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公开(公告)号：CN107293647A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710441615.1
申请日：2017-06-13
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/5072 , H01L51/56 , H01L2251/303
Abstract: 本申请公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，包括依次层叠的衬底、阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极，其特征在于：所述的电子传输层的上表面设有呈准周期或非周期性形状且折射率沿出射光方向呈梯度变化的纳米凹凸结构。本申请所述的一种倒置结构量子点发光二极管的效率得到了显著提升，其效率遥遥领先于其他倒置量子点器件。
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公开(公告)号：CN108232023A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711482938.1
申请日：2017-12-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请公开了一种倒置结构量子点发光二极管及其制备方法，包括依次层叠的衬底、阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极，所述电子传输层为溶胶‑凝胶法制备的金属氧化物薄膜，所述的电子传输层的上表面具有界面修饰层。所述QLED为倒置结构器件，可与成熟的n沟道a‑Si基TFT驱动电路集成，且通过选择透明的阴极或阳极可实现底发射、顶发射，顶底发射透明器件。本申请所述的一种倒置结构量子点发光二极管及其制备方法引入电子传输层修饰层，可以有效降低阴极的功函数，并改善电子传输层的形貌，减少电子传输层对量子点发光层的影响。本申请所述的一种倒置结构量子点发光二极管的效率得到了显著提升，其效率遥遥领先于其他倒置量子点器件。
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公开(公告)号：CN107425143B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201710461353.5
申请日：2017-06-16
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种层压法制备电致发光器件的方法：在第一基底和第二基底表面分别涂覆电极材料，形成阳极和阴极；制备器件顶部分：在阳极相对第一基底的表面形成第一复合层，第一复合层包括空穴传输材料和粘合剂；制备器件底部分：在阴极相对第二基底的表面形成电子传输层，电子传输层上形成发光层，发光层上形成第二复合层，第二复合层包括空穴传输材料和粘合剂；将器件顶部分和器件底部分压合，固化处理后，得到电致发光器件。本发明利用双面覆涂粘合剂的层压方法制备器件，解决了全溶液制备器件中电极接触差的问题，兼容大面积卷对卷制造工艺，器件性能突出且成本低廉。
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公开(公告)号：CN107425143A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710461353.5
申请日：2017-06-16
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L51/56
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/0024
Abstract: 本发明涉及一种层压法制备电致发光器件的方法：在第一基底和第二基底表面分别涂覆电极材料，形成阳极和阴极；制备器件顶部分：在阳极相对第一基底的表面形成第一复合层，第一复合层包括空穴传输材料和粘合剂；制备器件底部分：在阴极相对第二基底的表面形成电子传输层，电子传输层上形成发光层，发光层上形成第二复合层，第二复合层包括空穴传输材料和粘合剂；将器件顶部分和器件底部分压合，固化处理后，得到电致发光器件。本发明利用双面覆涂粘合剂的层压方法制备器件，解决了全溶液制备器件中电极接触差的问题，兼容大面积卷对卷制造工艺，器件性能突出且成本低廉。
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