公开(公告)号：CN103247671B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201310171556.2

申请日：2013-04-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 宋庆文 ,  霍田佳 ,  汤晓燕 ,  张玉明 ,  张义门

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种具有块状浮动结的碳化硅SBD器件及其制造方法，具有块状浮动结的碳化硅SBD器件包括自上往下依次分层设置的肖特基接触区、SiO2隔离介质、N-外延层、P+型的离子注入区、N+衬底区和欧姆接触区，所述P+型的离子注入区夹在所述N-外延层的中部，且将所述N-外延层分为上、下漂移区，所述P+型的离子注入区为水平均布的多个块状的浮动结。本发明将传统浮动结SBD器件的“条状”浮动结改进为“块状”，在满足所需要的击穿电压条件下，有效的增大了器件的导电通路，减小了器件的导通电阻。

公开(公告)号：CN103247671A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310171556.2

申请日：2013-04-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 宋庆文 ,  霍田佳 ,  汤晓燕 ,  张玉明 ,  张义门

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种具有块状浮动结的碳化硅SBD器件及其制造方法，具有块状浮动结的碳化硅SBD器件包括自上往下依次分层设置的肖特基接触区、SiO2隔离介质、N-外延层、P+型的离子注入区、N+衬底区和欧姆接触区，所述P+型的离子注入区夹在所述N-外延层的中部，且将所述N-外延层分为上、下漂移区，所述P+型的离子注入区为水平均布的多个块状的浮动结。本发明将传统浮动结SBD器件的“条状”浮动结改进为“块状”，在满足所需要的击穿电压条件下，有效的增大了器件的导电通路，减小了器件的导通电阻。