公开(公告)号：CN108493260A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810293522.3

申请日：2018-04-04

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘琛 ,  吕红亮 ,  杨彤 ,  张玉明 ,  张义门

IPC: H01L29/94

Abstract: 本发明公开了一种高K/ZnO/低In组分InGaAs的MOS电容及制备方法，主要解决现有同类器件界面态密度高的问题，其自下而上包括：欧姆接触金属(1)、衬底(2)、GaAs缓冲层(3)、InGaAs沟道层(4)、ZnO钝化层(5)、高K氧化层(6)和金属栅电极(7)。其中InGaAs沟道层掺杂浓度为1×1017/cm3，厚度为15-30nm，ZnO钝化层厚度为1-5nm，高K氧化层使用Al2O3或ZrO2氧化物，其厚度为5-10nm。本发明降低了器件的界面态密度，改善了高K/InGaAs界面缺陷，提高了击穿场强，减小了栅极漏电，可用于互补金属氧化物半导体器件的制作。

公开(公告)号：CN107248527A

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201710453427.0

申请日：2017-06-15

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘琛 ,  吕红亮 ,  杨彤 ,  张玉明 ,  张义门

IPC: H01L29/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/94

CPC classification number: H01L29/94 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66174

Abstract: 本发明公开了一种高K/AlN/低In组分InGaAs的MOS电容制备方法，主要解决现有同类器件界面态密度高的问题，其自下而上包括：欧姆接触金属、衬底、GaAs缓冲层、InGaAs沟道层、AlN钝化层、高K氧化层和金属栅电极。其中InGaAs沟道层掺杂浓度为1×1017/cm3，厚度为15‑30nm，用于提供有效载流子；AlN钝化层厚度为1‑5nm，用于改善高K/InGaAs界面缺陷；高K氧化层使用Al2O3或TiO2氧化物，其厚度为5‑10nm，用于提高击穿场强，减小栅极漏电。本发明降低了器件的界面态密度，提高了器件的电学特性，可用于硅基互补金属氧化物半导体器件的制作。