一种P型IBC电池的制备方法
    43.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114050204B

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202111339977.2

    申请日:2021-11-12

    Abstract: 本发明提供了一种P型IBC电池的制备方法。与现有技术相比,本发明采用双面硼扩散技术正面的P+掺杂硅层可起到表面钝化的作用,背面的P+掺杂硅层可起到提取空穴的作用,两个功能层同时制备一步完成,且无需做边缘绝缘处理,正面和背面的P+掺杂硅层通过边缘连接在一起,不会导致漏电;同时硼扩散生成的硼硅玻璃层可作为阻挡层,使磷掺杂时磷只掺杂入去除硼硅玻璃层的区域,无需额外制备阻挡层;再者,利用磷掺杂浓度比硼掺杂浓度更高的特点,对去除硼硅玻璃层的P+掺杂硅区域进行补偿掺杂,将其转变为N+掺磷硅,从而实现P型IBC电池的制备,制备步骤简单,无需光刻技术,可显著降低电池成本。

    一种正面无电极的太阳能电池片及其制备方法

    公开(公告)号:CN111477695B

    公开(公告)日:2024-07-16

    申请号:CN202010265140.7

    申请日:2020-04-07

    Abstract: 本发明公开了一种正面无电极的太阳能电池片及其制备方法,简化了制备工艺且太阳能电池片具有较高的转换效率。该太阳能电池片,包括:P型硅基体;氧化物膜,其形成于所述P型硅基体的背面之上;多晶/非晶硅层,其形成于所述氧化物膜之上;背面钝化层,其形成于所述多晶/非晶硅层之上;N型掺杂氮化硅层,其形成于所述背面钝化层之上;P型电极;及N型电极;其中,P型硅基体具有重掺杂P型区域,P型电极依次穿过所述N型掺杂氮化硅层、所述背面钝化层、所述多晶/非晶硅层及所述氧化物膜以和所述P型硅基体的所述重掺杂P型区域形成欧姆接触,N型电极依次透过所述N型掺杂氮化硅层及所述背面钝化层以和所述多晶/非晶硅层形成欧姆接触。

    一种背结晶硅电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN115241303A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202110445224.3

    申请日:2021-04-23

    Abstract: 本发明提供一种背结晶硅电池及其制备方法,所述背结晶硅电池包括:P型硅片、正面钝化减反层、正面金属栅线;其中,所述正面钝化减反层形成在所述P型硅片的正面上,所述正面金属栅线为周期性的分段结构,单个周期的分段结构包括铝电极和正面银电极,其中,所述铝电极形成于所述正面钝化减反层上并穿透所述正面钝化减反层与所述P型硅片接触,所述正面银电极形成于所述正面钝化减反层上并与所述铝电极搭接接触。本发明的背结晶硅电池无需复杂的局部重掺步骤,也无需高温的硼扩;而且银电极的遮光面积小,从而提高硅片的光吸收效率。

    一种基于钝化接触结构的MWT电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN115241302A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202110445223.9

    申请日:2021-04-23

    Abstract: 本发明提供一种基于钝化接触结构的MWT电池及其制备方法,MWT电池包括:P型硅基底,形成有贯穿式开孔;正面钝化减反层,形成于所述P型硅基底正面;背面钝化接触层,形成于所述P型硅基底背面;背面介质保护层,层叠并覆盖在所述背面钝化接触层上;电池正极,填充在所述开孔中并穿透所述背面钝化接触层和所述背面介质保护层;以及电池负极,形成于所述背面介质保护层上并穿透所述背面介质保护层与所述背面钝化接触层接触;其中,所述电池正极为铝电极,并且所述P型硅基底与所述铝电极接触的位置处形成有铝掺杂的P+表面场。本发明的MWT电池在硅基底的开孔中实现电荷的收集,无需正面副栅,可以进一步改善MWT电池的光吸收,提高电池转换效率。

    一种高效异质结电池结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN114695588A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202011643595.4

    申请日:2020-12-30

    Abstract: 本发明涉及了一种高效异质结电池结构及其制备方法,高效异质结电池结构包括:中间电池结构,设有n型单晶硅层;正面电池结构,包括依次堆叠设置的正面本征非晶硅层、p型掺杂氢化氧化硅层以及p型掺杂非晶硅层;以及背面电池结构,包括相反方向依次堆叠设置的背面本征非晶硅层、n型掺杂氢化氧化硅层以及n型掺杂非晶硅层;其中,p型掺杂非晶硅层、n型掺杂非晶硅层两者的厚度范围均为1~5nm,p型掺杂氢化氧化硅层、n型掺杂氢化氧化硅层两者的厚度范围均为10~20nm。通过上述设置,可解决现有的异质结电池结构中由于掺杂非晶硅层的厚度与性能两者矛盾对立导致的电池转换效率低的问题。

    一种钝化接触栅线的太阳能电池结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN114695573A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202011644553.2

    申请日:2020-12-31

    Abstract: 本发明涉及了一种钝化接触栅线的太阳能电池结构及其制备方法,钝化接触栅线的太阳能电池结构,包括:p型硅基底层;正面电极,设于所述p型硅基底层上表面的栅线区域;钝化隧穿结构层,设于所述p型硅基底层、所述正面电极两者之间,所述钝化隧穿结构层包括由下至上依次堆叠设置的氧化硅隧穿层与掺杂多晶硅层;以及正面电池结构,包括:n++扩散层,所述n++扩散层堆叠设置于所述p型硅基底层上、且位于所述p型硅基底层上表面的非栅线区域。通过上述设置,可解决目前poly‑finger技术制备工艺难度大、poly‑finger结构的隧穿接触效果较差导致电池性能较差的问题。

    一种背包及发电机构
    49.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114142790A

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202111181121.7

    申请日:2021-10-11

    Abstract: 本发明提供一种背包及发电机构,包括背包体及设于背包体上的发电机构,发电机构包括IBC太阳能电池,IBC太阳能电池具有位于其背面的第一电极和第二电极,第一电极和第二电极上下设置;发电机构还包括:摩擦片,其和IBC太阳能电池的背面接触且能够相对IBC太阳能电池上下移动,摩擦片由得电子能力大于第一电极和第二电极的绝缘材料制成;其中,发电机构至少具有第一状态和第二状态,在第一状态时,摩擦片和第一电极接触而脱离第二电极;在第二状态时,摩擦片和第二电极接触而脱离第一电极。本发明的背包具有光伏发电功能,能够将使用者行走时产生的机械能转换为电能,具有较高的电能输出功率。

    一种具有光伏发电和摩擦发电功能的装置

    公开(公告)号:CN113992118A

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202111181104.3

    申请日:2021-10-11

    Abstract: 本发明提供一种具有光伏发电和摩擦发电功能的装置,包括太阳能电池,太阳能电池包括位于其上层的第一透明导电薄膜,装置还包括能够允许光线透过且能够弯曲变形的摩擦层及第二透明导电薄膜,摩擦层位于第一透明导电薄膜的上方,第二透明导电薄膜覆于摩擦层的上表面,装置具有第一状态和第二状态,在第一状态时,摩擦层弯曲并和第一透明导电薄膜接触;在第二状态时,摩擦层脱离第一透明导电薄膜。本发明的一种具有光伏发电和摩擦发电功能的装置在晴天和雨天均能够发电,能够充分利用雨滴的动能,且具有较高的发电功率。

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