一种OLED器件及其制作方法

    公开(公告)号:CN103474586A

    公开(公告)日:2013-12-25

    申请号:CN201310462670.0

    申请日:2013-09-30

    Abstract: 本发明公开了一种OLED器件及其制作方法,包括衬底、位于所述衬底一表面的第一电极层、发光层、介于所述第一电极层与所述发光层之间的第一电荷传输层、第二电极层、介于所述第二电极层与所述发光层之间的第二电荷传输层,其中,所述衬底另一表面设有纳米凹凸结构层,所述纳米凹凸结构层上具有呈准周期或非周期性形状、且其折射率沿出射光方向呈梯度变化的第一纳米凹凸结构;本发明不仅有效提高OLED器件的外量子提取效率,而且制作工序简单、成本低。

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