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公开(公告)号：CN107293647A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710441615.1
申请日：2017-06-13
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: H01L51/502 , H01L51/5072 , H01L51/56 , H01L2251/303
Abstract: 本申请公开了一种量子点发光二极管及其制备方法，包括依次层叠的衬底、阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极，其特征在于：所述的电子传输层的上表面设有呈准周期或非周期性形状且折射率沿出射光方向呈梯度变化的纳米凹凸结构。本申请所述的一种倒置结构量子点发光二极管的效率得到了显著提升，其效率遥遥领先于其他倒置量子点器件。
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公开(公告)号：CN107316940A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710403440.5
申请日：2017-06-01
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种具有光调控结构的钙钛矿薄膜的制备方法：提供一基底和一具有纳米凹凸结构的模板，模板为软性材料；在基底表面涂覆钙钛矿前驱体溶液，真空处理10-30min，以挥发部分溶剂，得到处理过的基底；将模板覆盖在处理过的基底上，然后在5-10bar压强下进行共退火结晶，取下模板，得到生长于基底表面的钙钛矿薄膜。本发明还提供了一种光电器件的制备方法，采用上述钙钛矿薄膜的制备方法，基底预涂覆有导电电极层和第一传输层，并在钙钛矿薄膜表面自下而上依次修饰第二传输层、缓冲层以及金属电极，其中，钙钛矿薄膜、第二传输层、缓冲层以及金属电极之间的结构互补。本发明利用微纳模板控制钙钛矿的定向生长，直接在钙钛矿薄膜中引入光调控纳米结构。
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公开(公告)号：CN107316940B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201710403440.5
申请日：2017-06-01
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本发明涉及一种具有光调控结构的钙钛矿薄膜的制备方法：提供一基底和一具有纳米凹凸结构的模板，模板为软性材料；在基底表面涂覆钙钛矿前驱体溶液，真空处理10‑30min，以挥发部分溶剂，得到处理过的基底；将模板覆盖在处理过的基底上，然后在5‑10bar压强下进行共退火结晶，取下模板，得到生长于基底表面的钙钛矿薄膜。本发明还提供了一种光电器件的制备方法，采用上述钙钛矿薄膜的制备方法，基底预涂覆有导电电极层和第一传输层，并在钙钛矿薄膜表面自下而上依次修饰第二传输层、缓冲层以及金属电极，其中，钙钛矿薄膜、第二传输层、缓冲层以及金属电极之间的结构互补。本发明利用微纳模板控制钙钛矿的定向生长，直接在钙钛矿薄膜中引入光调控纳米结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107416765A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710469398.7
申请日：2017-06-20
Applicant: 苏州大学
IPC: B82B3/00
CPC classification number: B82B3/0009
Abstract: 本发明涉及一种在平面或曲面上形成纳米凹凸结构的方法，包括以下步骤：将聚苯乙烯微球通过气液界面自组装法形成单分子膜；利用垂直提拉法，将单分子膜转移到基底上，然后刻蚀单分子膜，使单分子膜中的聚苯乙烯微球尺寸变小，形成基底暴露部分；继续刻蚀基底暴露部分，形成纳米凹凸结构。采用本发明的方法，可以对刚性平面或柔性曲面进行处理，制备工艺简单、可控性高、成本低，在制备具有微纳结构的光学器件、传感器、光伏器件、发光器件等领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN107425143B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201710461353.5
申请日：2017-06-16
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种层压法制备电致发光器件的方法：在第一基底和第二基底表面分别涂覆电极材料，形成阳极和阴极；制备器件顶部分：在阳极相对第一基底的表面形成第一复合层，第一复合层包括空穴传输材料和粘合剂；制备器件底部分：在阴极相对第二基底的表面形成电子传输层，电子传输层上形成发光层，发光层上形成第二复合层，第二复合层包括空穴传输材料和粘合剂；将器件顶部分和器件底部分压合，固化处理后，得到电致发光器件。本发明利用双面覆涂粘合剂的层压方法制备器件，解决了全溶液制备器件中电极接触差的问题，兼容大面积卷对卷制造工艺，器件性能突出且成本低廉。
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公开(公告)号：CN107425143A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710461353.5
申请日：2017-06-16
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L51/56
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/0024
Abstract: 本发明涉及一种层压法制备电致发光器件的方法：在第一基底和第二基底表面分别涂覆电极材料，形成阳极和阴极；制备器件顶部分：在阳极相对第一基底的表面形成第一复合层，第一复合层包括空穴传输材料和粘合剂；制备器件底部分：在阴极相对第二基底的表面形成电子传输层，电子传输层上形成发光层，发光层上形成第二复合层，第二复合层包括空穴传输材料和粘合剂；将器件顶部分和器件底部分压合，固化处理后，得到电致发光器件。本发明利用双面覆涂粘合剂的层压方法制备器件，解决了全溶液制备器件中电极接触差的问题，兼容大面积卷对卷制造工艺，器件性能突出且成本低廉。
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公开(公告)号：CN107068865A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611142357.9
申请日：2016-12-12
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4213 , H01L51/447
Abstract: 本发明涉及一种具有纳米陷光结构的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的衬底、透明电极、第一传输层、钙钛矿光吸收层、第二传输层、缓冲层以及金属电极。其中，所述第二传输层设有纳米陷光结构，该发明可在紫外到红外的宽光谱范围内有效增加光吸收，从而显著提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率，且制备工艺简单，成本低廉，适合规模化生产。
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公开(公告)号：CN108232023A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711482938.1
申请日：2017-12-29
Applicant: 苏州大学
Abstract: 本申请公开了一种倒置结构量子点发光二极管及其制备方法，包括依次层叠的衬底、阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层和阳极，所述电子传输层为溶胶‑凝胶法制备的金属氧化物薄膜，所述的电子传输层的上表面具有界面修饰层。所述QLED为倒置结构器件，可与成熟的n沟道a‑Si基TFT驱动电路集成，且通过选择透明的阴极或阳极可实现底发射、顶发射，顶底发射透明器件。本申请所述的一种倒置结构量子点发光二极管及其制备方法引入电子传输层修饰层，可以有效降低阴极的功函数，并改善电子传输层的形貌，减少电子传输层对量子点发光层的影响。本申请所述的一种倒置结构量子点发光二极管的效率得到了显著提升，其效率遥遥领先于其他倒置量子点器件。
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