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公开(公告)号：CN110061722B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910310814.8
申请日：2019-04-18
Applicant: 电子科技大学 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川矽芯微科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，用于驱动单相负载，包括供电电路、功率控制电路，所述功率控制电路与单相负载串接后，与供电电路并接于交流市电中；供电电路的第一路正极输出端连接栅极驱动电路的电源输入端，供电电路的第二路正极输出端连接PWM信号模块的电源输入端，供电电路的负极输出端连接PWM信号模块的电源输出端、栅极驱动电路的电源输出端和功率控制电路的信号输出端；PWM信号模块的信号输出端通过栅极驱动电路连接功率控制电路的信号输入端。本发明结构简单，可令MOS管直接用于交流电路中控制负载功率。本发明适用于驱动白炽灯负载、单相交流电动机负载、电阻丝负载、单排LED灯组负载和双排LED灯组负载中的任意一种。
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公开(公告)号：CN108538831B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201810314684.0
申请日：2018-04-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于集成电路的静电放电(ESD：Electrostatic Discharge)保护领域，具体提供一种用于输入输出端口和电源钳位的SCR器件，用以同时实现保护输入输出端口和电源钳位；本发明SCR器件包括1个主泄放器件和1个辅助控制器件，其中，辅助控制器件作为控制主泄放器件的开关，辅助控制器件在正常工作时使主泄放器件关断，不影响被保护电路的正常工作；在ESD事件到来时，辅助控制器件使主泄放器件导通，泄放ESD电流；同时，通过设计内部的RC通路的参数，能够降低主泄放器件的触发电压，且该触发电压可调制。
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公开(公告)号：CN107342286B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710490849.5
申请日：2017-06-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/06 , H01L29/739
Abstract: 一种具有表面双栅控制的横向RC‑IGBT器件，属于功率半导体技术领域。该器件在传统结构的续流二极管上串联了一个MOS管，通过第二栅极来控制这个MOS管开启与关闭，达到和传统结构相同的器件功能：当RC‑IGBT正向工作时，MOS管关闭，传统结构中的N+集电区被MOS管隔离，此时器件相当于纯粹的IGBT，完全消除了传统结构中的电压折回现象；当器件反向工作时，通过第二栅极来控制MOS管开启，续流二极管得以正常工作。同时，与传统的纵向结构器件不同，本发明属于横向器件，器件建立在外延层上，器件的实现无需背面工艺，大大降低了工艺难度；通过RESURF结构，也增强了器件的横向耐压能力。
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公开(公告)号：CN110518032A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910824277.9
申请日：2019-09-02
Applicant: 电子科技大学 , 重庆中科渝芯电子有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川晶辉半导体有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 气派科技股份有限公司 , 广东成利泰科技有限公司 , 四川上特科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅SOI基板型光电耦合器，包括作为衬底硅的第一衬底、作为SiO2中间层的第一介质层和顶层多晶硅，顶层多晶硅通过低压力化学气相沉积法淀积在第一衬底上；光电耦合器包括制作在第一衬底中的硅光探测器、第一介质层以及制作在顶层多晶硅中的多晶硅光源。本发明还公开了上述光电耦合器的制作方法，并进一步公开了上述光电耦合器的集成电路及其制作方法。本发明的多晶硅光源与硅光探测器轴向排布，面积小、制造成本低，具有较高的光传输效率和集成度；本发明的光电耦合器可以与电路集成在同一个衬底上，多晶硅光源与硅光探测器轴向堆叠，进一步降低了制造成本，具有较高的集成度。本发明适用于光电耦合器的集成技术领域。
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公开(公告)号：CN110061722A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910310814.8
申请日：2019-04-18
Applicant: 电子科技大学 , 上海朕芯微电子科技有限公司 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 气派科技股份有限公司 , 四川芯合利诚科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司 , 四川矽芯微科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种由MOS型器件变频驱动的负载功率调整电路，用于驱动单相负载，包括供电电路、功率控制电路，所述功率控制电路与单相负载串接后，与供电电路并接于交流市电中；供电电路的第一路正极输出端连接栅极驱动电路的电源输入端，供电电路的第二路正极输出端连接PWM信号模块的电源输入端，供电电路的负极输出端连接PWM信号模块的电源输出端、栅极驱动电路的电源输出端和功率控制电路的信号输出端；PWM信号模块的信号输出端通过栅极驱动电路连接功率控制电路的信号输入端。本发明结构简单，可令MOS管直接用于交流电路中控制负载功率。本发明适用于驱动白炽灯负载、单相交流电动机负载、电阻丝负载、单排LED灯组负载和双排LED灯组负载中的任意一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108538831A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810314684.0
申请日：2018-04-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于集成电路的静电放电(ESD：Electrostatic Discharge)保护领域，具体提供一种用于输入输出端口和电源钳位的SCR器件，用以同时实现保护输入输出端口和电源钳位；本发明SCR器件包括1个主泄放器件和1个辅助控制器件，其中，辅助控制器件作为控制主泄放器件的开关，辅助控制器件在正常工作时使主泄放器件关断，不影响被保护电路的正常工作；在ESD事件到来时，辅助控制器件使主泄放器件导通，泄放ESD电流；同时，通过设计内部的RC通路的参数，能够降低主泄放器件的触发电压，且该触发电压可调制。
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公开(公告)号：CN108389853A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810271390.4
申请日：2018-03-29
Applicant: 电子科技大学 , 广东成利泰科技有限公司 , 成都智芯微科技有限公司 , 四川明泰电子科技有限公司 , 四川遂宁市利普芯微电子有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/495 , H01L23/31 , H02M7/00
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种集成式抗浪涌的全波整流桥结构，包括塑封体、四个技术指标相同的二极管芯片、一个单向TVS芯片、第一～第四引线框架；单向TVS芯片顶面为P型，固定设于第二引线框架上，并通过导线连接第四引线框架；两个二极管芯片顶面均为P型，固定设于第二引线框架上，分别通过导线连接第一、第三引线框架；另外两个二极管芯片顶面均为N型，固定设于第四引线框架上，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第一、第三引线框架作为输入引脚，第二、第四引线框架分别作为输出正、负极引脚。本发明将单向TVS芯片设置于传统整流桥之后，布局紧凑、成本降低、厚度更薄。本发明适用于电子器件技术领域。
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公开(公告)号：CN108039363A
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201711239512.3
申请日：2017-11-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L29/41 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种光驱动SiC/GaN基半导体器件，它取消了传统BJT结构中的基极电极，利用紫外线穿过透明电极和薄发射区进入基区引入光激发产生电子和空穴对，为BJT的基极提供基极电流；同时采用圆角四棱台器件结构，提高了器件的耐压值。本发明还公开了制作上述光驱动SiC/GaN基半导体器件的工艺。本发明在兼具传统BJT优点的同时，提高了器件的光注入电流增益、击穿电压、EMI抗扰度、开关切换速度和稳定性，降低了驱动损耗和响应时间，降低了制造成本。本发明适用于从小功率到大功率的半导体功率器件领域。
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公开(公告)号：CN104538315B
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201510008299.X
申请日：2015-01-08
Applicant: 电子科技大学 , 四川蓝彩电子科技有限公司 , 四川绿然电子科技有限公司 , 四川洪芯微科技有限公司
IPC: H01L21/50
Abstract: 本发明提供了一种低阻大电流DMOS器件芯片级CSP封装方法，它包括以下步骤：（一）大电流DMOS器件的表层绝缘层制作及电极引线制作：（二）大电流DMOS器件的背部保护层制作；（三）大电流MOS器件的侧面保护层制作；（四）单个大电流功率DMOS器件分割。本发明采用表面钝化技术，研究适用于无引线裸芯片封装的电极布局和电极材料，开发无引线裸芯片封装工艺，提高器件的稳定性和可靠性。本发明芯片级CSP封装方法适用于所有管脚位于同一平面内的大电流功率MOS器件的封装。
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公开(公告)号：CN106684065A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610808064.3
申请日：2016-09-07
Applicant: 四川上特科技有限公司 , 电子科技大学 , 四川绿然电子科技有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L25/00 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/495 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/49537 , H01L23/49568 , H01L24/49 , H01L25/00 , H01L2224/491
Abstract: 本发明提供了一种集成式Mini整流桥新结构及其制作工艺。集成式Mini整流桥新结构包括塑封体，塑封体内封装有处于同一平面内的四个引线框架；第一引线框架与第三引线框架固设于同一载体上，作为交流引脚，第二引线框架与第四引线框架固设于同一载体上，作为正、负极引脚；第二引线框架上固定设有两个二极管芯片，顶面均为P型，分别通过导线连接第一、第三引线框架；第四引线框架上固定设有两个二极管芯片，顶面均为N型，分别通过导线连接第一、第三引线框架。本发明还提供了该集成式Mini整流桥新结构的制作工艺。本发明结构紧凑、体积小，工艺与现有的工艺方法不同。本发明适用于任意PCB电路板。
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