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公开(公告)号：CN113098471A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110349643.7
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种超高速绝缘隔离GaN半桥栅驱动电路，包括输入接收电路、数控高精度死区时间产生电路、低侧数控延时电路、低侧输出驱动电路、低侧栅压钳位电路、调制发送电路、高压电容、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高侧输出驱动电路、高侧栅压钳位电路、发送端低压产生电路、芯片状态监测电路和接收端低压产生电路。本发明可在高耐压的前提下提高信号处理速度；自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿；采用高精度死区时间控制技术，最大程度优化高低侧信号死区时间，提高输出信号相位精度；采用芯片状态实时监测和智能化保护电路，保证GaN工作在理想工作区，提高可靠性。
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公开(公告)号：CN119689209A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411861613.4
申请日：2024-12-17
Applicant: 无锡芯力为半导体设备有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 清华大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种集成电路可靠性试验装置，包括实验箱体，该实验箱体的内侧壁上设有承托块；承托架，包括支板、对称分布在支板上的支撑板、与支撑板顶端连接的限定环、垂直支板边侧的立板、垂直立板的导向杆；分隔架，包括套设在导向杆外侧的套筒、均匀分布在套筒外侧的隔离板、垂直隔离板的第一固定板和第二固定板、垂直第一固定板和第二固定板的限定柱；限定工件B的夹持组件，包括套设在限定柱上的连接块、与连接块滑动连接的滑动杆、与滑动杆一端连接的夹板；工件B放置在第一固定板和第二固定板之间的位置，在压缩弹簧的弹力作用下，夹板夹住工件B的两侧，可抽拉套筒，使隔离板和固定住的工件B同向移动，有同时移动工件B的设计。
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公开(公告)号：CN111968952B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202010774407.5
申请日：2020-08-04
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H01L23/467 , H01L23/40 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基大功率芯片散热结构，包括散热底板、安装底座，所述散热底板的顶部从下至上依次设置有三氧化二铝衬底层、N型氮化镓子层、P型氮化镓子层和透明导电层，所述散热底板顶部的四角均固定连接有支撑杆，四个所述支撑杆的顶端之间固定连接有顶板，所述顶板上设置有移动散热机构，散热底板上设置有卡紧安装机构，本发明涉及大功率芯片技术领域。该氮化镓基大功率芯片散热结构，通过驱动电机、驱动轴、转盘、第一齿牙、第二齿牙的配合，便于带动回形框左右往复运动，进一步可带动移动风扇左右运动，能对芯片整体进行散热，且通过移动风扇的左右移动，可防止芯片表面积累灰层，使得散热效果更佳。
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公开(公告)号：CN117233565A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311196239.6
申请日：2023-09-18
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种高精度半导体材料性能测试方法，属于半导体测试技术领域，包括如下步骤：S1：通过半导体测试设备实时采集高精度半导体材料的电信号，且对实时采集的电信号进行放大、滤波、调制、解调、均衡及识别，确定出基于高精度半导体材料的半导体数据；S2：对半导体数据进行综合处理，确定出基于高精度半导体材料的半导体表征数据；S3：对半导体表征数据进行性能测试；S4：对高精度半导体材料性能测试进行管理。本发明解决了现有不能对高精度半导体材料性能进行有效地测试及管理，导致高精度半导体材料性能测试效果差的问题，本发明可对高精度半导体材料性能进行有效地测试及管理，提升高精度半导体材料性能测试效果。
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公开(公告)号：CN117076384A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311315720.2
申请日：2023-10-12
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院 , 上海航天计算机技术研究所
Abstract: 本发明提供了一计算装置、存内计算加速系统，可以应用于可重构技术领域。计算装置包括多个计算核模块，计算核模块包括：核内控制器单元、开关阵列单元、存算单元组、第一驱动单元组、第一计算单元组、第二驱动单元组以及第二计算单元组，核内控制器单元用于根据配置信息，向开关阵列单元发送第一连接指令，向存算单元组发送第二连接指令，开关阵列单元用于执行第一连接指令，第一驱动单元组和第二驱动单元组用于按列或行驱动存算单元组，存算单元组用于执行第二连接指令，并执行存内计算得到存内计算结果，第一计算单元组和第二计算单元组用于对存内计算结果执行预设计算操作得到计算结果，可支持多种算法和神经网络算子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112076608B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202010775497.X
申请日：2020-08-05
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓生产炉废氨气回收装置，包括热量回收箱、氨气回收箱、抽液泵和储液箱，所述抽液泵的右侧连通有吸液管，所述抽液泵的顶部固定连接有输液管，所述混合吸收层内腔的右侧固定连接有三号机械箱，所述混合吸收层内腔的左侧固定连接有混合池，所述三号机械箱内腔的底部固定连接有抽气泵，本发明涉及废气回收利用技术领域。该氮化镓生产炉废氨气回收装置,通过混合池和抽气泵的设置，使得氮化镓生产炉废氨气回收装置在进行使用时，可以通过抽气泵配合吸气管对废氨气进行有效吸收并通过配合气液混合管提高废氨气和稀硫酸溶液的融合，提高了废氨气的回收利用效率，避免了氨气回收不够充分的问题。
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公开(公告)号：CN114720838A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210258295.7
申请日：2022-03-16
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院 , 无锡麟力科技有限公司
Abstract: 本发明提供改进的用于宽禁带半导体功率器件的测试装置，包括底部箱座，翻转中空箱盖，翻折拉伸板，端部支架，端部升降架结构，支撑挡板，半导体检测仪主体，收纳凹槽，导线固定架结构，接头更换架结构，翻转把手，锁扣，固定轴杆，插拔支撑架结构和定位插孔，所述的翻转中空箱盖合页连接在底部箱座的上部左侧；所述的翻折拉伸板一端连接底部箱座，另一端连接翻转中空箱盖；所述的端部支架一体化设置在底部箱座的内侧下部；所述的端部升降架结构安装在底部箱座的内侧上部。本发明翻转安装板、支撑挡板和固定轴杆的设置，有利于对翻转安装板进行支撑，并且固定轴杆起到支撑的同时翻转安装板的右侧可以上下翻转。
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公开(公告)号：CN114267767A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111501659.1
申请日：2021-12-09
Applicant: 珠海天达生物科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种增加出光率的紫外灯封装结构，涉及到紫外灯封装技术领域，包括光亮腔体和出光部，光亮腔体的内部为中空状结构，出光部固定设置于光亮腔体的一侧，光亮腔体的内部安装有光照组件，光照组件内部设置有紫外灯，光照组件的一侧安装有折射件，折射件的数量为两个。上述方案，过设置紫外灯产生的光亮穿透第二散光镜的一侧时产生一定的折射光束，当第二散光镜的距离逐渐远离紫外灯的距离时，折射的光束的直径随着距离的增加随之增加，再经由折射件折射的过程中产生多个光束的叠加，光为波的一种形式，波能量的叠加使光线在第二散光镜与紫外灯之间的光亮增加，进而增加第一散光镜散发出的光照强度，通过出光部照射出，增加出光率。
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公开(公告)号：CN113098456A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110349742.5
申请日：2021-03-31
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/14
Abstract: 本发明公开了一种用于高压集成电路的高性能芯片状态监测保护电路，该电路包括：高精度宽电压范围过温保护电路、高精度高可靠欠压保护电路、高精度高可靠过流保护电路和错误处理逻辑电路。本发明所提供的高性能芯片状态监测保护电路，一方面，在温度保护电路中采用共模干扰检测电路，避免共模噪声干扰，在共模噪声超过阈值的情况下提前锁定温度保护信号；另一方面，在欠压保护电路中采用电源毛刺检测电路，在异常情况下输出复位信号提前锁定欠压保护信号；此外，输出整形电路采用RC低通滤波和施密特触发器组合滤波，以滤除高频噪声的影响，保持了一定的迟滞量，从而产生稳定可靠的保护输出信号稳定性。
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