基于绿色热激活延迟荧光材料的掺杂电子器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN112289942A

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN202011194206.4

    申请日:2020-10-30

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于绿色热激活延迟荧光材料的掺杂电子器件及其制备方法,由阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子/激子阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极组成,发光层由绿色热激活延迟荧光材料掺杂主体材料制备;绿色热激活延迟荧光材料为3,5‑二(9H‑咔唑‑9‑基)‑2,4,6‑三(3,6‑二叔丁基‑9H‑咔唑‑9‑基)苯腈。本发明热激活延迟荧光材料的高浓度掺杂发光层制备的OLED,实现其EQE超过20%,并且低效率滚降的目标。

    一种高雾度导电薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN110459368B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201910722651.4

    申请日:2019-08-06

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种高雾度导电薄膜的制备方法,包括以下步骤:在基底表面制备电极,然后将混合PS微球的聚亚胺酸溶液涂布于电极表面,加热固化并脱水缩合形成聚酰亚胺薄膜后,降至室温,即在所述基底表面形成高雾度导电薄膜。本发明采用了具有良好光调控效果的高雾度柔性透明聚酰亚胺薄膜基材,可以增加电极的光的全透射;本发明采用了将电极嵌入聚酰亚胺薄膜的手段,方阻仍保持在较低水平,但使得电极导电面表面粗糙度显著下降。该导电薄膜的制备工艺简单,操作方便,成本低廉,便于推广应用。

    层压法制备电致发光器件的方法

    公开(公告)号:CN107425143B

    公开(公告)日:2019-05-21

    申请号:CN201710461353.5

    申请日:2017-06-16

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明涉及一种层压法制备电致发光器件的方法:在第一基底和第二基底表面分别涂覆电极材料,形成阳极和阴极;制备器件顶部分:在阳极相对第一基底的表面形成第一复合层,第一复合层包括空穴传输材料和粘合剂;制备器件底部分:在阴极相对第二基底的表面形成电子传输层,电子传输层上形成发光层,发光层上形成第二复合层,第二复合层包括空穴传输材料和粘合剂;将器件顶部分和器件底部分压合,固化处理后,得到电致发光器件。本发明利用双面覆涂粘合剂的层压方法制备器件,解决了全溶液制备器件中电极接触差的问题,兼容大面积卷对卷制造工艺,器件性能突出且成本低廉。

    层压法制备电致发光器件的方法

    公开(公告)号:CN107425143A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201710461353.5

    申请日:2017-06-16

    Applicant: 苏州大学

    CPC classification number: H01L51/56 H01L51/0024

    Abstract: 本发明涉及一种层压法制备电致发光器件的方法:在第一基底和第二基底表面分别涂覆电极材料,形成阳极和阴极;制备器件顶部分:在阳极相对第一基底的表面形成第一复合层,第一复合层包括空穴传输材料和粘合剂;制备器件底部分:在阴极相对第二基底的表面形成电子传输层,电子传输层上形成发光层,发光层上形成第二复合层,第二复合层包括空穴传输材料和粘合剂;将器件顶部分和器件底部分压合,固化处理后,得到电致发光器件。本发明利用双面覆涂粘合剂的层压方法制备器件,解决了全溶液制备器件中电极接触差的问题,兼容大面积卷对卷制造工艺,器件性能突出且成本低廉。

    有机光伏器件的制作方法
    46.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102760835B

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201110107437.1

    申请日:2011-04-27

    Applicant: 苏州大学

    CPC classification number: Y02E10/549 Y02P70/521

    Abstract: 本发明实施例公开了一种有机光伏器件的制作方法,该方法包括:采用原子层沉积法在ITO玻璃表面形成CdS薄膜;通过旋涂工艺将聚-3烷基噻吩和富勒烯衍生物的混合溶液旋涂于CdS薄膜上,形成活性层;在所述活性层上依次形成空穴传输层和金属电极层。本发明所提供的有机光伏器件的制作方法,由于首先采用原子层沉积法在ITO玻璃表面形成了CdS薄膜,因此,所形成的CdS薄膜质量较高,高质量的CdS薄膜能够有效地提高后续形成的有机光伏器件的能量转换效率。

    一种阵列孔低介电材料的制备方法

    公开(公告)号:CN102730705B

    公开(公告)日:2014-11-05

    申请号:CN201210237364.2

    申请日:2012-07-10

    Applicant: 苏州大学

    CPC classification number: C01B33/20

    Abstract: 一种阵列孔低介电材料制备方法,通过在低介电材料主体中引入微纳小球,使这些微纳小球经过自组装过程后具有一定的排布规则,然后去除小球,从而在材料主体得到规则排布的阵列孔。本发明所提供的利用自组装法制备的单层小球模板,尺寸和分布均匀且可控,薄膜的成型强度较高,性能均一,克服了一般多孔材料机械强度差,容易局部塌陷,各区域性能迥异的缺点。

    一种OLED器件及其制作方法
    48.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103474586A

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201310462670.0

    申请日:2013-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种OLED器件及其制作方法,包括衬底、位于所述衬底一表面的第一电极层、发光层、介于所述第一电极层与所述发光层之间的第一电荷传输层、第二电极层、介于所述第二电极层与所述发光层之间的第二电荷传输层,其中,所述衬底另一表面设有纳米凹凸结构层,所述纳米凹凸结构层上具有呈准周期或非周期性形状、且其折射率沿出射光方向呈梯度变化的第一纳米凹凸结构;本发明不仅有效提高OLED器件的外量子提取效率,而且制作工序简单、成本低。

    有机光伏器件的制作方法
    49.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102760835A

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN201110107437.1

    申请日:2011-04-27

    Applicant: 苏州大学

    CPC classification number: Y02E10/549 Y02P70/521

    Abstract: 本发明实施例公开了一种有机光伏器件的制作方法,该方法包括:采用原子层沉积法在ITO玻璃表面形成CdS薄膜;通过旋涂工艺将聚-3烷基噻吩和富勒烯衍生物的混合溶液旋涂于CdS薄膜上,形成活性层;在所述活性层上依次形成空穴传输层和金属电极层。本发明所提供的有机光伏器件的制作方法,由于首先采用原子层沉积法在ITO玻璃表面形成了CdS薄膜,因此,所形成的CdS薄膜质量较高,高质量的CdS薄膜能够有效地提高后续形成的有机光伏器件的能量转换效率。

    一种低介电材料的表面改性工艺

    公开(公告)号:CN102718226A

    公开(公告)日:2012-10-10

    申请号:CN201210237331.8

    申请日:2012-07-10

    Applicant: 苏州大学

    Abstract: 本发明揭露了一种低介电材料的表面改性工艺,该工艺通过将由旋涂法制得的二氧化硅湿凝胶薄膜浸润在改性溶液中进行表面改性处理,然后再通过大气环境下的热处理,制备出具有低介电常数的二氧化硅薄膜材料。该工艺中由于直接用溶剂浸润和热处理两种简单方便的工艺就能降低材料介电系数的方法,因此材料的孔隙率仍维持在较低的水平,机械强度可以保持较高的水准。

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