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公开(公告)号：CN100457958C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200610021847.3
申请日：2006-09-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种金属氧化物纳米反阵列薄膜的制备方法，属于材料技术领域，涉及一种利用纳米胶体球刻蚀技术制备纳米金属氧化物薄膜的方法。将一定尺寸的纳米高分子胶体球分散在基片上形成纳米球模板，利用氧环境下的磁控反应溅射工艺在纳米球模板上沉积金属氧化物薄膜的同时对高分子纳米胶体球进行刻蚀，最终制备出金属氧化物纳米反阵列薄膜。采用不同尺寸的高分子纳米球以及控制溅射功率和工作气压，可制备出不同尺寸的目的物。本发明能够减少金属氧化物纳米反阵列薄膜制备过程的设备投入，缩短制备时间，降低制造成本；可用来制备各种金属氧化物纳米反阵列薄膜，可应用于高密度磁存贮、传感器的制备和基于单元尺寸调制的器件性能优化等方面的工业化大规模生产。
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公开(公告)号：CN118284324A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410350846.1
申请日：2024-03-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种具有忆阻与学习行为的类脑计算纳米振荡器，属于类脑计算技术领域。该纳米振荡器包括衬底、纳米振荡单元、离子调控单元和电极单元；其中，纳米振荡单元位于衬底之上，离子调控单元位于纳米振荡单元之上、且与纳米振荡单元垂直，电极单元位于衬底之上、与纳米振荡单元的两侧连接；纳米振荡单元包括依次设置的重金属薄膜、铁磁性薄膜和反铁磁性绝缘体薄膜；离子调控单元包括依次设置的离子调控层和上电极。本发明将学习、记忆、谐振行为集成到一个器件上，开发了一种新型的类脑器件，推动了类脑计算与人工智能的发展；自旋电子学为具有极大潜力的下一代微电子元器件，该器件可与自旋电子学器件集成，用于计算、微波信号发生器等功能器件。
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公开(公告)号：CN118263638A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410309536.5
申请日：2024-03-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于磁子转移力矩调控的自旋波移相器，属于自旋波逻辑器件技术领域。所述移相器包括自旋波传输介质层，以及位于自旋波传输介质层之上的自旋波激发天线电极、自旋波接收天线电极、磁子力矩传输层、强电荷‑自旋转换层、第一接触电极和第二接触电极；强电荷‑自旋转换层位于磁子力矩传输层之上、形成层叠结构，自旋波激发天线电极和自旋波接收天线电极分别位于层叠结构的两侧；第一接触电极和第二接触电极与强电荷‑自旋转换层接触，用于对强电荷‑自旋转换层施加外电流。本发明移相来源于磁子流携带的磁子转移力矩，以全电学调控的磁子流方式调控自旋波移相，调控方式具有非易失性，可用于集成化、编程化自旋波移相器件。
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公开(公告)号：CN118174732A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410335317.4
申请日：2024-03-22
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于模拟IC芯片技术领域，具体提供一种高压DAC电路，包括：缓冲器、电阻串以及转换单元，在参考电压之后用缓冲器隔离参考电压与后端负载，保证参考输入电压不受后级单元变化的干扰；然后，在参考电压输入端和转换单元之间设置电阻串单元以对参考电压进行预分压，使用多路开关与逻辑电路将电阻串上相邻两个电压节点的电压传输到运算放大器的五个正向输入端，由运算放大器对正向输入端的电压进行进一步分压，进而输出模拟电压，能够获得更小的精度与更精确的输出电压；另外，本发明在运算放大器中同时采用低压MOS管与高压MOS管，可以在保证功能与性能的前提下，减少高压MOS管器件的数量，降低芯片版图面积。
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公开(公告)号：CN118033227A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410340767.2
申请日：2024-03-25
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种基于隧道磁电阻传感器的电流检测装置及测量方法，属于电流传感器技术领域。该装置设计底座和可拆卸的导线固定单元，底座上同轴线设置三个隧道磁电阻传感器，导线固定单元通过机械结构装置支持量程可调节，同时保证了导线垂直于传感器阵列平面，使得本发明装置更加便利适用于各种复杂应用场景；除此之外，分别测量三个传感器所在处的磁感应强度，定位导线相对于每个传感器的距离，计算出三个测试点处的电流值取平均值，从而求得导线的电流值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117811524A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410002762.9
申请日：2024-01-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于磁声非线性相互作用的自旋波频率梳，属于自旋波器件技术领域。包括压电衬底，形成于压电衬底之上的自旋波波导，形成于压电衬底之上、自旋波波导横向两侧的导电电极，形成于自旋波波导之上、自旋波传输方向前后两端的微波天线。本发明在自旋波波导一端的微波天线输入微波信号激发自旋波，通过在两侧的导电电极之间施加交流电压，自旋波波导受到压电衬底上产生的声波的影响，在时变应变的作用下，自旋波波导另一端的微波天线中检测到鲁棒性的自旋波频率梳信号。该自旋波频率梳在工作时无需外部偏置场、电流等手段进行调控；并且可通过调节施加的交流电压来调节时变应变的幅值和频率进而精确调控频率梳的幅值和间距。
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公开(公告)号：CN114679030B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210418704.5
申请日：2022-04-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于磁弹效应的柔性微型发电机及其制备方法，属于磁性器件技术领域。所述柔性微型发电机包括柔性基片，形成于柔性基片之上的底电极，形成于底电极之上的感应线圈，形成于感应线圈内部的磁芯，形成于感应线圈之上的顶电极，形成于顶电极之上的磁弹性层；感应线圈为线圈层和绝缘层薄膜交替堆叠得到的多层结构，所述线圈层为圆形螺旋状结构或者方形螺旋状结构，相邻的线圈层通过金属柱连接，以形成螺旋结构的感应线圈；磁芯位于螺旋结构的感应线圈的中心。本发明通过在感应线圈中设置磁芯层，使得感应线圈中的磁通量增大，减小磁能的损失，有效提升发电机的发电效率。
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公开(公告)号：CN116071260A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310101460.2
申请日：2023-01-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于红外图像增强方法技术领域，具体为一种基于FPGA的非制冷型红外图像增强系统及方法，是以FPGA为处理核心，结合双边滤波算法和伽马校正算法，对红外图像进行实时增强。双边滤波算法在处理的过程中同时考虑像素点间的距离与灰度差值两种因素，在增强图像效果的同时能够清晰地保留图像原有细节，达到保边去噪的目的。在此基础上，通过伽马校正算法，使去噪后的图像具有更强的对比度，有效提高图像质量。同时，在构架的系统框架中，对芯片SRAM‑A和芯片SRAM‑B进行复用，使整个系统能够利用更少的存储资源实现快速处理更大数据量，从而满足图像处理系统对于实时性的要求。
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公开(公告)号：CN114583425B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210279197.1
申请日：2022-03-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 一种基于周期波纹衬底上磁性薄膜的可调宽频段带阻滤波器，属于微波磁性器件技术领域。所述带阻滤波器包括周期性波纹衬底、磁性薄膜层、导电金属层、微带线和接地板；其中，所述磁性薄膜层是通过薄膜沉积工艺形成于周期性波纹衬底之上。本发明提供的一种基于周期波纹衬底上磁性薄膜的可调宽频段带阻滤波器，采用周期波纹薄膜作为磁性薄膜层，相较于单一共振的带阻滤波器，具有更大的带宽，从而可实现宽频段带阻滤波。
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公开(公告)号：CN112968058B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110155537.5
申请日：2021-02-04
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种离子调控型自旋波晶体管及其制备方法，属于自旋波器件技术领域。所述离子调控型自旋波晶体管包括衬底基片，形成于衬底基片之上的底电极层，形成于底电极层之上的磁性薄膜，形成于磁性薄膜之上的离子层‑顶电极层异质结，以及位于离子层‑顶电极层异质结两侧的微波天线。本发明离子调控型自旋波晶体管，磁性薄膜中的磁性原子与离子层中储存的离子，在电场的作用下发生氧化还原反应，使磁性薄膜的磁性能发生改变，进而实现自旋波传输幅度和相位的电场调控具有低功耗和长距离传输等技术优势。
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