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公开(公告)号：CN107248527A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201710453427.0
申请日：2017-06-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/20 , H01L21/336 , H01L29/94
CPC classification number: H01L29/94 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/66174
Abstract: 本发明公开了一种高K/AlN/低In组分InGaAs的MOS电容制备方法，主要解决现有同类器件界面态密度高的问题，其自下而上包括：欧姆接触金属、衬底、GaAs缓冲层、InGaAs沟道层、AlN钝化层、高K氧化层和金属栅电极。其中InGaAs沟道层掺杂浓度为1×1017/cm3，厚度为15‑30nm，用于提供有效载流子；AlN钝化层厚度为1‑5nm，用于改善高K/InGaAs界面缺陷；高K氧化层使用Al2O3或TiO2氧化物，其厚度为5‑10nm，用于提高击穿场强，减小栅极漏电。本发明降低了器件的界面态密度，提高了器件的电学特性，可用于硅基互补金属氧化物半导体器件的制作。
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公开(公告)号：CN107220406A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710277573.2
申请日：2017-04-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5018 , G06F17/504 , G06F2217/80
Abstract: 本发明公开了一种预测半导体器件温度分布的方法，涉及集成电路分析技术领域，其主要步骤为：1.获取芯片上有源器件的模型参数；2.在COMSOL中对器件建模，并对作有限元温度分析；3.在MATLAB中对器件的温度分布进行函数拟合；4.将实际有源器件的功耗、发热区面积以及所处的环境温度等参量带入温度函数表达式中，即可得出器件的温度分布。本发明可广泛用于集成电路分析领域，相比于传统有限元分析方法，避免了对整个器件建立实体模型和网格划分过程，节省了大量计算机硬件资源和计算时间，能够简单、快速和高效地实现半导体器件的温度分析。
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公开(公告)号：CN107196637A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710276871.X
申请日：2017-04-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明公开了高采样率宽带跟踪保持电路，涉及电子技术领域，包括输入缓冲单元IB、跟踪/保持开关T/H、保持电容CH以及输出缓冲单元OB。引入全差分的电路结构，实现较好的共模噪声抑制能力。本发明使用带发射极退化电阻的输入、输出缓冲器，提高了跟踪保持电路的线性度。本发明采用了带肖特基二极管的改进开关射极跟随器作为跟踪‑保持开关，提高了电路稳定性。本发明利用了高截止频率、良好基极‑发射极匹配的GaAs HBT器件来设计跟踪保持电路，改善了现有采样保持电路采样率低以及带宽窄的缺点。
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公开(公告)号：CN107153724A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：CN201710259562.1
申请日：2017-04-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了基于迭代算法的芯片温度分析方法，涉及集成电路分析技术领域，通过在有限元软件中建立单个器件热学分析模型，能够快速地得到其温度分布曲线，并且结合MATLAB软件拟合了温度分布函数，利用温度叠加原理，把函数表达式编程到温度计算过程中，避免了传统有限元方法的对整个芯片建立实体模型和网格划分过程，能够简单、快速和高效地实现大规模芯片电路的温度分析。在MATLAB编程中利用迭代算法，将耦合温升所带来的影响等效为环境温度的变化，根据等效后的环境温度得到新的自热温升和耦合温升，从而得到新的温度分布，随后不断地进行迭代计算，直到满足收敛条件，相比于非迭代算法，精度明显提高，能够有效地减小误差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107134405A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710235790.5
申请日：2017-04-12
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于深能级瞬态谱测试的InP/InGaAs异质结构及其制备方法。该InP/InGaAs异质结构包括N+‑InP衬底、N‑InP层、P+‑InGaAs层、P+‑InGaAs欧姆接触层和两个欧姆接触电极，N+‑InP衬底、N‑InP层、P+‑InGaAs层和P+‑InGaAs欧姆接触层自下而上依次排列，在N+‑InP衬底上的N‑InP层和P+‑InGaAs层共同构成InP/InGaAs异质结外延层，P+‑InGaAs欧姆接触层生长于P+‑InGaAs层的顶部。本发明的InP/InGaAs异质结构在一定反向偏压下，耗尽层宽度不至于完全耗尽，从而耗尽层宽度增加使得结电容减小，进而满足深能级瞬态谱测试要求。
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公开(公告)号：CN103247671B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310171556.2
申请日：2013-04-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种具有块状浮动结的碳化硅SBD器件及其制造方法，具有块状浮动结的碳化硅SBD器件包括自上往下依次分层设置的肖特基接触区、SiO2隔离介质、N-外延层、P+型的离子注入区、N+衬底区和欧姆接触区，所述P+型的离子注入区夹在所述N-外延层的中部，且将所述N-外延层分为上、下漂移区，所述P+型的离子注入区为水平均布的多个块状的浮动结。本发明将传统浮动结SBD器件的“条状”浮动结改进为“块状”，在满足所需要的击穿电压条件下，有效的增大了器件的导电通路，减小了器件的导通电阻。
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公开(公告)号：CN103872243A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410119011.1
申请日：2014-03-27
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L43/12
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化镁靶的磁隧道结制备方法，主要解决现有技术制备的磁隧道结中MgO薄膜结晶度低，导致隧穿磁电阻不高的问题。其实现步骤是：（1）清洗Si衬底基片，并在清洗后的基片上淀积一层SiO2薄膜；（2）在SiO2薄膜上磁控溅射Ta/Ru/Ta/CoFeB金属层；（3）利用陶瓷MgO靶，通入2-25sccm的O2，在CoFeB金属层上淀积MgO薄膜；（4）在MgO薄膜上溅射CoFeB/Ta/Ru金属层，得到磁隧道结结构并置于真空中退火。本发明制备的磁隧道结具有绝缘层MgO结晶度高，隧穿磁电阻率高的优点，可用于制作自旋存储器。
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公开(公告)号：CN103364705A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310292136.X
申请日：2013-07-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于SDD模型测试GaAs HBT抗辐照性能的方法，主要解决现有方法实验复杂，难度大，耗时长，不具有普遍性的问题。其实现步骤为：1）用ADS软件分析电路，确定器件的敏感参数；2）选择实验样品进行辐照前器件测试；3）对器件进行辐照实验并进行辐照后器件测试；4）对比实验前后器件性能及数据的差异，改变GaAs HBT器件SDD模型端口公式中的参数；5）用修改后的GaAs HBT器件SDD模型代替射频集成电路仿真软件ADS的GaAs HBT器件，以实现使用计算机对GaAs HBT器件以及由该器件组成的电路进行抗辐照特性分析,提高辐照实验的通用性，减小辐照实验对人体的危害。
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公开(公告)号：CN103247671A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201310171556.2
申请日：2013-04-29
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/329 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种具有块状浮动结的碳化硅SBD器件及其制造方法，具有块状浮动结的碳化硅SBD器件包括自上往下依次分层设置的肖特基接触区、SiO2隔离介质、N-外延层、P+型的离子注入区、N+衬底区和欧姆接触区，所述P+型的离子注入区夹在所述N-外延层的中部，且将所述N-外延层分为上、下漂移区，所述P+型的离子注入区为水平均布的多个块状的浮动结。本发明将传统浮动结SBD器件的“条状”浮动结改进为“块状”，在满足所需要的击穿电压条件下，有效的增大了器件的导电通路，减小了器件的导通电阻。
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