结一体化处理,脱脂烧结一体化处理的烧结过程包括:从脱脂温度升温到第一台阶温度850~1150℃,升温速率为3~5℃/min,保温8~24小时;从第一台阶温度升温至第二台阶温度1450~1550℃,升温速率为5~10℃/min,不保温;从第二台阶温度降温到第三台阶烧结温度1150~1250℃,降温速率为10~20℃/min,保温12~36小时;从第三台阶温度降温到600℃,降温速率为1~3℃/min;然后自然冷却,得到晶粒细小、二次相可控的镨掺杂氧化铟锌溅射靶材。
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公开(公告)号:CN112723875B
公开(公告)日:2023-01-20
申请号:CN202110146360.2
申请日:2021-02-03
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/457 , C04B35/622 , C04B35/63
Abstract: 本发明提供了一种氧化镓掺杂氧化锡陶瓷靶材及制备方法,其原料按照质量百分比,由氧化锡及氧化镓高纯纳米粉末组成,其组分比例为氧化镓2~10%,氧化锡90~98%。粉末称量混合后加入聚丙烯酸铵,聚乙烯醇及纯水,混合浆料经球磨后造粒干燥,得到混合粉末依次使用油压机、等静压机压制成型,之后使用脱脂‑多步烧结一体化烧结技术在不同烧结温度下制备了氧化镓掺杂氧化锡陶瓷靶材。本发明掺杂的氧化镓有效提高了氧化锡陶瓷的烧结性能,显著提升了氧化锡陶瓷靶材的致密度,同时通过制备工艺的有效控制,获得了组织均匀且晶粒细小的氧化镓掺杂氧化锡靶材。
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